Qorvo,全球领先的综合连接和电源解决方案供应商,近日发布了其全新车规级碳化硅(SiC)场效应晶体管(FET)产品。这款产品拥有紧凑的 D2PAK-7L 封装,实现了业界领先的9mΩ导通电阻RDS(on)。作为Qorvo全新引脚兼容SiC FET系列的首款产品,其最高可达60mΩ的导通电阻值,使其在电动汽车(EV)领域具有广泛的应用前景,尤其适用于车载充电器、DC/DC转换器和正温度系数(PTC)加热器模块等关键应用。
随着电动汽车市场的不断扩大和技术的不断进步,对于高效、可靠的电力电子解决方案的需求日益增长。Qorvo的这款SiC FET产品凭借其卓越的性能和紧凑的封装,为电动汽车设计提供了新的可能性和更高的性能。其低导通电阻能够显著降低能源损失,提高系统效率,而紧凑的封装则有助于减少空间占用,使设计更为紧凑。
作为全球连接和电源解决方案的领导者,Qorvo一直致力于创新和突破,以满足市场对高效、可靠和紧凑的电子解决方案的需求。这次推出的SiC FET产品再次证明了Qorvo在技术上的领先地位和对电动汽车市场的深度理解。
未来,随着电动汽车市场的持续发展,我们期待Qorvo能够继续推出更多创新的产品,为电动汽车的设计和性能提升提供更多可能。同时,我们也期待看到Qorvo的SiC FET产品在更多电动汽车类应用中的广泛应用,为推动电动汽车技术的发展做出更大的贡献。
-
半导体
+关注
关注
336文章
30012浏览量
258518 -
碳化硅
+关注
关注
25文章
3324浏览量
51731 -
Qorvo
+关注
关注
17文章
718浏览量
80290
发布评论请先 登录
onsemi NVBG095N65S3F MOSFET:高性能解决方案
基于Vishay Sfernice D2TO35M表面贴装功率电阻器的技术解析与应用指南
AB3M040065C SiC MOSFET采用T2PAK-7兼容HU3PAK封装的优势和应用领域
深爱半导体 代理 SIC213XBER / SIC214XBER 高性能单相IPM模块
新品 | 采用D2PAK-7封装的CoolSiC™ 650V G2 SiC MOSFET
闻泰科技推出车规级1200V SiC MOSFET
纳微半导体推出采用HV-T2Pak封装的全新碳化硅MOSFET
Qorvo携手Murata推出革新性Type 2AB模块
Nexperia推出行业领先的D2PAK-7封装车规级1200 V碳化硅MOSFET
Nexperia推出采用X.PAK封装的1200V SiC MOSFET
Nexperia推出高效耐用的1200 V SiC MOSFET,采用创新X.PAK封装技术
SiC SBD-P3D06002E2 650V SiC 肖特基二极管特性
具有集成驱动器和自我保护功能的GaN FET如何实现下一代工业电源设计

Qorvo推出D2PAK封装SiC FET
评论