安森美SiC JFET产品应用研讨会预告

随着半导体技术和电力电子技术的进步，固态断路器 (SSCB) 的性能持续提升。新型半导体材料（如碳化硅）提供了更高的开关速度、更低的导通损耗和更高的耐压能力，从而提升了固态断路器的效率和可靠性。

本次研讨会将深入探讨 SiC JFET 在固态断路器中的创新应用，其核心亮点在于固态断路器实现的超高速响应——低于 1 微秒的响应速度，这一数据比传统电磁断路器 (EMB) 快超过 1000 倍。研讨会还会详细解读安森美（onsemi）SiC JFET 产品的使用寿命、智能控制能力、远程监控及诊断功能等特性带来的技术优势。通过详尽的测试结果展示通过其低导通电阻、紧凑设计和高可靠性，从而显著提升电力电路的安全性和效率。

研讨会时间

2025/07/31 10:00

演讲专家Chen Xi安森美高级现场应用工程师

主要负责安森美功率器件应用支持，参考方案设计以及推广支持。有10余年的功率半导体行业内工作经验，拥有丰富的工业、消费类以及汽车等领域的功率器件应用设计及产品化经验。

安森美SiC JFET 技术

安森美的EliteSiC共源共栅结型场效应晶体管（Cascode JFET）器件基于独特的"共源共栅（Cascode）"电路配置——将常开型碳化硅JFET器件与硅MOSFET共同封装，形成一个集成化的常闭型碳化硅FET器件。我们的碳化硅Cascode JFET能够轻松、灵活地替代IGBT、超结MOSFET以及碳化硅MOSFET等任何器件类型。

安森美的集成式SiCCascode JFET因其低 RDS(ON)、低输出电容和高可靠性等独特优势，能够提供卓越的性能。此外，碳化硅 Cascode JFET架构使用标准硅基栅极驱动器，简化了从硅到碳化硅的过渡过程，可在现有设计中实施。因此，它为从硅到碳化硅的过渡提供了灵活性--实施简单，同时得益于SiC技术而提供卓越的性能。

这些优点帮助安森美的SiCCascode JFET 技术在其他技术无法企及的领域大放异彩。碳化硅JFET 的增强性能使其在用于人工智能数据中心、储能和直流快充等 AC-DC 电源单元中实现更高的效率。

随着对更高功率密度和更紧凑外形需求的增加，安森美SiC Cascode JFET 能够实现更小、更轻和更低成本的终端设备。由于减少了对电感器和电容器等大体积无源元件的需求，有助于实现更高的功率密度。