龙腾半导体推出650V高压MOSFET产品LSD65R150G3

龙腾半导体基于G3超结650V 新平台的首款高压MOSFET--LSD65R150G3 正式面向市场释放。该器件采用TO-220F全绝缘封装，具备更低的导通电阻、更优的栅极电荷和更快的开关速度，为LED电源、高效适配器、大功率电源及工业电源等应用提供新一代核心功率解决方案。

核心优势

LSD65R150G3基于龙腾半导体自主研发的G3超结技术平台，通过对元胞结构、栅极设计及终端耐压的深度优化，在保持650V高耐压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻和寄生电容参数。作为该平台的首款产品，LSD65R150G3在650V击穿电压下实现了典型125mΩ、最大150mΩ的导通电阻，同时将栅极总电荷控制在仅34nC（典型值），显著降低了驱动损耗与开关损耗，助力电源系统实现更高频率、更高功率密度的设计。

龙腾半导体应用团队测试结果表明，与前一代超结产品相比，新一代G3超结产品LSD65R150G3在导通电阻性能上显著优化，相同耐压下导通电阻更低，从而降低了导通损耗。同时，其总栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）均有显著降低，直接有利于减小开关损耗：更低的Qg可减少驱动损耗、加快开关响应，更小的Ciss则能进一步提高开关速度并降低驱动电流需求。此外，该器件的雪崩耐受能力显著提升，EAS提高约5倍，鲁棒性显著增强，能够承受更高的单次雪崩能量冲击，在过压或电感负载条件下具有更高的可靠性。

来源: 龙腾实验室实测

龙腾MOSFET产品线负责人表示：“我们设计G3平台及LSD65R150G3的目标，是帮助客户在实现更高开关频率和更小体积的同时，有效控制系统总损耗。根据产品规格书参数及实际测试结果，LSD65R150G3具备稳定的体二极管反向恢复特性、充足的雪崩耐量以及可控的高温导通电阻，完全能够胜任开关电源、PD充电器、工业电源等应用中的核心开关位置。”

样品申请

点击【阅读原文】，通过龙腾半导体官网获取详细技术资料及样品。此外，基于G3平台的更多超结产品正在陆续推出，将涵盖不同导通电阻等级与封装选项，致力于为市场提供更加全面的高压功率器件组合。