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冠铨光电第一炉4寸LED外延片成功问世
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2513氮化镓外延片工艺介绍 氮化镓外延片的应用
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7546硅基氮化镓外延片是什么 硅基氮化镓外延片工艺
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5313氮化镓外延片的工艺及分类介绍
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4281氮化镓外延片是什么 氮化镓有哪些分类
氮化镓外延片是一种由氮化镓制成的薄片，它可以用于制造电子元件、电子器件和电子零件。氮化镓外延片具有良好的热稳定性和电磁屏蔽性，可以用于制造高精度的零件和组件，如电路板、电子控制器、电子模块、电子接口、电子连接器等。
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5426氮化镓外延片工艺流程介绍 外延片与晶圆的区别
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15328晶能光电将发布全彩Micro LED模组，像素密度1000PPI
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1649兆驰半导体在Micro LED领域多项关键技术上取得突破
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不合格的碳化硅外延片如何再生重利用？
此外，研磨技术的缺点还有统一性不高，多片加工时对外延片的厚度的组合比较苛刻，并且加工效率较低。如果将研磨后的外延片再进行CMP处理，则需要较长的时间才能去除掉损伤层。并且由于衬底的厚度不同，外延的厚度也不同，因此每一片外延片的减薄要求也不同，整体加工效率较低。
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中电科南京外延材料产业基地投产，一期投资19.3亿元
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2023-11-14 15:44:121346
1346半导体的外延片和晶圆的区别？
半导体的外延片和晶圆的区别？ 半导体的外延片和晶圆都是用于制造集成电路的基础材料，它们之间有一些区别和联系。在下面的文章中，我将详细解释这两者之间的差异和相关信息。 首先，让我们来了解一
2023-11-22 17:21:258105
8105乾照光电取得多项LED芯片相关专利
近日，乾照光电取得多项LED芯片相关专利，分别是“一种LED芯片及其制备方法”、“一种垂直结构LED芯片”、“一种LED外延结构“。
2023-12-03 14:11:351939
1939国星光电成功成功点亮1.84英寸Micro LED全彩显示屏
采用国星光电自主研发的巨量转移技术路线，实现＞50多万颗Micro LED芯片高密度集成，R/G/B三色芯片落位精度＜2um，转移良率＞99.9%。此外，国星Micro LED研发平台未来还可支持12寸以内基板上芯片多次拼接键合。
2023-12-08 10:07:36879
879全球首款88英寸P0.5前维护TFT基Micro-LED拼接屏成功点亮
成都辰显光电有限公司在2024年1月16日宣布，成功点亮了全球首款88英寸P0.5 前维护TFT基Micro-LED拼接屏
2024-01-22 11:30:321576
1576普兴电子拟建六寸低密缺陷碳化硅外延片产线
预计该项目投资总额3.5亿元人民币，将引进碳化硅外延设备及辅助设备共计116套。其中包括一条具备24万片年产量的6英寸低密度缺陷碳化硅外延材料产线。
2024-02-29 16:24:011234
1234聚灿光电宣布扩建Mini/Micro LED芯片研发及制造项目
3月6日，聚灿光电发布公告，宣布拟变更“Mini/Micro LED芯片研发及制造扩建项目”的部分募集资金（共计8亿元）用途，用于新项目“年产240万片红黄光外延片、芯片项目”的实施。
2024-03-08 13:58:421890
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辰显光电成功点亮国内首款27英寸TFT基P0.7 Micro-LED拼接箱体
近日，成都辰显光电有限公司成功点亮了国内首款27英寸TFT基P0.7 Micro-LED拼接箱体。
2024-03-18 15:46:411357
1357麦斯克电子年产360万片8英寸硅外延片项目封顶
麦斯克电子近日宣布，其年产360万片8英寸硅外延片的项目已成功封顶。据CEFOC中电四公司透露，该项目的总投资额超过14亿元，建设规模宏大，占地建筑面积超过5万平方米。预计项目建成并投产后，将大幅提升麦斯克电子在硅外延片领域的生产能力，年产量将达到360万片8英寸硅外延片。
2024-05-06 14:58:312197
2197材料认识-硅抛光片和外延片
前言硅片按照产品工艺进行分类，主要可分为硅抛光片、外延片和SOI硅片。上期我们已经介绍SOI硅片，本期关注硅抛光片和外延片。硅抛光片硅抛光片又称硅单晶抛光片，单晶硅锭经过切割、研磨和抛光处理后得到
2024-06-12 08:09:075146
5146
外延片和扩散片的区别是什么
外延片和扩散片都是半导体制造过程中使用的材料。它们的主要区别在于制造过程和应用领域。 制造过程： 外延片是通过在单晶硅片上生长一层或多层半导体材料来制造的。这个过程通常使用化学气相沉积（CVD）或
2024-07-12 09:16:522550
2550ATA-2161高压放大器基于单端接触原理的LED外延片无损检测的应用
实验名称：基于单端接触原理的LED外延片无损检测实验内容：基于单注入模式，使用新型检测系统获取LED外延片的电学参数与光学参数。研究方向：LED外延片检测测试设备：光谱仪、函数信号发生器
2024-10-25 10:29:541235
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8英寸单片高温碳化硅外延生长室结构
随着碳化硅（SiC）材料在电力电子、航空航天、新能源汽车等领域的广泛应用，高质量、大面积的SiC外延生长技术变得尤为重要。8英寸SiC晶圆作为当前及未来一段时间内的主流尺寸，其外延生长室的结构设计
2024-12-31 15:04:18398
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钟罩式热壁碳化硅高温外延片生长装置
一、引言
随着半导体技术的飞速发展，碳化硅（SiC）作为一种具有优异物理和化学性质的材料，在电力电子、微波器件、高温传感器等领域展现出巨大的应用潜力。高质量、大面积的SiC外延片是实现高性能SiC
2025-01-07 15:19:59423
423用于半导体外延片生长的CVD石墨托盘结构
一、引言
在半导体制造业中，外延生长技术扮演着至关重要的角色。化学气相沉积（CVD）作为一种主流的外延生长方法，被广泛应用于制备高质量的外延片。而在CVD外延生长过程中，石墨托盘作为承载和支撑半导体
2025-01-08 15:49:10364
364有效抑制SiC外延片掉落物缺陷生成的方法
引言
碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，因其出色的物理和化学特性，在功率电子、高频通信及高温环境等领域展现出巨大的应用潜力。然而，在SiC外延生长过程中，掉落物缺陷（如颗粒脱落、乳凸等）一
2025-02-10 09:35:39401
401SiC外延片的化学机械清洗方法
引言
碳化硅（SiC）作为一种高性能的半导体材料，因其卓越的物理和化学性质，在电力电子、微波器件、高温传感器等领域展现出巨大的应用潜力。然而，在SiC外延片的制造过程中，表面污染物的存在会严重影响
2025-02-11 14:39:46414
414【新启航】碳化硅外延片 TTV 厚度与生长工艺参数的关联性研究
一、引言
碳化硅外延片作为功率半导体器件的核心材料，其总厚度偏差（TTV）是衡量产品质量的关键指标，直接影响器件的性能与可靠性 。外延片的 TTV 厚度受多种因素影响，其中生长工艺参数起着决定性
2025-09-18 14:44:40645
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上扬软件中标麦斯克电子8英寸外延片工厂项目
近日，上扬软件凭借深厚的行业积淀、领先的技术实力以及众多经市场验证的成功案例，在激烈的竞争中脱颖而出，成功中标麦斯克电子材料股份有限公司（麦斯克电子）8英寸外延片工厂 CIM 系统实施项目。此次合作
2025-10-14 11:50:46683
683强强联合，共赢未来！冠捷科技正式与辰显光电达成战略合作，共绘Micro-LED产业新蓝图！
11月5日上午，冠捷科技集团旗下AOC商显、飞利浦商显与Micro-LED显示领域的知名企业——成都辰显光电有限公司（以下简称“辰显光电”）战略合作签约仪式在上海冠捷大厦成功举行。双方代表齐聚一
2025-11-10 10:58:24382
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外延片氧化清洗流程介绍
外延片氧化清洗流程是半导体制造中的关键环节，旨在去除表面污染物并为后续工艺（如氧化层生长）提供洁净基底。以下是基于行业实践和技术资料的流程解析：一、预处理阶段初步清洗目的：去除外延片表面的大颗粒尘埃
2025-12-08 11:24:01244
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