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40W两级高效无频闪GaN方案OB3674P+OB8652V介绍

随着办公照明和商业照明市场日趋成熟，高PF、低谐波、低成本、无频闪、高光效等需求已成为用户的首选。为了满足用户高效节能、高可靠性和电源驱动小型化的要求，...

2023-06-30 标签：PFC Boost GaN 6.4k 0

全芯时代单通道低侧GaN驱动器

该芯片是一款单通道低侧GaN FET和逻辑电平MOSFET驱动器，可应用于LiDAR、飞行时间、面部识别和低侧驱动的功率转换器等领域。

2023-06-30 标签：MOSFET 驱动器 GaN 1.1k 0

GaN器件特性影响因素有哪些？

GaN开始为人所知是在光电LED市场，广为人知则是在功率半导体的消费电子快充市场。但实际上，GaN最初在功率半导体领域的目标据说是新能源汽车市场，而非消...

2023-06-29 标签：氮化镓 GaN 华灿光电 1.2k 0

车规级氮化镓（GaN）技术有何优势？

作为电力电子领域的核心技术之一，基于GaN的电能转换技术在消费电子、数据中心等领域有广泛应用，这对提高电能的高效利用及实现节能减排起着关键作用。

2023-06-29 标签：数据中心氮化镓 GaN 2k 0

全方面的电池应用解决方案

越来越多的无线和电池供电设备越来越多地渗透到日常生活中，其中包括电动汽车（EV）与太阳能储能系统等应用，如何对电池进行高效率的管理将是重要课题。本文将为...

2023-06-28 标签：MOSFET GaN 电源系统 1.8k 0

三菱电机采用单个GaN功率放大器实现4G、5G及Beyond 5G/6G通信系统宽带运行

三菱电机集团近日（2023年6月8日）宣布，该公司已开发出首款使用单个放大器即可覆盖3400MHz频段的氮化镓(GaN)功率放大器。该技术已被证明可用于...

2023-06-27 标签：通信系统三菱电机 GaN 1.7k 0

如何在缺陷样本少的情况下实现高精度的检测

导读缺陷检测是工业生产过程中的关键环节，其检测结果的好坏直接影响着产品的质量。而在现实场景中，但产品瑕疵率非常低，甚至是没有，缺陷样本的不充足使得需...

2023-06-26 标签：软件 GaN 生成器 2.8k 0

基于GAN的零缺陷样本产品表面缺陷检测

缺陷检测是工业生产过程中的关键环节，其检测结果的好坏直接影响着产品的质量。而在现实场景中，但产品瑕疵率非常低，甚至是没有，缺陷样本的不充足使得需要深度学...

2023-06-26 标签：神经网络 GaN 缺陷检测 2.2k 0

革命性变革：金刚石基GaN

美国国防部高级研究计划局（DARPA）微系统技术办公室主任Mark Rosker在去年举办的CS Mantech上表示，化合物半导体行业将很快进入第三波...

2023-06-25 标签：半导体晶体管 GaN 1.1k 0

意法半导体VIPerGaN系列高压GAN转换器简介

VIPERGAN50、VIPERGAN65和VIPERGAN100是意法半导体VIPerGaN系列中首款高压GAN转换器，可在宽范围工作电压(9 V至2...

2023-06-21 标签：转换器 usb 意法半导体 1.4k 0

影响电源效率提升的主要损耗

效率一直以来都是电源领域的研究重点，尤其在一些小体积高功率密度的电源系统中尤为重要。比如，适配器电源、模块电源、服务器用电源等。近年来，第三代GaN半导...

2023-06-23 标签：MOSFET 服务器 GaN 2.4k 0

爱美雅科技引领快充市场：TP44100内置GaN MOS芯片的240W快充解决方案

在现代社会中，移动设备和电子产品已经成为人们生活中不可或缺的一部分。然而，随着电子产品的功能不断增加，用户对于快速充电的需求也越来越迫切。作为一家领先的...

2023-06-16 标签：芯片 MOS GaN 1.9k 0

氮化镓 (GaN) 带来电源管理变革的 3 大原因

作为提供不间断连接的关键，许多数据中心依赖于日益流行的半导体技术来提高能效和功率密度。氮化镓技术，通常称为 GaN，是一种宽带隙半导体材料，越来越多地...

2023-06-16 标签：半导体电源管理德州仪器 9.8k 0

1200V氮化镓挑战SiC是否真的可行？

近年来，SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）等宽带隙（WBG）功率半导体的开发和市场导入速度加快，但与硅相比成本较高的问题依然存在。

2023-06-15 标签：功率器件 GaN 功率半导体 1.3k 0

GaN单晶衬底显著改善HEMT器件电流崩塌效应

由于GaN和AlGaN材料中拥有较强的极化效应，AlGaN/GaN异质结无需进行调制掺杂就能在界面处形成高浓度的二维电子气(2DEG)，在此基础上发展而...

2023-06-14 标签：晶体管 GaN HEMT 4.5k 0

基于NeRF的隐式GAN架构

3D对象的生成模型在VR和增强现实应用中越来越受欢迎。但使用标准的3D表示(如体素或点云)来训练这些模型是具有挑战性的，并且需要复杂的工具来进行适当...

2023-06-14 标签：3D GaN 模型 2.2k 0

一种基于全HVPE生长的垂直GaN肖特基势垒二极管

近日，由深圳大学和深圳信息职业技术学院组成的科研团队，研发出了“基于全HVPE生长、具有创纪录的高品质优值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基势垒...

2023-06-13 标签：二极管功率器件 GaN 3.2k 0

宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）介绍

对于 GaN，中文名氮化镓，我们实在是听得太多了。

2023-06-12 标签：充电器 SiC 氮化镓 5.1k 0

浅谈GaN 异质衬底外延生长方法

HVPE（氢化物气相外延法）与上述两种方法的区别还是在于镓源，此方法通常以镓的氯化物GaCl3为镓源，NH3为氮源，在衬底上以1000 ℃左右的温度生长...

2023-06-11 标签：GaN GaN晶体管 1.3k 0

GaN外延生长方法及生长模式

由于GaN在高温生长时N的离解压很高，很难得到大尺寸的GaN单晶材料，因此，为了实现低成本、高效、高功率的GaN HEMTs器件，研究人员经过几十年的不...

2023-06-10 标签：薄膜晶体单晶 2.7k 0

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蓝牙5是蓝牙技术联盟于2016年6月16日发布的新一代蓝牙标准。蓝牙5比原来拥有更快的传输速度，更远的传输距离。蓝牙5.0的开发人员称，新版本的蓝牙传输速度上限为24Mbps，是之前4.2LE版本的两倍。蓝牙5.0的另外一个重要改进是，它的有效距离是上一版本的4倍，理论上，蓝牙发射和接收设备之间的有效工作距离可达300米。
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5G网络作为最新一代的移动互联网通讯技术，相对4G而言，网速更快；5G手机是指使用第五代通信系统的智能手机。相对4G手机，5G手机有更快的传输速度，低时延，通过网络切片技术，拥有更精准的定位。
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自iphone7取消3.5mm插孔后蓝牙耳机市场得到迅猛发展，蓝牙耳机种类也层出不穷，TWS蓝牙耳机两耳挂不需要有线连接，一经面世TWS无线蓝牙耳机开始大行其道。
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三星集团是韩国最大的企业集团，包括85个下属公司及若干其他法人机构，在近70个国家和地区建立了近300个法人及办事处，员工总数20余万人，业务涉及电子、金融、机械、化学等众多领域。
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蓝牙5.0是由蓝牙技术联盟在2016年提出的蓝牙技术标准，蓝牙5.0针对低功耗设备速度有相应提升和优化，蓝牙5.0结合wifi对室内位置进行辅助定位，提高传输速度，增加有效工作距离。
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乐鑫信息科技（上海）有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 总部位于上海张江高科技园区，是一家先进、专业的无晶圆半导体公司，致力于研发设计低功耗的 Wi-Fi 和蓝牙系统级芯片，提供移动通讯和物联网解决方案。
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5G毫米波技术是5G应用中一项重要的基础技术，毫米波指的是一种特殊电磁波，波长为1毫米到10毫米，波动频率为30GHz-300GHz。相对于6GHz以下的频段，毫米波具有大带宽、低空口时延和灵活弹性空口配置等独特优势，可满足未来无线通信对系统容量、传输速率和差异化应用等方面的需求。
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