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刻蚀

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刻蚀，英文为Etch，它是半导体制造工艺，微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。是与光刻［1］相联系的图形化（pattern）处理的一种主要工艺。所谓刻蚀，实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。

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刻蚀技术

一种孔径小于10纳米的固态纳米孔制备新技术

高质量固态纳米孔的制备是DNA测序、纳流器件以及纳滤膜等应用的关键技术。当前，在无机薄膜材料中制备固态纳米孔的主流方法是聚焦离子/电子束刻蚀。

2023-07-04 标签：电子束刻蚀 693 0

半导体前端工艺之沉积工艺

在前几篇文章（点击查看），我们一直在借用饼干烘焙过程来形象地说明半导体制程。在上一篇我们说到，为制作巧克力夹心，需通过“刻蚀工艺”挖出饼干的中间部分，...

2023-06-29 标签：半导体晶圆工艺 2.4k 0

半导体图案化工艺流程之刻蚀(一)

图案化工艺包括曝光(Exposure)、显影(Develope)、刻蚀(Etching)和离子注入等流程。其中，刻蚀工艺是光刻(Photo)工艺的下一步...

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浅谈封装开封技术

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2023-06-25 标签：芯片 IC 封装 1.5k 0

半导体八大工艺之刻蚀工艺-干法刻蚀

离子束蚀刻 (Ion beam etch) 是一种物理干法蚀刻工艺。由此，氩离子以约1至3keV的离子束辐射到表面上。由于离子的能量，它们会撞击表面的材...

2023-06-20 标签：半导体晶硅刻蚀 9.1k 0

晶片湿法刻蚀方法

硅的碱性刻蚀液：氢氧化钾、氢氧化氨或四甲基羟胺（TMAH）溶液，晶片加工中，会用到强碱作表面腐蚀或减薄，器件生产中，则倾向于弱碱，如SC1清洗晶片或多晶...

2023-06-05 标签：多晶硅晶片刻蚀 4.9k 0

金属湿法刻蚀

但是，HCl为基体的刻蚀溶液，会严重地侵蚀Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe，使金属硅化物阻值升高。这就要求有一种刻蚀剂是无氯基体，而且对Ni（Pt...

2023-05-29 标签：CMOS 刻蚀金属栅极 6.4k 0

离子注入技术的优点和应用

离子注入过程提供了比扩散过程更好的掺杂工艺控制（见下表）。例如，掺杂物浓度和结深在扩散过程中无法独立控制，因为浓度和结深都与扩散的温度和时间有关。离子注...

2023-05-08 标签：半导体工艺硅晶圆 4.3k 0

详解电池片全工序工艺

采用干法刻蚀。采用高频辉光放电反应，采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或各种游离基，这些活性粒子扩散到硅片边缘，在那里与硅进行反应，...

2023-05-06 标签：太阳电池电池片刻蚀 6.6k 0

半导体刻蚀工艺简述

等离子体均匀性和等离子体位置的控制在未来更加重要。对于成熟的技术节点，高的产量、低的成本是与现有生产系统竞争的关键因素。如果可以制造低成本的可靠的刻蚀系...

2023-04-21 标签：芯片等离子体封装 3.6k 0

一种用于先进封装的圆台硅通孔的刻蚀方法

在集成电路的制造阶段延续摩尔定律变得越发困难，而在封装阶段利用三维空间可以视作对摩尔定律的拓展。硅通孔是利用三维空间实现先进封装的常用技术手段，现有技...

2023-04-12 标签：传感器芯片集成电路 2.8k 0

AlN和Sc0.2Al0.8N薄膜的湿法化学腐蚀

用钪取代一些铝可以增加压电性能，但也使薄膜的沉积和图案形成更具挑战性。

2023-03-21 标签：蚀刻工艺压电材料刻蚀 2.3k 0

半导体刻蚀工艺简述(3)

对于湿法刻蚀，大部分刻蚀的终点都取决于时间，而时间又取决于预先设定的刻蚀速率和所需的刻蚀厚度。由于缺少自动监测终点的方法，所以通常由操作员目测终点。湿法...

2023-03-06 标签：芯片半导体等离子体 3.6k 0

半导体刻蚀工艺简述(2)

严重的离子轰击将产生大量的热量，所以如果没有适当的冷却系统，晶圆温度就会提高。对于图形化刻蚀，晶圆上涂有一层光刻胶薄膜作为图形屏蔽层，如果晶圆温度超过1...

2023-03-06 标签：半导体等离子体晶圆 2.3k 0

半导体制造之刻蚀工艺详解

单晶硅刻蚀用来形成相邻晶体管间的绝缘区，多晶硅刻蚀用于形成栅极和局部连线。

2023-02-13 标签：多晶硅半导体晶体管 1.2万 0

半导体行业之刻蚀工艺

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2023-02-08 标签：半导体晶圆刻蚀 5.1k 0

平面互补场效应晶体管替代金属栅工艺流程

该工艺是指在形成层间介质层（ILD）后，插入工序以形成高k介质和金属栅叠层，即在化学机械抛光（露出多晶硅栅叠层）后，刻蚀掉硬掩模（氮化硅/氧化硅），利用...

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一文解读DRAM的9大刻蚀技术

在将晶圆制成半导体的过程中需要采用数百项工程。其中，一项最重要的工艺是蚀刻（Etch）——即，在晶圆上刻画精细电路图案。蚀刻（Etch）工程的成功取决于...

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半导体制造之等离子工艺详解

与湿式刻蚀比较，等离子体刻蚀较少使用化学试剂，因此也减少了化学药品的成本和处理费用。

2022-12-29 标签：晶圆工艺等离子 3.9k 0

半导体制造之等离子工艺

由下图可以看出当气体密度较高时MFP较短(a);而当气体密度较低时，MFP就较长(b)。大粒子的截面积较大，扫过的空间也较大。与一般或较小的离子相比，大...

2022-12-05 标签：工艺等离子刻蚀 2.3k 0

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