详细描述了CS5N90A4R的通用描述、特性、应用、绝对最大额定值、电气特性、封装信息等。
2025-12-27 13:44:56
0 03 90N03 90N04 120N04 15N06 50N06 70N06 5N10 10N10 12N10 15N10 45N10 70N10 5N15 10N15 15N15 5N20 10N20 5N
2025-12-27 11:29:33
- 典型掺杂范围 1012~1014/cm3 P- 典型掺杂范围 1012~1014/cm3 03 N 典型掺杂范围 1015~1018/cm3 P 典型掺杂范围 1015~1018/cm3 041
2025-12-26 14:20:01
78 
EZ-USB™ FX5N DVK (KIT_FX5N_FMC_001) 套件深度解析 引言 在当今的电子设计领域,视频和音频流应用的需求日益增长。英飞凌的 EZ-USB™ FX5N DVK
2025-12-18 15:25:06
205 下载: adc0831-n.pdf 关键特性与规格 特性亮点 高兼容性 :这些转换器与TI MICROWIRE兼容,能够直接与COPS系列处理器接口,同时也能轻松与所有微处理器连接,
2025-12-10 10:55:06
358 新品搭载2.2kV整流器的EconoPIM3模块-FP75R17N3E4_B20FP75R17N3E4_B20是一款EconoPIM3IGBT模块,采用TRENCHSTOPIGBT4技术、发射极控制
2025-12-08 17:04:22
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在电子设计领域,MOSFET是不可或缺的关键元件。今天,我们来详细探讨Onsemi公司的NTMFS3D2N10MD这款N沟道功率MOSFET,看看它在实际应用中能为我们带来哪些优势。
2025-12-08 16:38:38
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在电子设备设计中,MOSFET作为关键的功率开关元件,其性能直接影响着整个系统的效率和稳定性。今天我们要深入探讨的是安森美(onsemi)推出的NVMJS3D0N06C单通道N沟道MOSFET,看看它在实际应用中能为我们带来哪些优势。
2025-12-02 09:23:56
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在电子工程师的日常设计工作中,MOSFET(金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)是不可或缺的关键元件。今天,我们聚焦于ON Semiconductor推出的一款单N沟道功率MOSFET——NVMYS4D5N04C,深入剖析其特性、参数及应用场景。
2025-12-01 14:41:37
268 
在电子设计领域,MOSFET(金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)作为关键的功率器件,其性能表现对整个电路的性能起着至关重要的作用。今天,我们就来深入了解一款由onsemi推出的单N沟道MOSFET——NVTYS014N08HL。
2025-12-01 09:42:59
233 
在电子设备的设计领域,MOSFET 作为关键的功率开关元件,其性能的优劣直接影响着整个系统的效率和稳定性。今天,我们将深入探讨 onsemi 推出的 NVMFS5C604N 单通道 N 沟道 MOSFET,这款产品在众多方面展现出了令人瞩目的特性。
2025-11-28 15:32:08
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在电子设备的设计中,功率MOSFET是至关重要的元件,它对设备的性能和效率有着深远的影响。今天,我们要深入探讨的是ON Semiconductor推出的NVMYS3D8N04CL单N沟道功率MOSFET,看看它有哪些独特的特性和优势。
2025-11-28 14:03:45
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在电子工程领域,功率 MOSFET 作为关键元件,其性能直接影响着各类电子设备的效率和稳定性。今天,我们将深入探讨安森美(onsemi)的 NTMFS3D0N08X 这款 N 沟道功率 MOSFET,剖析其特性、参数及应用场景。
2025-11-28 09:35:55
330 在电子设计领域,MOSFET 作为关键的半导体器件,其性能表现直接影响着整个电路的效率和稳定性。今天,我们就来深入剖析 onsemi 推出的 NVMFS4C306N 单通道 N 沟道 MOSFET,看看它在实际应用中究竟有哪些独特的优势。
2025-11-27 16:29:57
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仁懋电子(MOT)推出的MOT6929G是一款N+N增强型MOSFET,集成两颗N沟道单元,凭借60V耐压、低导通电阻及高电流承载能力,适用于电动工具电机驱动、电动汽车机器人等大功率开关场景。一
2025-11-21 10:24:58
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4N65 TO-252贴片MOS管
2025-11-20 17:59:12
0 有大佬知道N4DDR怎么移植蜂鸟内核吗,或者哪里有教程,或者有哪些论坛有相关资料。请求告知一个途径。
2025-11-10 07:31:22
仁懋电子(MOT)推出的MOT4N70D是一款面向700V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低栅极电荷、快速开关特性及稳定雪崩能力,广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、LED电源等
2025-11-06 16:12:24
298 
仁懋电子(MOT)推出的MOT5N50BD是一款面向500V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借快速开关特性、稳定雪崩能力及500V耐压,广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、LED电源等
2025-11-06 16:05:07
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仁懋电子(MOT)推出的MOT4N65F是一款面向650V高压场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借低导通电阻、高输入阻抗及RoHS合规性,广泛适用于电子镇流器、电子变压器、开关模式电源等领域
2025-11-04 15:59:03
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仁懋电子(MOT)推出的MOT5N50MD是一款面向500V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借快速开关特性、稳定雪崩能力及500V耐压,广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、LED电源等
2025-11-03 15:26:33
298 
仁懋电子(MOT)推出的MOT5N65D是一款面向650V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借高开关速度、稳定雪崩能力及650V耐压特性,广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、LED电源等
2025-10-30 15:37:22
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仁懋电子(MOT)推出的MOT4N65D是一款面向650V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借高开关速度、稳定雪崩能力及650V耐压特性,广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、LED电源等
2025-10-30 14:53:11
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在5G电源、车载逆变器、UPS等高效能电源系统中,工程师常选用IPP045N10N3G、HYG045N10NS1B、STI150N10F7等MOS管作为功率开关器件。
2025-10-29 17:19:20
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仁懋电子(MOT)推出的MOT5N65C是一款面向650V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借高开关速度、稳定雪崩能力及650V耐压特性,广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、LED电源等
2025-10-29 16:43:51
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意法半导体 STL320N4LF8 N沟道STripFET F8功率MOSFET 采用STripFET F8沟槽式MOSFET技术制造而成。 该器件完全符合工业级标准。STL320N4LF8可降低
2025-10-29 15:48:51
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意法半导体STL325N4LF8AG N沟道功率MOSFET采用STripFET F8技术,具有增强型沟槽栅极结构。 STL325N4LF8AG可确保非常低的导通电阻。该器件还降低内部电容和栅极电荷,实现更快、更高效的开关。
2025-10-29 15:34:56
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解析,为工程师的选型与设计提供技术参考。一、产品基本定位与结构设计MOT4913J是一款N+N增强型MOSFET,采用PDFN3X3封装形式,内部集成两个独立的N
2025-10-23 10:50:59
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合科泰HKT系列产品推出新品N沟道增强型MOSFET,采用SGT屏蔽栅技术,其中HKTS80N06采用新款TOLL4封装优化散热,产品均符合RoHS环保标准,以低导通电阻和高电流承载,可适配封闭环境应用,如储能电池包BMS和车载OBC应用。
2025-08-12 16:54:00
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)和氮化硅(Si3N4)。这些材料各具特色,适用于不同的应用场景,下面由深圳金瑞欣小编讲解一下它们性能的详细对比分析。 不同陶瓷材料性能对比如下: 氧化铝(Al2O3) 氧化铝陶瓷凭借其产量高、成本低以及性能良好等显著优势,长期以来一直是
2025-07-10 17:53:03
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电子发烧友网为你提供()5 GHz,802.11n/ac 前端模块相关产品参数、数据手册,更有5 GHz,802.11n/ac 前端模块的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料,5 GHz
2025-06-05 18:29:59

ADuM160N / [ADuM161N]/ [ADuM162N]/ [ADuM163N]均为采用ADI公司iCoupler®技术的6通道数字隔离器。这些隔离器件将高速、互补金属氧化物半导体
2025-06-03 15:42:37
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ADuM150N/[ADuM151N]/[ADuM152N]^1^ 是基于 ADI 公司 **i**Coupler^®^ 技术的 5 通道数字隔离器。这些隔离元件集高速、互补金属氧化物半导体
2025-06-03 14:49:50
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ADuM250N/[ADuM251N]/[ADuM252N]均为采用ADI公司iCoupler®技术的5通道数字隔离器。这些隔离器件将高速、互补金属氧化物半导体(CMOS)与单芯片空芯变压器技术
2025-06-03 10:54:47
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ADuM360N/ADuM362N 是基于 6 通道数字隔离器的 基于 Analog Devices, Inc. 的 iCoupler^®^ 技术。结合高 速度、互补金属氧化物半导体 (CMOS
2025-05-29 10:02:06
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电子发烧友网为你提供()Sky5® 5G NR n77 分集接收模块相关产品参数、数据手册,更有Sky5® 5G NR n77 分集接收模块的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料,Sky5
2025-05-15 18:34:59

电子发烧友网为你提供()Sky5® 5G NR n77/78 分集接收模块相关产品参数、数据手册,更有Sky5® 5G NR n77/78 分集接收模块的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料
2025-05-07 18:30:25

2N7002KDW 是一款采用 SOT363封装 的双N沟道MOSFET,集成了ESD保护功能,兼具低导通电阻(RDS(ON))与高耐压(60V)特性。其超小封装和低阈值电压(VTH=1.6V)使其成为便携式设备、信号开关和ESD敏感电路的理想选择。
2025-04-29 18:14:34
0 球形氧化铝在新能源汽车电池系统中主要应用于热界面材料(TIM)和导热胶/灌封胶,具体包括以下场景:
电池模组散热:作为导热填料,用于电池模组与散热板之间的界面材料,降低热阻,提升散热
2025-04-02 11:09:01
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2025-03-24 18:56:15

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2025-03-24 18:52:21

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2025-03-24 18:41:59

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2025-03-24 18:41:33

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2025-03-24 18:40:57

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2025-03-24 18:40:47

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2025-03-24 18:40:10

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2025-03-21 18:31:18

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2025-03-20 18:54:50

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2025-03-20 18:51:32

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2025-03-20 18:50:55

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2025-03-20 18:45:03

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2025-03-20 18:44:12

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2025-03-20 18:38:18

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2025-03-20 18:36:20

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2025-03-20 18:35:42

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2025-03-19 18:50:43

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2025-03-19 18:49:48

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2025-03-19 18:49:06

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2025-03-19 18:42:53

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2025-03-19 18:35:33

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2025-03-19 18:34:08

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2025-03-19 18:33:13

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2025-03-19 18:32:58

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2025-03-19 18:31:27

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2025-03-19 18:30:22

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2025-03-19 18:29:59

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2025-03-18 19:02:17

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2025-03-18 19:00:47

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2025-03-18 18:59:01

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2025-03-18 18:58:37

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2025-03-18 18:56:17

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2025-03-18 18:53:52

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2025-03-18 18:52:52

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2025-03-18 18:51:27

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2025-03-18 18:50:29

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2025-03-18 18:48:49

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2025-03-18 18:47:13

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2025-03-18 18:44:09

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2025-03-18 18:43:23

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2025-03-18 18:42:23

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2025-03-18 18:41:23

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2025-03-18 18:39:47

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2025-03-18 18:39:26

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2025-03-18 18:38:48

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2025-03-18 18:35:49

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2025-03-18 18:33:06

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2025-03-18 18:31:49

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2025-03-18 18:30:10

(甲基乙烯基硅氧烷)提供柔韧性和绝缘性。2. 导热填料: 氧化铝(Al₂O₃):导热系数1~15 W/m·K,占比60%~80%。 氮化硼(BN):导热系数5~30 W/m·K,绝缘性强,用于高端场景
2025-03-11 13:39:49
氧化铝陶瓷基板,以三氧化二铝为主体材料,具备多种优良性能,包括良好的导热性、绝缘性、耐压性、高强度、耐高温、耐热冲击性和化学稳定性。根据纯度,该基板可分为90瓷、96瓷、99瓷等不同型号,且存在白色
2025-02-27 15:34:25
770 氧化铝(Al₂O₃)作为陶瓷印刷电路板(PCB)的核心材料,凭借其出色的热电性能及在多变环境下的高度稳定性,在行业内得到了广泛应用。氧化铝陶瓷基板,主要由高密度、高熔点及高沸点的白色无定形粉末构成
2025-02-24 11:59:57
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电子发烧友网为你提供Panasonic(Panasonic)MHMF012L1D4M-MINAS A6N系列 介绍相关产品参数、数据手册,更有MHMF012L1D4M-MINAS A6N系列 介绍
2025-02-21 19:20:00

电子发烧友网为你提供Panasonic(Panasonic)MHMF012L1D4-MINAS A6N系列 介绍相关产品参数、数据手册,更有MHMF012L1D4-MINAS A6N系列 介绍的引脚
2025-02-21 19:02:10

),JL701N支持LE AUDIO及LC3编解码
2.高集成度,外围精简
3.内置触摸:高度成熟久经市场验证,支持滑动触摸,支持电容式入耳检测
4.加强抗干扰性能:复杂电磁环境下大幅缓解卡顿情况
5.ANC主动
2025-02-13 10:36:03
近日,关于OPPO Find N5的爆料信息不断涌现,让我们对这款即将于2月发布的折叠屏手机充满期待。 从性能上看,OPPO Find N5将是全球首款搭载全新一代高通骁龙8至尊版的折叠旗舰,其
2025-01-23 09:57:46
1094 本文聚焦一氧化二氮(N₂O,俗称笑气)。自然环境中,土壤微生物活动及海洋浮游生物等产生 N₂O ,海洋释放量约占全球自然源排放总量三分之一。但因农业、化石燃料燃烧等人类活动排放,N₂O 成为第三大
2025-01-22 14:45:03
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特瑞仕半导体株式会社(日本东京都中央区 董事总经理:木村 岳史,以下简称“特瑞仕”)开发了功率MOSFET XPJ101N04N8R和XPJ102N09N8R作为功率器件的新系列。
2025-01-13 16:50:45
1361 电子发烧友网为你提供Panasonic(Panasonic)MHMF092L1C4M-MINAS A6N系列 介绍相关产品参数、数据手册,更有MHMF092L1C4M-MINAS A6N系列 介绍
2025-01-10 18:53:10

电子发烧友网为你提供Panasonic(Panasonic)MHMF092L1C4-MINAS A6N系列 介绍相关产品参数、数据手册,更有MHMF092L1C4-MINAS A6N系列 介绍的引脚
2025-01-09 19:04:07

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