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电子发烧友网>汽车电子>Qorvo® 推出D2PAK 封装 SiC FET,提升 750V 电动汽车设计性能

Qorvo® 推出D2PAK 封装 SiC FET,提升 750V 电动汽车设计性能

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2023-04-11 15:55:09494

英飞凌推出120-200A 750V EDT2工业级分立IGBT

英飞凌推出采用TO-247PLUS SMD封装的EDT2工业级分立IGBT,采用750V EDT2 IGBT技术,具有最低的导通损耗和开关损耗,这可以使电动商用车的电池电压达到450Vdc
2023-05-19 12:42:27453

第4代碳化硅场效应晶体管的应用

Qorvo (UnitedSiC) 近宣布推出采用新型表面贴装 TOLL 封装750V/5.4mΩ SiC FET,扩大了公司的性能地位,并扩大了其突破性的第 4 代 SiC FET 产品组合
2023-08-07 14:47:17369

以更小封装实现更大开关功率,Qorvo SiC FET如何做到的?

镓(GaN)等宽带隙材料的器件技术无疑已经做到了这一点。 与传统硅基产品相比,这些宽带隙技术材料在提升功率转换效率和缩减尺寸方面都有了质的飞跃。 凭借S iC在缩减尺寸方面的全新能力,QorvoSiC FET技术用于采用TO-Leadless(TOLL)封装750V器件开发,并扩大了其领先优势。
2023-08-29 18:10:01225

聊聊SiC电动汽车上的应用

上期EV焦点栏目 我们聊了聊电动汽车为什么要上800V,也大致了解了SiC和800V互相成就的关系。今天这期,我们相对放大一下,聊聊SiC电动汽车上的应用。
2024-01-02 13:43:17574

Qorvo推出D2PAK封装SiC FET

(on)。作为Qorvo全新引脚兼容SiC FET系列的首款产品,其最高可达60mΩ的导通电阻值,使其在电动汽车(EV)领域具有广泛的应用前景,尤其适用于车载充电器、DC/DC转换器和正温度系数(PTC)加热器模块等关键应用。
2024-02-01 10:18:06202

Qorvo借助SiC FET独特优势,稳固行业领先地位

在产品研发方面,2023年,Qorvo宣布采用具备业界最低RDS(on)(5.4mΩ)的TOLL封装750V FET,这是任何其它功率半导体技术(如硅基MOSFET、SiC MOSFET、GaN FET)均无法超越的。
2024-02-21 14:40:5266

SiC器件如何提升电动汽车的系统效率

SiC器件可以提高电动汽车的充电模块性能,包括提高频率、降低损耗、缩小体积以及提升效率等。这有助于提升电动汽车的整体性能表现。
2024-03-18 18:12:341063

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