特瑞仕推出功率MOSFET XPJ101N04N8R和XPJ102N09N8R

特瑞仕半导体株式会社(日本东京都中央区 董事总经理：木村 岳史，以下简称“特瑞仕”)开发了功率MOSFET XPJ101N04N8R和XPJ102N09N8R作为功率器件的新系列。

近年来，工业设备和汽车相关设备对低功耗、小型化和高效化的需求不断增加。为了响应这些市场需求，特瑞仕不断加强MOSFET技术。特别是针对工业设备、数据中心和服务器使用的48V直流电机，采用了支持耐压100V的设计，兼具高性能与高性价比。

XPJ101N04N8R实现了最大4.4mΩ的导通电阻，而XPJ102N09N8R实现了最大9.4mΩ的导通电阻。这种低导通电阻能够有效降低能量损失，有助于提高整个系统的效率。该产品拥有出色的FOM(Figure of Merit)，非常适合需要高速切换特性的应用。可用于直流电机、开关电路等多种应用场景。

产品采用DFN5060-8L封装(6.0 x 4.9 x h1.1mm)，有助于设备的小型化。此外，这些产品符合欧盟RoHS指令，并为无铅环保产品。

产品名	封装	VDSS	ID(A)	RDS(ON)(MAX.)
XPJ101N04N8R	DFN5060-8L	100	122	4.4mΩ
XPJ102N09N8R	DFN5060-8L	100	59	9.4mΩ

关于特瑞仕半导体株式会社

特瑞仕半导体株式会社(总公司：东京、东证第一部: 6616)从 1995年设立以来，作为国内唯一的模拟电源IC的专业厂家，以「Powerfully Small」为产品制造追求的目标，提供增加客户产品的附加值的世界最小级的高效率模拟电源IC以及可以加快客户产品开发的电源设计方案。

特瑞仕的产品以国内为首，通过海外6家分公司7处销售点销往世界各地，被广泛用于工业机器，汽车用品，通信，电脑产品，穿戴电子等市场。