英特尔嵌入式多芯片互连桥接技术实现的异构SiP集成电路

为了打破高性能系统中的带宽瓶颈，Altera公布了该公司声称的业界首个异构系统级封装（SiP）器件将SK Hynix的堆叠高带宽存储器（HBM2）与高性能Stratix 10 FPGA和SoC集成在一起。

HBM2垂直堆叠DRAM裸片，并使用硅通孔（TSV）和微凸块将它们互连。采用英特尔嵌入式多芯片互连桥接（EMIB）技术实现异构SiP集成，该技术依靠硅桥将多个芯片连接在一起。与基于插入器的解决方案相比，EMIB技术 - 芯片之间的走线非常短 - 据说可以在更低的功耗下提供更高的性能。

它的架构方式，据说SiP相对于分立DRAM解决方案提供超过10倍的内存带宽。 Stratix 10 DRAM SiP将使用户能够以节能的方式定制其工作负载并实现最高的存储器带宽。 Altera正积极与十几家客户合作，将这些DRAM SiP产品集成到他们的下一代高端系统中。