D2-PAK封装中的UF3C SiC FET

UnitedSiC / Qorvo D2-PAK封装中的UF3C SiC FET
采用D2-PAK-3L和D2-PAK-7L表面贴装封装的UnitedSiC / Qorvo UF3C SiC FET基于独特的共源共栅电路配置，具有出色的反向恢复功能。在共源共栅电路配置中，一个常开SiC JFET与一个Si MOSFET封装在一起，形成一个常闭SiC FET器件。这些SiC FET具有低体二极管、低栅极电荷和4.8V阈值电压，允许0V至15V的驱动。这些D2-PAK SiC FET器件有ESD保护，提供>6.1mm的封装爬电和间隙距离。> 这些FET的标准栅极驱动特性可直接替代Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或Si超级结。提供1200V和650V漏极-源极击穿电压版本，非常适合用于任何受控环境，如电信和服务器电源、工业电源、电机驱动和感应加热。
 D2-PAK封装中的UF3C SiC FET 特性
D2PAK-3L@ 650V 30mΩ、40mΩ和80mΩ
D2PAK-7L@ 650V 80mΩ、1200V 80mΩ和150mΩ
85mΩ典型导通电阻RDS(on)
175°C最高工作温度
140nC卓越的反向恢复能力（Qrr）
1.5VFSD（正向电压）低体二极管
23nC低栅极电荷
4.8VG（th）阈值电压
>6.1mm的封装爬电和间隙距离
用于优化开关性能的开尔文源极引脚
ESD防护
应用
电信和服务器电源
工业电源
功率因数校正模块
电机驱动器
感应加热