基于AI的GaN外延片

GaN是一种宽带隙半导体，它允许器件在比硅更高的温度和更高的电压下工作。此外，GaN 更强的介电击穿能力可以构建更小，因此电阻更低的器件。具有较小电容的较小器件是由较低的特性Rds(on)产生的。IVWorks（韩国）利用基于深度学习的人工智能 (AI) 外延技术制造氮化镓 (GaN) 外延片，这是直流功率器件和 5G 通信设备的关键材料，已获得 670 万美元的 B 轮投资.

因此，IVWorks 现在已获得总计 1000 万美元的资金。三星旗下专业投资子公司三星风险投资参与了本轮种子轮后续投资，以及其他新投资者如KB Investment、KDB Bank和Dt & Investment。IVWorks 最近还完成了 1740 万美元的 C 轮融资，因此总融资额为 2740 万美元。

外延GaN晶圆具有高效率和高功率输出的特点，是用于功率和RF（射频）器件的基础材料。它用于IT产品中的快速充电器、电动汽车中的电源转换器、5G基站和国防雷达。

“GaN具有高电子迁移率、高电流密度和高击穿电压特性，使得制造在高频下工作的高效率、高输出功率器件成为可能。与 Si、SiC 和 GaAs 材料相比，它更小、更快，并且具有更高的效率和更高的功率输出。然而，GaN 在自支撑晶圆技术上尚未得到充分发展，与 Si SiC GaAs 不同，因此需要在异质衬底（Si 或 SiC）上进行 GaN 外延生长。虽然 Si 可以以低成本接收大直径晶圆，但与 GaN 的晶格失配和热膨胀系数差异很大，需要一种控制应力和缺陷密度的技术。这些技术的实施给提高生产力带来了困难。与 Si 相比，SiC晶格失配小，热膨胀系数低，容易实现高质量的GaN外延生长。由于 SiC 衬底的高价格，其应用仅限于需要严格热管理的大功率射频设备，”IVWorks 总裁兼首席执行官 Young-Kyun Noh 说。

8英寸硅基氮化镓

氮化镓外延技术

IVWorks利用自有的高效环保外延系统技术和基于人工智能的生产平台，生产用于功率器件的6-8英寸GaN-Si外延片和用于射频器件的4-6英寸GaN-SiC外延片。

“外延工艺是自下而上的纳米技术领域，需要在原子层级精确控制晶体生长。“Domm”系统可以通过在外延生长过程中在原子层级实时监控晶体生长状态并通过机器学习监控数据集来实时控制过程，从而最大限度地提高生产力，”Noh 说。

这些资金是通过新的投资筹集的，预计将用于扩大制造能力和增强基于人工智能的制造平台。近期的市场发展（如苹果、三星、华为等IT产品中使用GaN快速充电器，以及GaN功率器件在电动汽车车载充电器和电源转换器中的扩展）已在本轮融资中有所体现轮，表明公司有兴趣保持差异化的技术专长，并专注于响应市场需求的大规模增长。

6 英寸 GaN on SiC

“这笔资金将用于扩大产能和推进自主开发的基于人工智能的生产平台的开发。GaN外延片产量翻倍（4" GaN on SiC的产能为7800片/月或8" GaN on Si为2100片/月）。新建的Fab应用AI生产平台“Domm”Level 4，展示了“AI生产”阶段。它的目标是在 2023 年在韩国市场（KOSDAQ）上市，并计划利用上市获得的资金建立一个应用 Domm 5 级（AI 制造）的全自动智能工厂，”Noh 说。

据 Noh 介绍，IVWorks si 目前正在生产具有竞争力的 4 英寸 SiC 上 GaN，并已完成 6 英寸原型开发。在 GaN on Si 的情况下，正在生产 8 英寸 GaN on Si。2022 年，12 英寸 GaN on Si 有望发布。

审核编辑 黄昊宇