安森美SiC JFET和SiC Combo JFET产品组合介绍

本教程聚焦SiC JFET 在固态断路器中的应用，核心内容包括三大板块，阐释 SiC JFET 的关键特性、系统说明 SiC JFET 如何推动电路保护系统取得重大进步、通过评估和测试结果展示产品性能。我们已介绍过浪涌电流、应对不断攀升的电力需求、为什么要使用固态断路器，SSCB 采用 SiC JFET 的四个理由，SiC JFET 如何实现热插拔控制。本文将继续介绍AI电力革命、安森美(onsemi)产品组合。

AI 电力革命

生成式 AI (GenAI) 工作负载的增加， 导致数据中心的电力需求飙升。 而 GenAI未来还需要多少电力 ， 仍是未知数。 业内普遍认为 ， 这正是促使数据中心服务器机架功率密度迅速攀升的主要原因。根据 IT 分析公司 Omdia 的年度调查，当前数据中心每个机架的平均配电功率达到 16 kW， 较六年前增长 2.5 倍以上。( 普通 42U 机架最多支持 42 个 1U 服务器单元或 24 个 2U 服务器单元。 )

在 GenAI 应用需求激增的背景下，数据中心的能耗将增加多少?对于这个重要问题 ， 目前我们难以获得确切的答案 ， 甚至不知道该去问谁 。 数据中心运营商 、 算力用户和能源系统运营商 ，不仅对未来的用电量有着不同的判断 ， 而且对当前的电力消耗情况也各有看法 。 但有一点毋庸置疑：所有指标都显示用电量正急剧攀升。

数据中心能耗预测

资料来源：麦肯锡公司战略与国际研究中心

Uptime Institute 的年度 AI 基础设施调查显示， 当受访者被要求估算并选择专门用于生成式 AI 训练( 例如为大语言模型提供示例文本) 的服务器机架的功率密度范围时 ， 约 47 % 的受访者表示其机架平均功率密度为 31 kW 或更高。 其中超过一半 (27% ) 表示， 其机架功率密度可能超过 50 kW。

安森美 SiC JFET 和 Combo JFET 技术旨在满足对高能效和更大功率密度的需求;对于数据中心配电单元(PDU) 的 AC/DC 级， 高能效和高功率密度正是需要攻克的两大难点。 根据 Uptime 调查参与者的预测，服务器机架的功率需求将超过 50 kW， 而 SiC JFET是应对这一需求的最佳选择。

在数据中心电源和电路保护应用中 ， JFET 展现出显著的差异化优势 ， 尤其是与超级结(SJ) MOSFET 、 氮化镓 (GaN) 甚至常规 SiC MOSFET 相比， 其导通电阻更低， 开关频率更高。 此外， SiC JFET 可与现有的 Si 和 SiC 栅极驱动器配合使用， 无需专用驱动设计。

它们也非常适合未来的更高电压 DC -DC 转换应用。 得益于上述优势及更小的芯片尺寸，SiC JFET 能够在实现出色能效的同时， 显著降低系统成本。

安森美产品组合

安森美 SiC JFET 产品组合

安森美 SiC Combo JFET 产品组合