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安森美SiC Cascode JFET与SiC Combo JFET深度解析
碳化硅(SiC)凭借其优异的材料特性,在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件,从碳化硅如何...
安森美SiC JFET和SiC Combo JFET产品组合介绍
本教程聚焦SiC JFET 在固态断路器中的应用,核心内容包括三大板块,阐释 SiC JFET 的关键特性、系统说明 SiC JFET 如何推动电路保护...
onsemi UF3N120007K4S SiC JFET晶体管的特性与应用解析
在电子工程领域,功率半导体器件的性能对电路设计和系统性能有着至关重要的影响。今天,我们来详细探讨一下安森美(onsemi)的UF3N120007K4S碳...
浮思特 | JFET是什么?碳化硅时代,至信微1200V碳化硅JFET量产突破
在功率电子领域,场效应晶体管(FET)是支撑各类电子设备稳定运行的核心器件,而结型场效应晶体管(JFET)作为其中结构最简单、应用最基础的一种,凭借独特...
探秘ADA4637-1:高性能 JFET 运算放大器的卓越之选
探秘 ADA4627-1/ADA4637-1:高性能 JFET 运算放大器的卓越之选 在电子工程师的设计世界里,运算放大器的选择往往是决定项目成败的关键...
2026-01-23 标签:JFET应用特性ADA4627-1/ADA4637-1 347 0
安森美荣获2025全球电子成就奖之年度功率半导体/驱动器产品奖
11月25日,安森美(onsemi)采用TOLL封装的 5mOhm /750V SiC Combo JFET UG4SC075005L8S凭借卓越的性能...
随着半导体技术和电力电子技术的进步,固态断路器 (SSCB) 的性能持续提升。新型半导体材料(如碳化硅)提供了更高的开关速度、更低的导通损耗和更高的耐压...
安森美SiC Combo JFET UG4SC075005L8S的技术优势
安森美(onsemi)的UG4SC075005L8S在AI PSU设计中非常受欢迎,有助于实现下一代20 kW系统,以创新的Combo架构、高能效、高可...
英飞凌推出新型CoolSiC™ JFET技术,实现更加智能、快速的固态配电
为推动下一代固态配电系统的发展,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)正在扩展其碳化硅(SiC)产品组合,推出了新型Coo...
近日,全球领先的半导体公司安森美(onsemi)宣布了一项重大收购计划,已与Qorvo达成协议,将以1.15亿美元现金收购其碳化硅结型场效应晶体管(Si...
近日,安森美半导体公司宣布了一项重要的收购计划,以1.15亿美元现金收购Qorvo的碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET)技术业务及其子公司Unit...
Qorvo推出了一款750V、4毫欧(mΩ)碳化硅(SiC)结型场效应晶体管(JFET)产品;其采用紧凑型无引脚表面贴装(TOLL)封装,可带来卓越的断...
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