TPS51604-Q1 用于高频 CPU 内核功率应用的同步降压·FET 驱动器

• 符合汽车应用要求
• 具有符合AEC-Q100的下列结果：
  • 器件温度等级1：-40°C至125°C
  • 器件人体模型静电放电（ESD）分类等级H2
  • 器件的充电器件模型ESD分类等级C3B
• 针对已优化连续传导模式（CCM）的精简死区时间驱动电路
• 针对已优化断续传导模式（DCM）效率的自动零交叉检测
• 针对已优化轻负载效率的多个低功耗模式
• 为了实现高效运行的经优化信号路径延迟
• 针对超级本（超极）FET的集成BST开关驱动强度
• 针对5V FET驱动而进行了优化
• 转换输入电压范围（V _IN ）：4.5V至28V
• 2mm x 2mm 8引脚晶圆级小外形无引线（WSON）Power-Pad封装

应用

• 汽车后座娱乐（RSE）平板电脑采用高频CPU，配合以下电源输入使用：
  • 适配器
  • 电池
  • NVDC
  • 5V至12V电源轨

所有商标是他们各自所有者的财产。