在数字电子设备中，存储器是至关重要的部分。它负责存储和检索数据，以支持各种计算和数据处理任务。在存储器市场中，有两种主要的类型：随机访问存储器 ( RAM ) 和只读存储器 ( ROM )。尽管都是存储器，但它们之间存在一些关键区别。
2023-12-05 15:46:17
735 
0.13μm非易失性FRAM产品的增强的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
电阻。MAX5128具有超小尺寸、2mm x 2mm µDFN封装，待机电流低至0.5µA (典型值)，非常适合便携式设备。MAX5128工作在+2.7V至+5.25V电源电压，内置非易失存储器可保存
2021-05-17 07:50:42
Flash的容量往往较小。NOR设备在每次写操作时都必须以块的方式写入数据。并行NOR闪存利用静态随机存取存储器(SRAM)快速访问芯片的可寻址区域，实现了存储字节的快速访问。与NAND Flash相比
2023-05-18 14:13:37
数据的，而数据又包括代码数据和一般意义上的数据。存储器的访问方式有两种，一种是随机访问，即可以任意读取某一字长长度内容，另一种是块访问，即每次访问都是以扇区（512字节，或者扇区的整数倍）进行。而代码
2016-03-15 12:35:10
存取速度分类)：1、随机存取存储器：SRAM、DRAM、FRAM；2、非随机存取存储器：掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash Memory。差强人意的分类为(按易失性分类)：1、易
2012-01-06 22:58:43
第 4 章 存储器4.1概述存储器可分为那些类型现代存储器的层次结构，为什么要分层一、存储器分类1.按存储介质分类（1）半导体存储器TTL、MOS易失（2）磁表面存储器磁头、载磁体（3）磁芯存储器
2021-07-29 07:40:10
1. 存储器理解存储器是计算机结构的重要组成部分，存储器是用来存储程序代码和数据的部件，有了存储器计算机才具有记忆功能。按照存储介质的特性，可以分“易失性存储器”和“非易失性存储器”两类，易失和非易
2021-07-16 07:55:26
存储器的分类存储器是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据，从不同的角度对存储器可以做不同的分类。1、按存储介质分半导体存储器（又称易失性存储器）：体积小，功耗低，存取时间短，电源消失的时候，所存的信息也随之消失。磁表面存储器（...
2021-07-26 08:30:22
所谓的寄存器、内存等用于存储信息的复杂结构。存储器的分类存储器分为易失性存储器和非易失性存储器；所谓易失性存储器是指设备掉电，存储的信息自动清除，而非易失性存储器具有存储时间长的功能。易失性存储器主要指
2021-12-10 06:54:11
Keil编译后生成bin文件占用内部Flash的大小，RAM，ROM，Code，RO-data，RW-data，ZI-data名词解释RAMRAM又称随机存取存储器，存储的内容可通过指令随机读写访问
2022-01-26 06:05:59
静态随机存储器 (Low Power SRAM); 高速静态随机存储器 (High Speed SRAM); 虚拟静态随机存储器
2010-09-03 13:05:24
静态随机存储器SRAM存储数据原理
2021-02-26 06:36:26
，非易失性存储器还需确保足够的读写次数来记录至少 20 年数据。此外，为了达到汽车级认证和资格，所有子系统应采用符合 AEC-Q100 标准的存储器组件。同时，功能性安全性能符合ISO 26262标准是另外一
2018-05-21 15:53:37
随机存取存储器）和OUM(Ovshinsky电统一随机存取存储器)，三者科技内涵各有所长,市场预测尚难预料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯电子要介绍的是关于非易失性MRAM的单元结构
2020-10-20 14:34:03
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力;以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力;以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
2020-12-10 07:20:20
125°C下的数据保存时间超过10年。 图7.对3500Oe磁场的灵敏度降低了1E6倍。 关键词：MRAM相关文章：非易失性存储器MRAM的两大优点宇芯有限公司自成立以来，我们专注于代理国内外各大
2020-07-02 16:33:58
宇芯电子本篇文章提供智能电表或智能电子式电表的概述，并且说明在智能电子式电表的设计中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的优势。图1显示的是智能电子式电表的简化框图。非易失性存储器是一个电表
2021-07-12 07:26:45
我们正在构建一个设备来测量消耗。电路 ACS712 读取那一刻的消耗量，所以，我需要做一个每秒累加的方法。问题：非易失性内存有写入限制，所以我需要使用易失性内存。写入易失性存储器是否有一些限制？我们的想法是每秒读取一次 ACS712 并写入易失性存储器，每 10 分钟写入一次非易失性存储器。
2023-05-30 08:48:06
非易失可重复编程FPGA的应用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
bq4011是一个非易失性262144位静态RAM，按8位组织为32768字。集成控制电路和锂能源提供可靠的非易失性，与标准SRAM的无限写入周期相结合。控制电路持续监测单个5V电源是否超出公差条件。当
2020-09-16 17:15:13
为cy14b256la数据表中提到的20年的数据保留。其他NVSRAM产品列出100年。这是从最近的店铺经营20年，或者20年总在芯片的生活吗？有没有办法从芯片上读取选项状态？如果AutoStore
2019-03-06 15:10:30
我司是韩国EMLSI和美国Everspin半导体中国区指定代理.公司主要产品有：1,Low power SRAM (低功耗静态随机存储器)1Mbit~8Mbit.2,Serial SRAM(串行
2013-08-22 09:30:32
并行随机访问读取和写入的速度最快为20 ns。 发生电源故障时，nv SRAM会自动将SRAM数据的副本保存到非易失性存储器中，该数据将受到20多年的保护。SRAM和非易失性存储器之间的传输是完全并行
2020-04-08 14:58:44
和传统的SRAM直接替换。FRAM产品具有RAM和ROM优点，读写速度快并可以像非易失性存储器一样使用。因铁电晶体的固有缺点，访问次数是有限的，超出限度，FRAM就不再具有非易失性。Ramtron给出
2014-04-25 13:46:28
第一代非易失性GW1N系列FPGA芯片小步快走，GW1N-6和GW1N-9在继承了GW1N-1/2/4的众多优点的基础上，加入了多项创新的特性，使得高云半导体在非易失性FPGA领域逐步建立了领先优势
2017-08-30 10:18:00
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 内核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的应用程序中，我们需要将安全数据（例如密钥）存储在安全非易失性存储 (SNVS) 区域
2023-04-14 07:38:45
SRAM(StaticRandom-AccessMemory）：静态随机存储器，所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。DRAM（Dynamic Random
2021-11-03 06:22:12
具有非易失性，即使切断电源，信息也不会丢失，而且它和DRAM一样可随机存取。表1存储器的技术规格比较在性能方面，自旋注入MRAM的读取1擦写时间都很短，均在2ns至20ns之间。它不需要闪存所必需
2022-02-11 07:23:03
MSP430G 系列处理器是一款低成本16 位处理器，其并不具备 EEPROM。为了存储非易失性数据，MSP430G 系列处理器在芯片内部划分出了 256 字节的 Flash 空间作为信息
2019-10-18 09:00:50
MT47H64M16NF-25E:M动态随机存取存储器：规格：存储器类型易失存储器格式DRAM技术SDRAM - DDR2存储容量1Gb （64M x 16）存储器接口并联时钟频率400MHz写
2020-06-30 16:26:14
当系统运行了一个嵌入式实时操作系统时（RTOS），操作系统通常都是使用非易失的存储器来运行软件以及采集数据。存储器的选择面很广阔，其中包括电池供电的SRAM（静态随机访问储存器），各种各样的闪存以及串口EEPROM（电可擦的，可编程的只读存储器）。
2019-06-28 08:29:29
航空航天专用Everspin非易失性MRAM存储器
2020-12-31 07:15:20
还支持对存储器的无限次读写。 ESP-PSRAM64与ESP-PSRAM64H的区别： 引脚配置图： 好了，关于串行外设接口(SPI) 64 Mbit 伪静态随机存储器ESP-PSRAM64，今天
2020-05-11 09:56:38
世界顶尖的非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM产品之第二款并口器件FM28V020。
2019-09-16 10:31:20
存储器（Volatile Memory），存储内容不会丢失的存储器称作非易失存储器（Non-Volatile Memory）。半导体存储器的分类* RAM (Random Access Memory
2019-04-21 22:57:08
你好，作为NVSRAM的一部分，非易失性存储器的耐力E/P周期是多少？最好的问候，井上 以上来自于百度翻译 以下为原文Hi, How much are endurance E/P cycles
2018-10-19 15:57:30
代码执行应用则要求存储器的随机访存速度更快。经过研究人员对浮栅存储技术的坚持不懈的研究，现有闪存的技术能力在2010年底应该有所提升，尽管如此，现在人们越来越关注有望至少在2020年末以前升级到更小
2019-06-26 07:11:05
EVAL-AD5232SDZ，用于AD5232双通道，256位，非易失性存储器数字电位器的评估板。 AD5232具有多种可编程性，允许多种工作模式，包括RDAC和EEMEM寄存器中的读/写访问，电阻的递增/递减
2020-04-01 09:01:26
的载体。因此各种IC卡的应用特 点主要体现在IC卡存储器的类型，存储器容量的大小和卡片电路的附加控制功能等几个方面。 在IC卡中使用的存储器类型主要分为两大类：易失性存储器和非易失性存储器。 易失
2020-12-25 14:50:34
静态随机存储器)64Kbit-512Kbit.5.PSRAM[Pseudo SRAM,UtRAM(虚拟静态随机存储器)4Mbit-64Mbit.6.Cellular RAM(伪静态随机存储器
2013-08-29 10:11:56
MIKROE-2768，FRAM 2 CLICK Board带有CY15B104Q 4 Mbit（512K x 8）串行F-RAM。铁电随机存取存储器或F-RAM是非易失性的，并且执行类似于SRAM
2020-07-22 10:30:31
1. 嵌入式的外部存储器嵌入式系统中，外部的存储器一般是Nand flash和Nor flash，都称为非易失存储器。存储器的物理构成包含页内地址，页（Page），块（Block）。可以得出存储器
2021-12-10 08:26:49
我应该用什么API来存储非易失性数据？我使用CYW43907，手册上说它支持外部闪存。我想知道我是否应该使用WiDeDssFlash写来存储数据，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
亲爱;我有Spartan™-3AN非易失性FPGA入门套件，我编写了VHDL程序，用于地址分配到与FPGA芯片接口的两个外部ROM。程序有（16位输入端口）和（16位输出端口），问题是：如何使用该套件在FPGA芯片上下载程序？如何确定哪个输入引脚和哪个是输出引脚？最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
保护您的嵌入式软件免受内存损坏本文的目的是提供一种软件方法，解释如何处理存储在非易失性设备（如小型 EEPROM 或闪存）中的内存数据集损坏。在微型嵌入式系统中看到这些数据集是很常见的，这些系统存储
2021-12-24 07:27:45
在嵌入式设计中，许多应用设计都需要使用EEPROM 存储非易失性数据，由于成本原因，某些单片机在芯片内部并没有集成EEPROM。MSP430G 系列处理器是TI 推出的低成本16 位处理器，在
2019-09-23 08:31:04
预编程设备的引导加载，我们有一个困难，显然制造商没有对NVLS编程，因此引导加载程序拒绝重新编程闪存。有一个问题出现（对于PSoC 3和PSoC 5LP，我们使用在其他板上）：如何读取PSoC处理器的非易失性锁存器？安德烈亚斯
2019-08-15 06:46:55
常用存储器存储器的种类RAM存储器非易失性存储器存储器的种类易失性存储器： 掉电数据会丢失读写速度较快内存非易失性存储器：掉电数据不会丢失读写速度较慢机械硬盘RAM存储器RAM是“Random
2021-12-10 07:09:20
影响存储器访问性能的因素有哪些？DSP核访问内部存储器和外部DDR存储器的时延有什么不同？
2021-04-19 08:32:10
)4Mbit-64Mbit.4.Cellular RAM(伪静态随机存储器)4Mbit-64Mbit.6.NvSRAM,F-RAM,MRAM(非易失性存储器)256Kbit-16Mbit8.Mobile SDRAM
2013-08-23 11:00:03
我想用非易失性密钥获取CMAC值（仅验证甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”项目。初始化 CSEc 模块后，我使用给定的指令加载密钥 ROM
2023-04-10 06:34:32
、NAND 闪存、EEPROM（可擦除的可编程只读存储器）、FRAM（铁电存储器），MRAM（磁性 RAM）和 NVSRAM（非易失性静态存储器）等。每种类型存储器在不同性能指标下具有各自的优势和劣势：存储器
2019-07-23 06:15:10
方便移动设备应用.存储器系统设计必须支持增长的带宽需求及更少的功耗.非易失性固态存储器与传统的NOR闪存相比，被证实可以减少功耗。存储器子系统架构存储器子系统架构是嵌入式设计者面临的主要挑战.存储器参数
2018-05-17 09:45:35
磁阻式随机存储器MRAM的基本原理是什么？
2021-06-08 06:33:01
程序存储器(ROM)作用：存放程序、表格或常数，具有非易失性特点：片内ROM与片外ROM可有2种组合方案方案1 ： 4 KB以内的地址在片内ROM，大于4KB的地址在片外ROM中（图中折线），两者
2021-12-13 06:08:21
具有记忆功能。按照存储介质的特性，可以分“易失性存储器”和“非易失性存储器”两类。易失性存储器断电后，里面存储
2022-02-11 07:51:30
存储器分类按不同分类标准可作不同的分类。按存储介质不同可分为半导体存储器（易失或非易失）、磁表面存储器（非易....
2021-07-26 06:22:47
（DRAM）与静态随机存储器（SRAM）两大类。DRAM 以电容上存储电荷数的多少来代表所存储的数据，电路结构十分简单（采用单管单电容1T-1C的电路形式），因此集成度很高，但是因为电容上的电荷会泄漏，为了能
2022-11-17 16:58:07
开发周期、长期供货和最先进技术。从便携式电子产品到网络设备，赛普拉斯的存储器系列产品总能提供相应的存储器方案：低功耗、异步、同步与非易失性 SRAM，以及多端口 SRAM、FIFO 等。赛普拉斯提供完整
2020-09-01 19:40:50
/Toggle 2.0接口，可为企业级SSD厂商提供高性能的同步非易失性存储器解决方案。全新nvSRAM可直接放在NAND闪存总线上，成为关键非易失性数据的有源存储器空间（见图6）。全新nvSRAM接口
2018-09-26 09:44:52
半导体公司推出的一种与SRAM相似但却具有非易失性的随机存储器，它没有BSRAM模组系统的设计复杂性和相关的数据可靠性问题，而且能在掉电的情况下保存数据。FRAM不但克服了EEPROM和FLASH写入时间长、擦写次数低的缺点,同时其成本也比相同容量的锂电池+SRAM方案低很多。
2021-04-15 07:14:23
（Ferroelectric Random Access Memory）是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器（内存）。FRAM的数据保持，不仅不需要备用
2020-05-07 15:56:37
而言，铁电存储器具有一些独一无二的特性。传统的主流半导体存储器可以分为两类--易失性和非易失性。易失性的存储器包括静态存储器SRAM和动态存储器DRAM。SRAM和DRAM在掉电的时候均会失去保存的数据
2011-11-19 11:53:09
而言，铁电存储器具有一些独一无二的特性。传统的主流半导体存储器可以分为两类--易失性和非易失性。易失性的存储器包括静态存储器SRAM和动态存储器DRAM。SRAM和DRAM在掉电的时候均会失去保存的数据
2011-11-21 10:49:57
的写入次数、并为开发人员提供了一个全新的灵活度（允许其通过软件变更来完成数据内存与程序内存的分区)。铁电存储器相比SRAM、FLASH和EEPROM优点多多:非易失性，写入速度快，无限次写入,最关键是
2021-11-10 08:28:08
可用于断电（NMI）中断或其他目的的通用比较器。该器件的工作电压为2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的非易失性FRAM存储器容量。快速的写入速度和无限的耐用性使该存储器可以用作额外
2023-04-07 16:23:11
存储器的分类及原理,动态随机存储器,静态随机存储器,只读存储器,其他存储器和技术.
2008-08-17 22:29:43
20 随机静态存储器低能中子单粒子翻转效应:建立了中子单粒子翻转可视化分析方法，对不同特征尺寸（０．１３～１．５０μｍ）ＣＭＯＳ工艺商用随机静态存储器（ＳＲＡＭ）器件
2009-10-31 14:23:4235 EPM1270F256C4N，ALTERA/阿尔特拉，即时开启非易失性CPLD,处理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿尔特拉，即时开启非易失性CPLD,处理器
2023-10-24 15:38:16
赛普拉斯半导体公司日前宣布推出新的串行非易失性静态随机存取存储器(nvSRAM)，该存储器具有I2C和SPI接口，可用于仪表、工业和汽车应用
2011-04-06 19:06:011420 同步静态随机访问存储器SSRAM(Synchronous Static Random Access Memory)，已经广泛地应用于通信、无线基站、网络路由交换等需要大容量、高速可靠数据传输的领域。随着通信技术的发展，近年来
2011-07-07 11:47:0461 赛普拉斯半导体公司日前推出了16-Mbit 非易失性静态随机访问存储器 （nvSRAM） 系列，其中包括具备同步 NAND 闪存接口的器件、16-Mbit 并行、nvSRAM和同步NAND 接口，全新系列包含了支持用于
2012-09-13 12:04:25654 赛普拉斯半导体公司日前宣布，LSI在其用于高性能服务器、工作站和外部存储器的12Gb/s SAS主机总线适配器（HBA）中，选用了赛普拉斯的并行非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM
2013-09-10 10:25:451305 SRAM 1-Mbit (128 K × 8) 串行 SPI nvSRAM，带实时时钟
2017-10-10 09:07:0516 关于SRAM随机存储器的特点及结构。 SRAM随机存储器的特点 随机存储器最大的特点就是可以随时对它进行读写操作，但当电源断开时，存储信息便会消失。随机存储器依照数据存储方式的不同，主要可以分为动态随机存储器（DRAM）与静态随机存储器
2020-04-30 15:48:132878 
SRAM（Static Random Access Memory），即静态随机存取存储器。它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据
2020-07-16 10:44:034771 
电子发烧友网站提供《非易失性NVSRAM存储器的详细讲解.pdf》资料免费下载
2020-11-25 11:12:0025 高云半导体FPGA 产品提供了丰富的块状静态随机存储器资源，简称块状静态存储器（B-SRAM）。B-SRAM 在器件内部以行的形式分布，每个B-SRAM 占用3 个CFU 的位置，B-SRAM
2020-12-09 15:31:137 富士通半导体存储器解决方案有限公司推出12Mbit ReRAM(电阻式随机存取存储器)MB85AS12MT，这是富士通ReRAM产品系列中密度最大的产品。
2022-04-24 16:06:021133 VDSR8M16XS54XX2V12是一种高速存取时间、高密度静态随机存取存储器。该SIP模块采用VDIC非常密集的SIP技术制造，可堆叠四个4-Mbit SRAM芯片采用CMOS工艺（6晶体管存储单元）。它被组织为两个256K×的独立区块16位宽数据接口。
2022-06-08 11:53:180 VDSR8M16XS54XX2C12是一款高速、高度集成的产品。静态随机存取存储器8.388.608位。它由两个4Mbit的银行组成。
2022-06-08 11:48:581 ，VM）两大类。例如，人们熟知的闪速存储器 ( Flash Memory，简称 Flash）就属于 NVM，静态随机存取存储器 (Static Random Access Memory， SRAM）和动态随机存取存储器 (Dynamic Random Access Memory,DRAM)则属于 VM。
2023-11-16 09:14:06413 非易失性静态随机存取存储器 (NVSRAM) 是一种即使断电也能保留数据的存储器，提供非易失性存储。
2023-12-05 10:09:56303 众所周知，铁电存储器（FRAM）是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器。本文所提到的国产铁电存储器PB85RS2MC在数据保持上，不仅不需要备用电池，而且
2023-09-27 10:00:51
电子发烧友App
工商网监
评论