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CSD13381F4 12V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,CSD13381F4

数据:

描述

此140mΩ,12V N通道FemtoFET MOSFET技术被设计且被优化,以最大限度地减少很多手持式和移动类应用中的封装尺寸。这个技术能够在将封装尺寸至少减少60%的同时,替代标准的小信号MOSFET。

特性

  • 低导通电阻
  • 低Q g 和Q gd
  • 低阈值电压
  • 超小型封装尺寸(0402外壳尺寸)
    • 1.0mm×0.6mm
  • 超薄
    • 高度0.35mm
  • 集成型静电放电(ESD)保护二极管
      < li>额定值&gt; 4kV人体放电模式(HBM)
    • 额定值&gt;
    • 符合RoHS环境标准
    范围
    • 针对负载开关应用进行了优化
    • 针对通用开关应用进行了优化
    • 单节电池应用
    • 手持式和移动类应用

    所有商标均为其各自所有者的财产。

参数 与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管

 
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
Logic Level
CSD13381F4 CSD13380F3 CSD13383F4 CSD13385F5 CSD17382F4 CSD17484F4 CSD17585F5
12     12     12     12     30     30     30    
Single     Single     Single     Single     Single     Single     Single    
180     76     44     19     67     128     33    
            27    
7     13.5     27     41     14.8     18     34    
1.06     0.91     2     3.9     2.1     0.92     1.9    
0.14     0.15     0.6     0.39     0.63     0.075     0.39    
LGA 1.0 x 0.6mm     LGA0.6x0.7     LGA 1.0 x 0.6mm     LGA 0.8x1.5     LGA 1.0 x 0.6mm     LGA 1.0x0.6mm     LGA 0.8x1.5    
170     73     53     18     67     125      
8     8     10     8     10     12     20    
0.85     0.85     1     0.8     0.9     0.85     1.3    
Yes     Yes     Yes     Yes     Yes     Yes     Yes    

技术文档

数据手册(1)
元器件购买 CSD13381F4 相关库存