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电子发烧友网>电子资料下载>存储器技术>随机静态存储器低能中子单粒子翻转效应

随机静态存储器低能中子单粒子翻转效应

2009-10-31 | rar | 333 | 次下载 | 免费

资料介绍

随机静态存储器低能中子单粒子翻转效应:建立了中子单粒子翻转可视化分析方法,对不同特征尺寸(0.13~1.50μm)CMOS工艺商用随机静态存储器(SRAM)器件开展了反应堆中子单粒子翻转效应的实验研究,获得了SRAM 器件的裂变谱中子单粒子翻转截面随特征尺寸变化的变化趋势。研究结果表明:SRAM 器件的特征尺寸越小,其对低能中子导致的单粒子翻转的敏感性越高。
关键词: 随机静态存储器; 低能中子; 单粒子效应; 反应堆; 特征尺寸; 临界电荷
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