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电子发烧友网 > 制造/封装 > 业界新闻

台积电官宣3nm正式量产,五年产出1.5万亿美元

台积电声称,基于3nm的N3工艺将实现60%至70%的逻辑密度提升,15%的性能提升,同时比5nm的N5功耗降低30%至35%,并支持新的FINFLEX架构。

2023-01-03 标签:amd3nm 3678

2022中国(深圳)集成电路峰会在深圳坪山 第二天论坛热烈...

由深圳市人民政府、中国半导体行业协会集成电路设计分会、“核高基”国家科技重大专项总体专家组主办,深圳市半导体行业协会社会承办的以“创芯强链,双驱发展”为主题的“2022中国(深圳)集成电路峰会”(以下简称:ICS2022峰会),于2022年12月30日在深圳坪山格兰云天国际酒店继续第二天多场行业论坛。

2023-01-01 标签:华为西门子eda铨兴科技 3505

2022中国(深圳)集成电路峰会圆满落下帷幕

“2022中国(深圳)集成电路峰会”(简称ICS2022峰会)于12月29日和30日成功举办高峰论坛和全球存储器行业创新论坛二个主论坛,以及六场专题论坛,包括集成电路设计创新论坛、芯火平台产教融合创新发展论坛、半导体供应链发展论坛、集成电路产业融合论坛、珞珈聚芯协同创新论坛和国微 EDA 生态建设论坛。专业观众与行业专家和行业领导可广泛讨论了技术、产品、市场、投资、产学研商合作、国际环境对策、人才战略和务实的技术创新路线。

2023-01-01 标签:芯片eda深圳半导体 1686

台积电3nm和5nm同期良率相当,3nm将大量生产

“3nm和5nm同期良率相当,也已经客户共同开发新产品并大量生产。”相较于5nm技术,3nm密度增加60%,相同速度下功耗降低30%-35%,台积电指出:“这是世界上最先进的技术。”

2022-12-30 标签:台积电3nm 2105

2022中国(深圳)集成电路峰会在深圳坪山隆重召开

2022中国(深圳)集成电路峰会在深圳坪山隆重召开...

2022-12-30 标签:集成电路存储器intel中芯深圳君正时代 1412

2022 中国(深圳)集成电路峰会隆重召开

2022 中国(深圳)集成电路峰会隆重召开...

2022-12-29 标签:集成电路中芯国际eda华大九天 1227

关于系统级封装 (SiP) 技术发展趋势的愿景

日月光的系统级封装概念贯穿其广泛的 IC 产品,包括高性能计算 (HPC) 芯片、射频 (RF) 通信模块、封装天线 (AiP) 模块、MEMS、引线键合和倒装芯片(FC) 包装。

2022-12-23 标签:SiP系统级封装 1623

关于智能制造发展的五个阶段

工业革命逐渐解放制造人力。制造本质上是从“原材料”到“产品”的过程,内容可以简化为工艺设计、工艺参数、过程控制、执行四个步骤。

2022-12-21 标签:智能制造 1910

沉浮二十载,晶圆制造背后的重要支撑

在半导体CIM领域,绝大部分12英寸晶圆厂系统都被美国科技巨头IBM和美国半导体设备巨头应用材料所垄断,这两家企业就占有了全球80%以上的市场份额。IBM更是凭借着其强悍的“know-how”能力,始终保持着领先地位。

2022-12-21 标签:半导体制造晶圆制造 1259

三星计划在2027年将成熟制程产能提高2.5倍

为了在与台积电的竞争中夺回优势,三星晶圆代工部门还在强化定制化程度较高的特殊制程,计划在2024年将特殊制程节点的数量增加至10个及以上。

2022-12-20 标签:台积电晶圆 698

光刻机到底比原子弹难在哪?

因为这两年卡脖子问题十分突出,越来越多的普通中国人都知道了光刻机这个东西。但听过光刻机这个词,不代表真正了解它。

2022-12-20 标签:光刻机 6355

国产光刻机能否拯救中国半导体行业?

这次美荷谈判的重点就是193nm ArF dry 光刻机,如果这类型设备也不能卖,对asml来说那差距将达到一百台,40亿美金左右的销售额。

2022-12-16 标签:芯片半导体芯片制造光刻机半导体行业 2440

台积电公布3nm工艺真实数据 只比5nm高出5%

对比N5工艺,N3功耗可降低约25-30%,性能可提升10-15%,晶体管密度提升约70%。

2022-12-15 标签:台积电摩尔定律5nm3nm 4345

美国尝试将大陆芯片产业“孤立”?

荷兰ASML光刻机对于半导体、对于中国半导体的重要性都不言而喻,所以美国早早就要求用于7nm及以下线宽先进工艺的EUV产品,对华禁售。而最近,美国又在“怂恿”荷兰,对并不那么先进的DUV也限制出口中国。

2022-12-15 标签:DRAM芯片制造ASML 593

日本携手IBM一起强攻2纳米芯片

IBM周二宣布,该公司正在与日本政府支持的新成立的芯片制造商Rapidus合作,以帮助其制造目前最先进的芯片。

2022-12-14 标签:IBM2nm 1261

ST与Soitec合作开发碳化硅衬底制造技术

双方同意对Soitec技术进行产前验证, 以面向未来的8寸碳化硅衬底制造 提供关键半导体赋能技术,支持汽车电动化和工业系统能效提升等转型目标 意法半导体(简称ST)和世界先驱的创新半导体材料设计制造公司Soitec 宣布了下一阶段的碳化硅 (SiC)衬底合作计划,由意法半导体在今后18个月内完成对Soitec碳化硅衬底技术的产前认证测试。此次合作的目标是意法半导体采用 Soitec 的 SmartSiC 技术制造未来的8寸碳化硅衬底,促进公司的碳化硅器件和模块制造业务,

2022-12-08 标签:ST意法半导体衬底碳化硅SOITEC 1227

紫光国微压电晶体业务板块获认国家企业技术中心

近日,由国家发展改革委牵头开展认定的第29批国家企业技术中心名单公示完毕,国内压电晶体领域龙头企业唐山国芯晶源成功入选。   国家企业技术中心由国家发展改革委牵头开展国家认定与评价,是指企业根据市场竞争需要设立的技术研发与创新机构,其负责制定企业技术创新规划、开展产业技术研发、创造运用知识产权、建立技术标准体系、凝聚培养创新人才、构建协同创新网络、推进技术创新全过程实施。   压电晶体作为各类电子产品中必不可

2022-12-07 标签:压电晶体 995

英特尔已大规模生产7纳米芯片 4纳米芯片准备中 并将导入3纳...

英特尔已大规模生产7纳米芯片 4纳米半芯片准备中 并将导入3纳米 英特尔期望能够在2030年前成长为全球第二大晶圆代工厂,为了能够实现这个预期目标,英特尔将投资800亿美元在美国和德国建设新的芯片工厂和投入更多研发资金。 英特尔目前正在大力促进芯片生产;现在已经在大规模生产7纳米芯片,而且已经在积极准备开始制造4纳米芯片,并将于2023年下半年转向3纳米制程。 从公开消息可以看出尽管英特尔下调了2022财年的业绩预期值,但是英特尔依

2022-12-07 标签:芯片英特尔晶圆7nm 3800

阶段性突破!首款基于RISC-V芯片的工业防火墙完成实测!

为实现国家“3060”双碳目标,能源行业在不断加强科技创新的实力。今年4月份国家出台的《“十四五”能源领域科技创新规划》中,明确提出了促进能源产业数字化、智能化升级的重要任务。值得关注的是,在能源行业加速数字化转型的同时,建设全方位的网络和信息安全体系变得尤为重要。 2021年12月6日,RISC-V软硬件生态领导者赛昉科技与城市燃气行业领先企业港华智慧能源、我国工控网络安全领军企业威努特宣布联手打造基于RISC-V“中国芯”的工业

2022-12-07 标签:RISC-V 753

ABB机器人三种焊接工艺实现自动化

ABB机器人需执行电化学电池制造流程中三种不同的焊接工艺:点焊、激光焊和TIG焊接。由于每种焊接工艺的需求大相径庭,但需要通过自动化串接来形成完整的制造流程,该项目难度极高。

2022-12-06 标签:ABB机器人焊接工艺 2301

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