从产业链角度看，碳化硅包括单晶衬底、外延片、器件设计、器件制造等环节，但目前全球碳化硅市场基本被在国外企业所垄断。
2018-12-06 16:03:56
12188 摘要 本发明提供一种能够提供低位错缺陷的高质量衬底的单晶碳化硅锭，和由此获得的衬底和外延晶片。 它是一种包含单晶碳化硅的单晶碳化硅锭，该单晶碳化硅含有浓度为2X1018 cm-3至6X
2022-02-15 14:55:381638 
本推文主要介碳化硅器件，想要入门碳化硅器件的同学可以学习了解。
2023-11-27 17:48:06643 
碳化硅（SiC）具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性良好等特点，被认为是制作高温、高频、大功率和抗辐射器件极具潜力的宽带隙半导体材料
2020-09-24 16:22:14
，因此碳化硅功率器件有低的结到环境的热阻。 (4)碳化硅器件可工作在高温，碳化硅器件已有工作在600oC的报道，而硅器件的最大工作温度仅为150oC. (5)碳化硅具有很高的抗辐照能力。 (6
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET开关频率到100Hz为什么波形还变差了
2015-06-01 15:38:39
应用，处理此类应用的唯一方法是使用IGBT器件。碳化硅或简称SiC已被证明是一种材料，可以用来构建类似MOSFET的组件，使电路具有比以往IGBT更高的效率。如今，SiC受到了很多关注，不仅因为它
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言，该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量，并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值，对短路行为的动态变化进行深度评估。
2019-08-02 08:44:07
。 功率半导体就是这样。在首度商业化时，碳化硅的创新性和较新的颠覆性技术必然很昂贵，尽管认识到了与硅基产品（如IGBT和Si-MOSFET）相比的潜在优势，大多数工程师还是把它放在了“可有可无”的清单
2023-02-27 14:28:47
应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员！附件是海飞乐技术碳化硅二极管选型表，欢迎大家选购！碳化硅（SiC）半导体材料是自第一代元素半导体材料（Si、Ge）和第二代化合物半导体材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
开关电源输出整流部分如果用碳化硅肖特基二极管可以用实现更高的直流电输出。 2、SiCMOSFET 对于传统的MOSFET，它的导通状态电阻很大，开关损耗很大，额定工作结温低，但是SiCMOSFET
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圆盘压敏电阻 |碳化硅棒和管压敏电阻 | MOV / 氧化锌 （ZnO） 压敏电阻 |带引线的碳化硅压敏电阻 | 硅金属陶瓷复合电阻器 |ZnO 块压敏电阻 关于EAK碳化硅压敏电阻我们
2024-03-08 08:37:49
进一步了解碳化硅器件是如何组成逆变器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我们来聊聊碳化硅器件的特点
2021-03-16 08:00:04
，同比增长15.77%。2020年H1，中国集成电路产业销售额为3539亿元，同比增长16.1%。碳化硅（SiC）的应用碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的典型代表，也是目前制造水平最成熟，应用最广
2021-01-12 11:48:45
大量采用持续稳定的线路板；在引擎室中，由于高温环境和LED 灯源的散热要求，现有的以树脂、金属为基材的电路板不符合使用要求，需要散热性能更好碳化硅电路板，例如斯利通碳化硅基板；在高频传输与无线雷达侦测
2020-12-16 11:31:13
，3.3 kW CCM 图腾柱 PFC 的效率可达到 99% 以上（图 4），其中在双升压 PFC 设计中使用 CoolMOS™ 的最佳效率峰值为 98.85%。而且，尽管碳化硅MOSFET的成本较高
2023-02-23 17:11:32
10.5公斤/平方厘米，高温强度很好。抗弯强度直至1400℃仍不受温度的影响。1500℃时，弹性模量仍有100公斤/平方厘米。上述数据均测自大块材料。4)热膨胀系数较低，导热性好。5)碳化硅导电性较强
2019-07-04 04:20:22
硅与碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不过，自1893 年以来，粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。碳化硅用作研磨剂已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作为现在比较好的材料，为什么应用的领域会受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
，热导率是硅材料的3倍，电子饱和漂移速率是硅的2倍，临界击穿场强更是硅的10倍。材料特性对比如图（1）所示。 图（1） 4H型碳化硅与硅基材料特性对比 在硅基半导体器件性能已经进入瓶颈期时，碳化硅材料
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带（3.26eV）、高临界场（3×106V/cm）和高导热系数（49W/mK）使功率半导体器件效率更高，运行速度更快
2023-02-28 16:34:16
利通碳化硅（SiC）陶瓷线路板的功率器件导通损耗对温度的依存度很小，随温度的变化也很小，这与传统的Si器件也有很大差别。4) 开关速度快SiC的热导系数几乎是Si材料的2.5倍，饱和电子漂移率是Si
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驱动芯片有几款,型号是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50:11
基本半导体推出的1200V 80mΩ的碳化硅MOSFET两种封装的典型产品B1M080120HC（TO-247-3）和B1M080120HK（TO-247-4）为例，从理论上来解释TO-247-4中辅助源
2023-02-27 16:14:19
项目名称：基于碳化硅功率器件的永磁同步电机先进驱动技术研究试用计划：申请理由：碳化硅作为最典型的宽禁带半导体材料，近年来被越来越广泛地用于高频高温的工作场合。为了提高永磁同步电机伺服控制系统的性能
2020-04-21 16:04:04
，4H-SiC是500，而氮化镓是900，效率非常高。另外，碳化硅具有2.8 MV/cm的绝缘失效电场强度，以及3.3 MV/cm的氮化镓。通常，在低频工作时，其功率损耗是绝缘失效电场的3倍，而在高频时则是2
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的结构是如何构成的？
2021-06-18 08:32:43
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
大功率适配器为了减小对电网的干扰，都会采用PFC电路、使用氮化镓的充电器，基本也离不开碳化硅二极管，第三代半导体材料几乎都是同时出现，强强联手避免短板。创能动力推出的碳化硅二极管
2023-02-22 15:27:51
本文重点介绍赛米控碳化硅在功率模块中的性能，特别是SEMITRANS 3模块和SEMITOP E2无基板模块。 分立器件（如 TO-247）是将碳化硅集成到各种应用中的第一步，但对于更强大和更
2023-02-20 16:29:54
附件：嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
国产碳化硅MOS基于车载OBC与充电桩新技术：1 车载电源OBC与最新发展2 双向OBC关键技术3 11kW全SiC双向OBC电路4 OBC与车载DC/DC集成二合一5 车载DC/DC转换电源电路比较6 充电桩电源电路
2022-06-20 16:31:07
的效率也会更高。当客户选择碳化硅MOSFET为主开关管后，通常也会愿意多花额外的成本将工频整流二极管D3和D4换成普通的低导通电阻（Rdson）的硅-MOSFET ［B1］ ，降低整流器件的导通损耗
2023-02-28 16:48:24
员要求的更低的寄生参数满足开关电源（SMPS）的设计要求。650V碳化硅场效应管器件在推出之后，可以补充之前只有1200V碳化硅场效应器件设计需求，碳化硅场效应管（SiC MOSFET）由于能够实现硅
2023-03-14 14:05:02
桥电路，提高可靠性；由于拓扑简化，采用硅基650V MOSFET的方案在每个开通时刻有两颗MOSFET同时导通，所以实际等效导通损耗会比采用全桥拓扑的1000V碳化硅MOSFET要大；低寄生电容如输入
2016-08-05 14:32:43
了第一代和第二代产品的优点，采用JBS结构，优化了N-外延层的掺杂浓度，减薄N+衬底层，使得二极管具有更低的正向导通压降VF和结电荷QC，可以降低应用端的导通损耗和开关损耗。 图（1）碳化硅二极管
2023-02-28 17:13:35
对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET设计一个双向降压-升压转换器
2021-02-22 07:32:40
采用沟槽型、低导通电阻碳化硅MOSFET芯片的半桥功率模块系列 产品型号 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽车级全碳化硅半桥MOSFET模块Pcore2
2023-02-27 11:55:35
摘要： 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了新的挑战
2023-02-22 16:06:08
新型材料铝碳化硅解决了封装中的散热问题，解决各行业遇到的各种芯片散热问题，如果你有类似的困惑，欢迎前来探讨，铝碳化硅做封装材料的优势它有高导热，高刚度，高耐磨，低膨胀，低密度，低成本，适合各种产品的IGBT。我西安明科微电子材料有限公司的赵昕。欢迎大家有问题及时交流，谢谢各位！
2016-10-19 10:45:41
管子开关影响。 2）低传输延迟 通常情况下，硅IGBT的应用开关频率小于40kHZ，碳化硅MOSFET推荐应用开关频率大于100kHz，应用频率的提高使得碳化硅MOSFET要求驱动器提供更低的信号
2023-02-27 16:03:36
面向电动汽车的全新碳化硅功率模块 碳化硅在电动汽车应用中代表着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能，特别是在800 V 电池系统和大电池容量中，它可提高逆变器的效率，从而延长续航里程或降低电池成本
2021-03-27 19:40:16
LED衬底目前主要是蓝宝石、碳化硅、硅衬底三种。大多数都采用蓝宝石衬底技术。碳化硅是科锐的专利，只有科锐一家使用，成本等核心数据不得而知。硅衬底成本低，但目前技术还不完善。 从LED成本上来看，用
2012-03-15 10:20:43
一、什么是碳化硅碳化硅（SiC）又叫金刚砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食盐等原料通过电阻炉高温冶炼而成，其实碳化硅很久以前就被发现了，它的特点是：化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅，采用的是ICP系列设备，刻蚀气体使用的是SF6+O2，碳化硅上面没有做任何掩膜，就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
黑碳化硅基础知识
黑碳化硅是以石英砂,石油焦为主要原料,通过电阻炉高温冶炼而成
黑碳化硅是以石英砂，石油焦为主要原料，通过电阻
2009-11-17 09:37:27757 碳化硅(SiC)基地知识
碳化硅又称金钢砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料
2009-11-17 09:41:491241 碳化硅市场，X—Fab、日本罗姆等企业早些时候也相继宣布将扩大碳化硅产能，碳化硅产业海外重要玩家已开始备战。从产业链角度看，碳化硅包括单晶衬底、外延片、器件设计、器件制造等环节，但目前全球碳化硅市场基本被在国外企业所垄断。
2018-12-06 16:08:00138137 碳化硅外延领域捷报连连！ 我国碳化硅产业或迎来史诗级利好 进入2021年以来，在碳化硅外延领域，国内外企业纷纷捷报连连。 2021年3月1日，日本丰田通商株式会社正式宣布成功开发出一种表面纳米
2021-05-07 14:43:0012101 
随着下游新能源汽车、充电桩、光伏、5G基站等领域的爆发，引爆了对第三代半导体——碳化硅材料衬底、外延与器件方面的巨大市场需求，国内众多企业纷纷通过加强技术研发与资本投入布局碳化硅产业，今天我们首先
2021-07-29 11:01:184375 前言 碳化硅产业链包含碳化硅粉末、碳化硅晶锭、碳化硅衬底、碳化硅外延、碳化硅晶圆、碳化硅芯片和碳化硅器件封装环节。其中衬底、外延片、晶圆、器件封测是碳化硅价值链中最为关键的四个环节，衬底成本占到
2021-08-16 10:46:405267 基本半导体是国内比较早涉及第三代半导体碳化硅功率器件研发的企业，率先推出了碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET等器件，为业界熟知，并得到广泛应用。在11月27日举行的2021基本创新日活动
2021-11-29 14:54:087839 
来源：中国电子报 日前，国际碳化硅大厂安森美宣布，其在捷克Roznov扩建的碳化硅工厂落成，未来两年内产能将逐步提升。另一家碳化硅大厂Wolfspeed也表示将在美国北卡罗来纳州建造一座价值数十
2022-10-08 17:02:25873 前言：碳化硅产业链包含碳化硅粉末、碳化硅晶锭、碳化硅衬底、碳化硅外延、碳化硅晶圆、碳化硅芯片和碳化硅器件封装环节。其中衬底、外延片、晶圆、器件封测是碳化硅价值链中最为关键的四个环节，衬底成本占到
2023-01-05 11:23:191191 希科半导体（苏州）有限公司宣布碳化硅外延片投产。据悉，该产品通过了行业权威企业欧陆埃文思材料科技（上海）有限公司和宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室的双重检测，具备媲美国际大厂碳化硅外延片的品质，解决了国外产品的卡脖子问题，为我国碳化硅行业创下了一个新纪录。
2023-01-13 10:54:281006 碳化硅原理是什么 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物
2023-02-02 14:50:021981 碳化硅的电阻率。碳化硅的电阻率随温度的变化而改变，但在一定的温度范围内与金属的电阻温度特性相反。碳化硅的电阻率与温度的关系更为复杂。碳化硅的导电率随温度升高到一定值时出现峰值，继续升高温度，导电率又会下降。
2023-02-03 09:31:234410 碳化硅作为宽禁带半导体的代表性材料之一，其材料本征特性与硅材料相比具有诸多优势。以现阶段最适合用于做功率半导体的4H型碳化硅材料为例，其禁带宽度是硅材料的3倍，热导率是硅材料的3倍，电子饱和漂移速率是硅的2倍，临界击穿场强更是硅的10倍。
2023-02-03 14:40:411859 
碳化硅技术壁垒分析：碳化硅技术壁垒是什么 碳化硅技术壁垒有哪些 碳化硅芯片不仅是一个新风口，也是一个很大的挑战，那么我们来碳化硅技术壁垒分析下碳化硅技术壁垒是什么？碳化硅技术壁垒
2023-02-03 15:25:163637 
碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:352998 碳化硅产业链分为衬底材料制备、外延层生长、器件制造以及下游应用。通常采用物理气相传输法（PVT法）制备碳化硅单晶，再在衬底上使用化学气相沉积法（CVD法）等生成外延片，最后制成相关器件。在SiC器件的产业链中，由于衬底制造工艺难度大，产业链价值量主要集中于上游衬底环节。
2023-02-03 16:30:133954 由于碳化硅材料的带隙很宽（4H型碳化硅在室温下约为3.26eV），碳化硅器件能够在很高的温度下工作而不至于因为本征载流子激发导致器件性能失效。碳化硅材料在发生雪崩击穿前所能够忍受的极限电场是硅材料和砷化镓（GaAs）的5~20倍12。这一高极限电场可以用来制造高压、大功率器件。
2023-02-09 09:47:59387 
碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20 年来随着外延设备和工艺技术水平不断 提升,外延膜生长速率和品质逐步提高,碳化硅在新能源汽车、光伏产业、高压输配线和智能电站
2023-02-16 10:50:096936 投建，我国初步形成了从衬底、外延片到器件、模块较为完整的产品供应链。 但记者在采访中了解到，国内碳化硅功率器件行业还呈现“小”“散”特征，未来五年将是整合期，车规级碳化硅功率器件与国外公司还有较大差距。此外，碳
2023-02-21 09:26:45
2 晶锭进过晶圆切磨抛就变成碳化硅二极管和碳化硅MOSFET的晶片的碳化硅衬底；再经过外延生长就变成碳化硅外延片，也就是雏形的芯片。碳化硅外延片经过光刻、刻蚀、离子注入、CVD、PVD背面减薄、退火变成碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 
碳化硅产业链主要包括衬底、外延、器件设计、制造、封测等环节。上游是衬底和外延、中游是器件和模块制造，下游是终端应用。
2023-03-22 15:38:521335 按照电学性能的不同，碳化硅材料制成的器件分为导电型碳化硅功率器件和半绝缘型碳化硅射频器件，两种类型碳化硅器件的终端应用领域不同。导电型碳化硅功率器件是通过在低电阻率的导电型衬底上生长碳化硅外延层后进一步加工制成
2023-04-21 14:14:372437 希科半导体的外延片产品主要用于制造MOSFET、JBS、SBD等碳化硅（SiC）电力电子器件。公司创始核心团队拥有15年以上的规模量产经验，凭借业内最先进的高品质量产工艺和最先进的测试设备，为客户提供低缺陷率和高均匀性要求的6寸导电型碳化硅外延晶片。
2023-05-17 09:47:00638 
碳化硅功率模组有哪些 碳化硅功率器件系列研报深受众多专业读者喜爱，本期为番外篇，前五期主要介绍了碳化硅功率器件产业链的上中下游，本篇将深入了解碳化硅功率器件的应用市场，以及未来的发展趋势，感谢各位
2023-05-31 09:43:20390 碳化硅二极管是什么 碳化硅二极管是一种半导体器件，它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐压能力和高的温度耐受性，因此碳化硅二极管具有较低的反向漏电流、高温下稳定性良好、响应速度快等特点，广泛用于高功率、高频率、高温、高压等领域，如电源、变频器、太阳能、电动汽车等。
2023-06-02 14:10:32747 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一种新型的功率半导体器件，其中"MOSFET"表示金属氧化物半导体场效应晶体管，"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151182 来源：碳化硅芯观察对于碳化硅MOSFET(SiCMOSFET)而言，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础，高性能的碳化硅器件
2023-04-07 11:16:201221 
碳化硅产业链主要分为衬底、外延、器件和应用四大环节，衬底与外延占据 70%的碳 化硅器件成本。根据中商产业研究院数据，碳化硅器件的成本构成中，衬底、外延、前段、 研发费用和其他分别占比为 47%，23%，19%，6%，5%，衬底+外延合计约 70%
2023-06-26 11:30:56733 
长达 10 年的供应协议要求 Wolfspeed 自 2025 年向瑞萨电子供应规模化生产的 150mm 碳化硅裸晶圆和外延片，这将强化公司致力于从硅向碳化硅半导体功率器件产业转型的愿景。
2023-07-06 10:36:37277 众所周知，对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础，高性能的碳化硅器件对于器件的设计和制造工艺有着极高的要求，
2023-07-10 10:49:09713 
当前，全球碳化硅产业格局呈现美、欧、日三足鼎立态势，碳化硅材料七成以上来自美国公司，欧洲拥有完整的碳化硅衬底、外延、器件以及应用产业链，日本则在碳化硅芯片、模块和应用开发方面占据领先优势。
2023-08-15 10:07:41260 
业内人士预测，今年将成为8英寸碳化硅器件的元年。国际功率半导体巨头Wolfspeed和意法半导体等公司正在加速推进8英寸碳化硅技术。在国内市场方面，碳化硅设备、衬底和外延领域也有突破性进展，多家行业龙头选择与国际功率半导体巨头合作。
2023-10-24 17:11:21970 碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一种硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻断电压能力和低比导通电阻。
2023-12-12 09:47:33456 
碳化硅衬底有诸多缺陷无法直接加工，需要在其上经过外延工艺生长出特定单晶薄膜才能制作芯片晶圆，这层薄膜便是外延层。几乎所有的碳化硅器件均在外延材料上实现，高质量的碳化硅同质外延材料是碳化硅器件研制的基础，外延材料的性能直接决定了碳化硅器件性能的实现。
2023-12-15 09:45:53607 
导电型碳化硅功率器件主要是通过在导电型衬底上生长碳化硅外延层，得到碳化硅外延片后进一步加工制成，品种包括SBD（肖特基二极管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）、IGBT（绝缘栅双极性晶体管）等，主要用于电动汽车、光伏、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。
2023-12-27 10:08:56306 
证监会近日公告显示，深圳市纳设智能装备股份有限公司（简称“纳设智能”）已正式开启首次公开发行股票并上市的辅导备案程序。该公司专注于第三代半导体碳化硅（SiC）外延设备以及石墨烯等先进材料的研发、生产、销售和应用推广，是国产碳化硅外延设备的领军企业。
2024-02-26 17:28:02487 预计该项目投资总额3.5亿元人民币，将引进碳化硅外延设备及辅助设备共计116套。其中包括一条具备24万片年产量的6英寸低密度缺陷碳化硅外延材料产线。
2024-02-29 16:24:01218 聚焦碳化硅衬底片和碳化硅外延设备两大业务。公司已掌握行业领先的8英寸碳化硅衬底技术和工艺，量产晶片的核心位错达到行业领先水平。
2024-03-22 09:39:2974
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