车工业级SiC肖特基二极管选型需遵循“参数匹配、可靠性优先、成本可控”原则，根据OBC功率等级、电压平台及工作环境，优先选择通过车规认证、热性能优异、适配高频工况的产品。
2025-12-24 13:25:30
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MBRD30150CT TO-252肖特基二极管
2025-12-03 16:50:28
0 MBRD30100CT TO-252肖特基二极管
2025-12-03 16:47:300 MBRD3060CT TO-252肖特基二极管
2025-12-03 16:46:140 MBRD3045CT TO-252肖特基二极管
2025-12-02 16:51:500 在电力电子领域，不断追求更高的效率、更快的开关速度和更小的系统尺寸，碳化硅（SiC）肖特基二极管正逐渐成为新一代功率半导体的首选。今天，我们将深入探讨 onsemi 的 NDSH20120CDN 碳化硅肖特基二极管，了解其特点、性能参数以及应用场景。
2025-12-01 16:01:54189 
在电力电子领域，碳化硅（SiC）肖特基二极管正凭借其卓越性能逐渐成为主流。今天我要和大家分享安森美（onsemi）的一款碳化硅肖特基二极管——NDSH20120C - F155，深入探讨它的特性、参数和应用。
2025-12-01 15:55:06207 
MBRD30200CT TO-252肖特基二极管
2025-11-28 16:15:100 MBRD20200CT TO-252肖特基二极管
2025-11-28 16:13:540 在当今电子设备不断追求高性能、高可靠性和小型化的时代，功率半导体器件的性能提升至关重要。碳化硅（SiC）肖特基二极管作为新一代功率半导体，凭借其卓越的性能，正逐渐成为众多应用领域的首选。今天，我们就来深入探讨 onsemi 的 NDSH40120C-F155 SiC 肖特基二极管。
2025-11-28 14:15:39205 MBRD20150CT TO-252肖特基二极管
2025-11-27 18:04:570 MBRD20100CT TO-252肖特基二极管
2025-11-27 17:58:331 MBRD10200CT TO-252肖特基二极管
2025-11-27 17:52:310 MBRD10100CT TO-252肖特基二极管
2025-11-27 17:49:410 在电子工程师的日常设计工作中，选择合适的二极管至关重要。今天就来和大家深入探讨一下NSR30CM3这款双共阴极肖特基势垒二极管，看看它在各类应用中能带来怎样的表现。
2025-11-27 11:29:41317 
MBRD2060CT TO-252肖特基二极管
2025-11-26 17:28:010 MBRD2045CT TO-252肖特基二极管
2025-11-26 17:25:260 MBRD1060CT TO-252肖特基二极管
2025-11-26 17:19:160 MBRD1045CT TO-252肖特基二极管
2025-11-26 17:17:310 在电子电路设计中，肖特基二极管作为高频、低功耗应用的理想选择，其选型至关重要。德昌推出的SOD-123封装肖特基二极管系列，凭借其低正向压降、快速反向恢复时间和高可靠性，广泛应用于电源管理、高频
2025-11-25 16:55:43689 
SB1545L TO-277肖特基二极管，电流：15A 45V
2025-11-03 16:10:470 SB10200 TO-277肖特基二极管，电流：10A 200V
2025-11-03 16:08:371 SB10150 TO-277肖特基二极管，电流：10A 150V
2025-11-03 16:01:580 SB10100L TO-277肖特基二极管，电流：10A 100V
2025-11-01 17:42:350 SB1060L TO-277肖特基二极管，电流：10A 60V
2025-11-01 17:13:170 SS5200F SMAF肖特基二极管，电流：5A 200V
2025-11-01 17:12:010 SS5150F SMAF肖特基二极管，电流：5A 150V
2025-11-01 17:10:240 SS510F SMAF肖特基二极管，电流：5A 100V
2025-11-01 16:41:400 SS56F SMAF肖特基二极管，电流：5A 60V
2025-11-01 16:32:030 SS54F SMAF肖特基二极管，电流：5A 40V
2025-11-01 16:25:040 SS3200F SMAF肖特基二极管，电流：3A 200V
2025-11-01 16:24:220 SS3150F SMAF肖特基二极管，电流：3A 150V
2025-11-01 16:23:460 SS310F SMAF肖特基二极管，电流：3A 100V
2025-11-01 16:22:410 SS36F SMAF肖特基二极管，电流：3A 60V
2025-11-01 16:18:170 SS34F SMAF肖特基二极管，电流：3A 40V
2025-11-01 16:17:420 SS2200F SMAF肖特基二极管，电流：2A 200V
2025-10-31 17:54:380 SS2150F SMAF肖特基二极管，电流：2A 150V
2025-10-31 17:50:180 SS210F SMAF肖特基二极管，电流：2A 100V
2025-10-31 17:36:361 SS26F SMAF肖特基二极管，电流：2A 60V
2025-10-31 17:23:470 SS24F SMAF肖特基二极管，电流：2A 40V
2025-10-31 17:03:170 SS1200F SMAF肖特基二极管，电流：1A 200V
2025-10-31 16:32:100 SS1150F SMAF肖特基二极管，电流：1A 150V
2025-10-31 16:28:390 SS110F SMAF肖特基二极管，电流：1A 100V
2025-10-31 15:38:420 SS16F SMAF肖特基二极管，电流：1A 60V
2025-10-31 15:36:470 SS14F SMAF肖特基二极管，电流：1A 40V
2025-10-30 18:07:040 SS12F SMAF肖特基二极管，电流：1A 20V
2025-10-30 17:55:030 SS5200 SMA/DO-214AC肖特基二极管，电流：5A 200V
2025-10-29 16:50:490 SS5150 SMA/DO-214AC肖特基二极管，电流：5A 150V
2025-10-29 16:47:550 SS510 SMA/DO-214AC肖特基二极管，电流：5A 100V
2025-10-29 16:45:590 SS56 SMA/DO-214AC肖特基二极管，电流：5A 60V
2025-10-28 18:00:190 SS54 SMA/DO-214AC肖特基二极管，电流：5A 40V
2025-10-28 17:52:220 SS52 SMA/DO-214AC肖特基二极管，电流：5A 20V
2025-10-28 17:49:040 SS3200 SMA/DO-214AC肖特基二极管，电流：3A 200V
2025-10-28 17:22:260 SS3150 SMA/DO-214AC肖特基二极管，电流：3A 150V
2025-10-28 16:51:540 SS36 SMA/DO-214AC肖特基二极管，电流：3A 60V
2025-10-28 16:46:280 SS310 SMA/DO-214AC肖特基二极管，电流：3A 100V
2025-10-28 16:44:420 SS34 SMA/DO-214AC肖特基二极管，电流：3A 40V
2025-10-28 16:43:510 SS32 SMA/DO-214AC肖特基二极管，电流：2A 20V
2025-10-28 16:41:370 SS2200 SMA/DO-214AC肖特基二极管，电流：2A 200V
2025-10-28 16:39:230 SS2150 SMA/DO-214AC肖特基二极管，电流：2A 150V
2025-10-24 18:21:440 SS210 SMA/DO-214AC肖特基二极管，电流：2A 100V
2025-10-24 16:03:250 SS28 SMA/DO-214AC肖特基二极管，电流:2A 80V
2025-10-23 18:09:270 SS26 SMA/DO-214AC肖特基二极管，电流2A 60V
2025-10-23 17:36:070 SS24 SMA/DO-214AC肖特基二极管，电流：2A 40V
2025-10-23 17:29:070 SS22 SMA/DO-214AC肖特基二极管，电流：2A 20V
2025-10-23 17:28:180 想问下，二级差分电路的电阻该怎么配置呢？
2025-10-16 15:05:37
IEC 61643-11及我国GB/T 18802.1-2011标准，SPD分为： Ⅰ级（B级）：用于建筑物总配电柜，防直击雷及大能量冲击； Ⅱ级（C级）：用于楼层或分配电柜，防雷电感应、电磁脉冲及开关操作过电压； Ⅲ级（D级）：用于终端设备前的细保护。 二级浪涌保护器正是Ⅱ级SPD，主要吸收残余
2025-09-28 14:40:41518 
在高压功率电子领域，硅基氮化镓（GaN-on-Si）肖特基势垒二极管（SBD）因其优异的性能与成本优势展现出巨大潜力。然而，Si与GaN材料之间严重的晶格失配导致外延层中存在高密度缺陷
2025-09-26 16:48:581017 
SB320 - SB3100肖特基二极管规格书资料
2025-09-23 15:10:440 肖特基二极管与普通硅二极管（PN结二极管）最核心的结构差异，就在于它没有P+外延层（或P型半导体层），取而代之的是金属-半导体结（肖特基结）。 图表1 肖特基二极管的结构差异 1.更低的正向压降
2025-09-22 16:40:132422 
MBRF10200CT肖特基二极管规格书资料
2025-09-18 17:29:270 由此可知，肖特基二极管和整流二极管是互补的二极管。肖特基凭借其超低正向压降和超快开关速度在低压、高频、高效率领域占据主导地位。整流二极管则凭借其高反向电压、低反向漏电流和低成本在高压和工频整流应用中
2025-08-22 17:14:101542 
深圳市三佛科技有限公司介绍PFR20200CTF肖特基二极管相关特性：
PFR20200CTF为PFC推出的LOW VF肖特基二极管，PFR20200CTF可以满足充电器，电源，小家电等需要大电流
2025-08-20 14:53:50
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2025-07-18 18:34:59
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2025-07-17 18:31:22
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2025-07-17 18:30:54
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2025-07-17 18:29:59
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2025-07-15 18:33:03
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2025-07-15 18:32:18
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2025-07-14 18:33:30
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2025-07-14 18:33:02
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2025-07-11 18:30:46
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2025-07-10 18:29:59
AUKOM 一级课程通过系统的分析测量误差，即工件、环境、测量机、操作人员、测量策略，五个方面分析误差因子，保证策量结果的准确性。 AUKOM 二级课程是在AUKOM 一级的基础上，更深入的展开
2025-06-03 14:26:562083 
在现代电子电路中，肖特基二极管凭借其独特的物理特性，成为高频、低压场景的核心器件。这类二极管核心结构为金属 - 半导体结(肖特基结)，以“快、省、稳”三大核心优势，广泛应用于开关电源、新能源汽车
2025-05-20 10:48:571085 当代所有的集成电路芯片都是由PN结或肖特基势垒结所构成：双极结型晶体管（BJT）包含两个背靠背的PN 结，MOSFET也是如此。结型场效应晶体管（JFET） 垂直于沟道方向有一个 PN结，隧道穿透
2025-05-16 17:32:071122 
在电子电路的二极管家族中，肖特基二极管犹如一位“短跑健将”，凭借独特的物理结构和电气特性，在高频整流、快速开关等场景中占据不可替代的地位。与传统硅基PN结二极管不同，它通过“金属-半导体结”（肖特基
2025-05-15 15:36:421824 二级浪涌防雷电路设计
2025-05-12 15:31:411753 
肖特基二极管是一种由金属与半导体接触形成的势垒层为基础制成的二极管，也可称为肖特基势垒二极管，属于金属半导体结型二极管。作为一种低功耗、超高速半导体器件，其主要特点是正向导通压降小、反向恢复时间短和开关损耗小，因此广泛应用在变频器、开关电源、模块电源、驱动电路等场合。
2025-05-06 17:45:471830 
在高温环境下，肖特基二极管（SchottkyDiode）以其低正向压降和快速开关特性被广泛应用于电源管理、电机驱动及新能源系统中。然而，由于其PN结被金属-半导体接触结构取代，其温度特性与普通PN结
2025-04-17 12:39:51635 
实验名称：雪崩光电二级管电致发光辐射特性的研究 测试目的：雪崩光电二极管是一种高速、高灵敏的二极管。相比于通常的光电倍增管，APD具有高量子效率、高稳定性，对于外部环境具有很强的适应性。因此APD在
2025-04-17 11:41:45547 
的器件成为工程师的重要决策点。1.工作原理对比✅肖特基二极管（SchottkyDiode）采用金属-半导体结（MS结）结构，载流子为多数载流子（电子）。具有低正向压
2025-04-01 09:46:011667 
MDD整流二极管是电力电子和信号处理电路中的重要器件，其核心工作原理依赖于PN结的整流特性。PN结是由P型半导体和N型半导体构成的基本结构，通过其单向导电性，实现交流到直流的转换。MDD本文将深入
2025-03-21 09:36:461410 
在电力电子和开关电源设计中，快恢复二极管和肖特基二极管是两类高频应用中的核心器件。尽管两者均用于整流和开关场景，但其工作原理、性能特点及适用场景存在显著差异。一、结构差异快恢复二极管（FRD）结构
2025-02-24 15:37:561812 中的未来前景。 如今，电源管理设计工程师常常会问道： 现在应该从硅基功率开关转向GaN开关了吗？ 氮化镓(GaN)技术相比传统硅基 MOSFET 有许多优势。GaN 是宽带隙半导体，可以让功率开关在高温下工作并实现高功率密度。这种材料的击穿电压较高
2025-02-11 13:44:551177 
SiC（碳化硅）肖特基二极管正逐步取代传统的FRD（快恢复二极管），成为新一代电力电子设备的核心元件。本文将深入探讨这一趋势背后的原因，并探究BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二极管在性能、效率和应用方面的优势。 BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二极管
2025-02-06 11:51:051085 
肖特基二极管(Schottky diode)， 肖特基二极管的物理结构基于金属- N 型半导体结，因而具有很低的正向压降和极快的开关速度。
2025-01-24 15:54:441148 
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