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65W高性能磁耦通讯GaN快充方案

晶丰明源 来源:晶丰明源 2023-05-08 14:49 次阅读

随着GaN功率器件的可靠性提升及成本逐渐接近常规MOS,相关中大功率快充方案备受市场青睐。为了满足市场新需求,晶丰明源通过不断创新,推出了集成GaN磁耦通讯快充BP87618+BP818+BP62610组合方案。

其中,BP87618采用了晶丰成熟的磁耦通讯技术,待机功耗极低,动态反应快。BP62610内置多组ADC寄存器,通过I²C接口手机可随时读取寄存器内部信息,获取充电设备的工作状态;同时也可对输出电压和电流进行高精度调节,实现精准的恒压、恒流和恒功率控制,非常适合高端PD/PPS应用。

集成GaN高频QR磁耦通讯反激驱动器

01目标应用

45~68W USBPD/QC PPS充电器

编程AC/DC充电器

笔记本电脑适配器

02性能特点

内置650V GaN

集成高压启动

集成X电容放电,节省放电电阻

150V辅助供电耐压,适合宽输出电压应用

ACOT控制,快速的动态响应

磁耦通讯实现超低待机功耗<30mW

ESOP-10封装,散热能力强,更易操作

03封装形式

2498a4ee-ec79-11ed-90ce-dac502259ad0.png

04应用结构

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-BP62610- 集成SR、副边控制芯片

01性能特点

通过I²C接口与协议芯片通信

集成度高,协议芯片更简单

通过磁耦BP818,实现ACOT副边控制

快速的动态响应

集成同步整流控制和驱动

集成Vbus开关控制及放电功能

高精度恒压、恒流和恒功率控制

24b32fee-ec79-11ed-90ce-dac502259ad0.png

02可编程控制

通过I²C接口可实现输出参数精细控制

电压:10 mV/ Step 电流:12.5mA / Step 恒功率:240mW/ Step 线压降补偿:40 mV/ Step 输出过/欠压保护:80 mV/ Step

03应用结构

24bc26da-ec79-11ed-90ce-dac502259ad0.png

04高精度的电压电流调节

24c4cba0-ec79-11ed-90ce-dac502259ad0.png

高精度输出电压调整步进

10mV/Step

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高精度输出恒流控制 调整步进12.5 mA/ Step

-BP87618+BP818+BP62610- 65W USB PD快充组合方案

01应用方案:65W PD快充

输入电压:90Vac-264 Vac

输出规格 :3.3-11 V/5 A, 9V/3 A,12V/3 A,15V/3 A , 20V/3.25 A

02典型应用图

24ded180-ec79-11ed-90ce-dac502259ad0.png

03方案实物图

24ed764a-ec79-11ed-90ce-dac502259ad0.png

-方案特点-

01高效节能

轻松满足全球能效标准

24fc56ec-ec79-11ed-90ce-dac502259ad0.png

全电压范围空载功耗<30mW

轻松满足六级能效标准

65W(20V_3.25A)效率测试

25084ee8-ec79-11ed-90ce-dac502259ad0.png

02高可靠的系统性能

优异的EMI性能

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系统ESD性能

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目前晶丰明源这套高性价比、集成GaN的65W快充套片已经在市场上大批量出货并深受客户青睐,市场反馈良好。同系列33W及20W磁耦通讯快充整体解决方案也已进入市场。

通过不断的技术创新,晶丰明源会继续为业界带来更多具有技术亮点、高可靠性、高性价比的快充产品

*本文提及的测试结果为实验室条件下真实测试下得出,实际产品视应用环境和批次差异,可能会存在不同,晶丰明源保留最终解释权

审核编辑:汤梓红

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原文标题:65W 高性能磁耦通讯GaN快充方案

文章出处:【微信号:晶丰明源,微信公众号:晶丰明源】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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