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随着GaN功率器件的可靠性提升及成本逐渐接近常规MOS，相关中大功率快充方案备受市场青睐。为了满足市场新需求，晶丰明源通过不断创新，推出了集成GaN磁耦...
半导体迄今为止共经历了三个发展阶段：第一代半导体以硅（Si）、锗（Ge）为代表；第二代半导体以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等化合物为代表；第三代...
面对社会和监管要求，电源效率一直是电子系统的优先事项。特别是对于从电动汽车 (EV) 到高压通信和工业基础设施的应用，电源转换效率和功率密度是设计成功的关键。
GaN基功率开关器件能实现优异的电能转换效率和工作频率，得益于平面型AlGaN/GaN异质结构中高浓度、高迁移率的二维电子气（2DEG）。图1示出绝缘栅...
传统GaN-on-Si功率器件欧姆接触主要采用Ti/Al/X/Au多层金属体系，其中X金属可为Ni，Mo，PT，Ti等。这种传统有Au欧姆接触通常采用高...
到目前为止我们已知的GaN有三种晶体结构，它们分别为纤锌矿（Wurtzite）、闪锌矿（Zincblende）和岩盐矿（Rocksalt）。通常的情况下...
过去几年，由于USB Type-C PD充电协议的广泛使用，加之GaN技术的普及，使得基于GaN的PD适配器具有更广泛的兼容性和更便携的形态，小功率电源...
由于 GaN 具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，GaN 充电器的运行速度，比传统硅器件要快 100 倍。GaN 在电力电子领域主...
那么，这是否意味着GaN将在每种应用中取代GaAs？答案是否定的，这就是为什么Microchip生产分立式以及GaN和GaAs MMIC产品，并拥有业内...
例如，多家半导体制造商开发了片上系统 （SoC），其中包括整个射频 （RF） 信号链和有源相控阵天线，该天线在微型封装中集成了数十个元件。硅锗（SiGe...
掌握基本的射频微波理论知识;熟练使用 HFSS、ADS、SONNET、Cadence(virtuoso，calibre)、EMX等电磁仿真以及射频芯片设...
氧化镓有望成为超越SiC和GaN性能的材料，有望成为下一代功率半导体，日本和海外正在进行研究和开发。
您可以通过多种方式控制GaN功率级。LMG5200 GaN 半桥功率级的 TI 用户指南使用无源元件和分立逻辑门的组合。在这篇文章中，我将描述如何使用H...
用一个Hercules LaunchPad开发套件控制GaN功率级
与LMG5200评估模块 (EVM) 一同提供的还有一块驱动GaN集成电路 (IC) 的电路。你需要将其断开，并且连接你的LaunchPad开发套件。
氮化镓 (GaN) 晶体管的开关性能要优于硅MOSFET，因为在同等导通电阻的情况下，氮化镓 (GaN) 晶体管的终端电容较低，并避免了体二极管所导致的...
双基色LED显示屏由红色和绿色LED灯组成，256级灰度的双基色显示屏可显示65，536种颜色（双色屏可显示红、绿、黄3种颜色）。全彩色LED显示屏由红...
GaN FET具有低端子电容，因而可快速切换。然而，当GaN半桥在高di / dt条件下切换时，功率环电感在高压总线和开关节点处引入振铃/过冲。这限制了...
通过凹槽切断栅极下方的2DEG，使得器件在零栅压下为关断状态。当正栅压增至大于阈值电压时,将在栅界面处形成电子积累层以作为器件的导电沟道,器件呈导通状态。
作为一种宽带隙晶体管技术，GaN正在创造一个令人兴奋的机会，以实现电力电子系统达到新的性能和效率。GaN的固有优势为工程师开启了重新考虑功率密度的方法，...
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