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NCV51705 汽车SiC MOSFET驱动器 低侧 单个6A高速
数据：
数据表：单个6 A高速，低侧SiC MOSFET驱动器
NCV51705驱动器主要用于驱动SiC MOSFET晶体管。为了实现尽可能低的导通损耗，驱动器能够向SiC MOSFET器件提供最大允许栅极电压。通过在导通和关断期间提供高峰值电流，开关损耗也最小化。为了提高可靠性，dV / dt抗扰度和更快的关断速度，NCV51705可以利用其板载电荷泵产生用户可选择的负电压轨。对于隔离应用，NCV51705还提供外部可接入的5 V电源轨供电数字或高速光隔离器的次级侧。
特性
优势
具有分离输出阶段的高峰值输出电流
允许独立的开启/关闭调整
扩展正电压额定值高达28 V Max
导电期间高效的SiC MOSFET工作
用户可调节的内置负电荷泵（-3.3 V至-8 V）
快速关闭和强大的dV / dt免疫
可访问的5 V参考/偏置轨道
最大限度地降低隔离栅极驱动应用中偏置电源的复杂性
可调节欠压锁定
足够的VGS振幅以匹配SiC最佳性能
快速去饱和功能
设计的自我保护
QFN24封装4 x 4 mm
小&低寄生电感包
AEC-Qualifiied
对于HEV / EV中的SiC大功率模块
应用
终端产品
高性能逆变器
高功率PFC
高功率SiC模块
车载充电器
牵引逆变器
大功率DC / DC转换器
电路图、引脚图和封装图
技术文档
数据手册（1）
相关资料（5）
数据表：单个6 A高速，低侧SiC MOSFET驱动器
产品概览
NCP51705迷你评估板用户手册
SiC MOSFET：栅极驱动优化
QFNW24 4x4,0.5P
SIC MOSFET栅极驱动优化教程
元器件购买
NCV51705
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