晶能光电将发布全彩Micro LED模组，像素密度1000PPI
近日，央视《焦点访谈》栏目播出《强强联合 补短“锻”长》，聚焦国家石墨烯创新中心、国家虚拟现实创新中心和国家超高清视频创新中心三大国家级创新中心。晶能光电作为国家虚拟现实创新中心的组建单位之一，接受了央视采访。
晶能光电介绍，公司利用自主创新的硅衬底GaN基LED技术，承担硅衬底Micro LED的关键共性技术开发，为虚拟现实硬件——AR眼镜提供高性能的Micro LED光源产品，助力超小轻薄AR眼镜面市。
据悉，出于对硅衬底GaN基Micro LED在AR/VR产业应用前景的看好，晶能光电早在2018年便开始硅衬底Micro LED的研发工作，并取得不少突破。
2020年，晶能光电推出8英寸硅衬底InGaN红光外延技术，目前仍在持续研发以提升InGaN红光光效；2021年9月，晶能光电成功制备像素点间距为25微米、像素密度为1000PPI的硅衬底InGaN红、绿、蓝三基色Micro LED阵列。目前，像素点间距这一重要技术指标已缩至8微米。
晶能光电展示的硅衬底GaN基RGB Micro LED阵列（图片来源：晶能光电）
据透露，晶能光电带驱动的三基色Micro LED显示模组将于今年晚些时候发布。随着Micro LED技术及成本优势的放大，有望加速其在大屏、近眼显示、车载等领域的大规模商用。
审核编辑 ：李倩
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