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数据： CSD18533Q5A 60V N 沟道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. B)
这款4.7mΩ，60V，SON 5mm×6mm NexFET功率MOSFET被设计成功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
所有商标均为其各自所有者的财产。
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| ID, package limited (A) |
| Logic Level |
| CSD18533Q5A | CSD18531Q5A | CSD18534Q5A | CSD18537NQ5A | CSD18540Q5B |
|---|---|---|---|---|
| 60 | 60 | 60 | 60 | 60 |
| Single | Single | Single | Single | Single |
| 8.5 | 5.8 | 12.4 | 3.3 | |
| 5.9 | 4.6 | 9.8 | 13 | 2.2 |
| 267 | 300 | 229 | 151 | 400 |
| 29 | 36 | 17 | 14 | 41 |
| 5.4 | 5.9 | 3.5 | 2.3 | 6.7 |
| SON5x6 | SON5x6 | SON5x6 | SON5x6 | SON5x6 |
| 20 | 20 | 20 | 20 | 20 |
| 1.9 | 1.8 | 1.9 | 3 | 1.9 |
| 103 | 134 | 69 | 54 | 221 |
| 100 | 100 | 50 | 50 | 100 |
| Yes | Yes | Yes | No | Yes |
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