Veeco 公司今日宣布和ALLOS Semiconductors （ALLOS）达成了一项战略举措，展示了200mm硅基氮化镓晶圆用于蓝/绿光micro-LED的生产。维易科和ALLOS合作将其
2018-02-26 10:24:10
10634 半导体市场的发展。氮化镓和硅的制造工艺非常相似，12英寸氮化镓技术发展的一大优势是可以利用现有的12英寸硅晶圆制造设备。全面规模化量产12英寸氮化镓生产将有助于氮化镓
2024-10-25 11:25:362336 
12月30日消息 根据中欣晶圆官方的消息，中欣晶圆12英寸第一枚外延片正式下线，成为国内首家独立完成12英寸单晶、抛光到外延研发、生产的企业。
2020-12-31 10:57:314702 有市场消息传出，台积电正扩大采购买氮化镓相关半导体设备，6英寸厂内相关产能将翻倍。
2021-02-24 10:01:333687 近日北京赛微电子股份有限公司发布了关于与青州市人民政府签署《合作协议》的公告。公告中显示赛微电子拟在青州经济开发区发起投资10亿元分期建设聚能国际6-8英寸硅基氮化镓功率器件半导体制造项目，总
2021-04-04 08:39:006568 2021年6月5日，英诺赛科（苏州）半导体有限公司在苏州汾湖高新区举办量产暨研发楼奠基仪式。英诺赛科成立于2015年，是全球领先的硅基氮化镓IDM企业，致力于8英寸GaN电力电子器件的研发与生产，在
2021-06-08 07:31:007004 电子发烧友网报道（文/梁浩斌）提升芯片产能的最显著方式，就是扩大晶圆尺寸，就像硅晶圆从6英寸到8英寸再到如今的12英寸。虽然在12英寸之后，继续扩大晶圆尺寸仍面临很多问题，不过对于比如碳化硅、氮化镓
2024-09-23 07:53:007413 
的12英寸单片式碳化硅外延生长设备顺利交付瀚天天成。 相较于目前主流的6英寸碳化硅外延晶片及仍处于产业化推进阶段的8英寸晶片，12英寸晶片凭借直径的大幅增加，在相同生产流程下单片可承载的芯片数量显著提升分别为6英寸晶片的4.4倍和8英寸晶片
2025-12-28 09:55:37809 我国科学家成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片。我国氧化镓领域研究连续取得突破日前，西安邮电大学新型半导体器件与材料重点实验室的陈海峰教授团队成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片
2023-03-15 11:09:59
(86) ，因此在正常体温下，它会在人的手中融化。
又过了65年，氮化镓首次被人工合成。直到20世纪60年代，制造氮化镓单晶薄膜的技术才得以出现。作为一种化合物，氮化镓的熔点超过1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
充电器6、AUKEY傲基27W氮化镓充电器7、AUKEY傲基61W氮化镓充电器8、AUKEY傲基65W氮化镓充电器9、AUKEY傲基100W氮化镓充电器10、amc 65W氮化镓充电器11、Aohai奥海
2020-03-18 22:34:23
是什么氮化镓（GaN）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器方面，主要是集成氮化镓MOS管，可适配小型变压器和高功率器件，充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
时间。
更加环保：由于裸片尺寸小、制造工艺步骤少和功能集成，氮化镓功率芯片制造时的二氧化碳排放量，比硅器件的充电器解决方案低10倍。在较高的装配水平上，基于氮化镓的充电器，从制造和运输环节产生的碳足迹，只有硅器件充电器的一半。
2023-06-15 15:32:41
。氮化镓的性能优势曾经一度因高成本而被抵消。最近，氮化镓凭借在硅基氮化镓技术、供应链优化、器件封装技术以及制造效率方面的突出进步成功脱颖而出，成为大多数射频应用中可替代砷化镓和 LDMOS 的最具成本
2017-08-15 17:47:34
)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。 与LDMOS相比，硅基氮化镓的性能优势已牢固确立——它可提供超过70%的功率效率，将每单位面积的功率提高4到6倍，并且可扩展至高频率。同时，综合测试
2018-08-17 09:49:42
。
与硅芯片相比：
1、氮化镓芯片的功率损耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸为硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解决方案更便宜
然而，虽然 GaN 似乎是一个更好的选择，但它
2023-08-21 17:06:18
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
2019-09-02 07:16:34
内的波长标准偏差标准为1.3nm，波长范围为4nm微米。硅衬底氮化镓基LED外延片的翘曲度很小，2英寸硅衬底LED大多数在4-5微米左右，6英寸在10微米以下。 2英寸硅衬底大功率LED量产硅4545
2014-01-24 16:08:55
不同，MACOM氮化镓工艺的衬底采用硅基。硅基氮化镓器件具备了氮化镓工艺能量密度高、可靠性高等优点，Wafer可以做的很大，目前在8英寸，未来可以做到10英寸、12英寸，整个晶圆的长度可以拉长至2米
2017-08-29 11:21:41
功率氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势，并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机
2018-11-05 09:51:35
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 编辑
整合意法半导体的制造规模、供货安全保障和电涌耐受能力与MACOM的硅上氮化镓射频功率技术，瞄准主流消费
2018-02-12 15:11:38
可以做得更大，成长周期更短。MACOM现在已经在用8英寸晶圆生产氮化镓器件，与很多仍然用4英寸设备生产碳化硅基氮化镓的厂商不同。MACOM的氮化镓技术用途广泛，在雷达、军事通信、无线和有线宽带方面都有
2017-09-04 15:02:41
以及能耗成本上的差别。碳化硅基氮化镓的高昂的成本，极大限制了其在商业基站成为主流应用的前景。相比之下，一个8英寸硅晶圆厂几周的产能便可满足 MACOM氮化镓用于整个射频和微波行业一年的需求。MACOM
2017-08-30 10:51:37
的射频器件越来越多，即便集成化仍然很难控制智能手机的成本。这跟功能机时代不同，我们可以将成本做到很低，在全球市场都能够保证低价。但如果到了5G时代，需要的器件越来越多，价格越来越高。半导体材料硅基氮化镓
2017-07-18 16:38:20
的设计和集成度，已经被证明可以成为充当下一代功率半导体，其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计，如果全球采用硅芯片器件的数据中心，都升级为使用氮化镓功率芯片器件，那全球的数据中心将减少30-40
2023-06-15 15:47:44
的电压，其漏极漂移区为10-20μm，或大约40-80V/μm。这大大高于硅20V/μm的理论极限。然而，氮化镓器件目前仍然远远低于约300V/µm的禁带宽度极限，这为未来的优化和改进，留下了巨大的空间
2023-06-15 15:53:16
2寸的芯片，现在已经能制造4寸了。业内普遍认为，要大规模生产功率半导体，至少需要6英寸以上的芯片，因此目前还不能大规模生产。此外，上述用于小型 AC转换器的氮化镓功率半导体使用以下的晶片，其最大尺寸为
2023-02-23 15:46:22
eMode硅基氮化镓技术，创造了专有的AllGaN™工艺设计套件（PDK），以实现集成氮化镓 FET、氮化镓驱动器，逻辑和保护功能于单芯片中。该芯片被封装到行业标准的、低寄生电感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
镓具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，氮化镓充电器的充电器件运行速度，比传统硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化镓相比传统的硅，可以在更小的器件空间内处理更大的电场，同时提供更快的开关速度。此外，氮化镓比硅基半导体器件，可以在更高的温度下工作。
2023-06-15 15:41:16
氮化镓也处于这一阶段，成本将会随着市场需求量加速、大规模生产、工艺制程革新等，而走向平民化，而最终的市场也将会取代传统的硅基功率器件。8英寸硅基氮化镓的商用化量产，可以大幅降低成本。第三代半导体的普及
2019-07-08 04:20:32
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
{:11:}手头有个900V，1600W的开关电源，电压一直升不上去。到底是哪的问题，查不出来。有哪位大神介绍点斩波升压这方面的资料。
2013-01-17 09:32:42
功率/高频射频晶体管和发光二极管。2010年，第一款增强型氮化镓晶体管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后随即推出氮化镓功率集成电路- 将GaN FET、氮化镓基驱动电路和电路保护集成为单个器件
2023-06-25 14:17:47
各位大神，目前国内卖铟镓砷红外探测器的有不少，知道铟镓砷等III-V族化合物外延片都是哪些公司生产的吗，坐等答案
2013-06-04 17:22:07
氮化镓单晶材料生长难度非常大，苏州纳维的2英寸氮化镓名列第一。真正的实现了“中国造”的氮化镓衬底晶片。氮化物半导体的产业发展非常快，同样也是氮化物半导体产业发展不可或缺的要素。
2018-01-30 13:48:018710 法国阿斯克新城和德国德累斯顿 - 2018 年 2 月 1 日 - 来自电子、微电子及纳米技术研究院 （IEMN） 的最新结果显示，ALLOS 即将推出的适用于 1200 V 器件的硅基氮化镓外延片产品具有超过 1400 V 的纵向和横向击穿电压。
2018-02-26 10:17:426459 
氮化镓外延片产品技术。两家公司最近合作的宗旨是，在为全球范围内多家杰出的消费类电子产品公司生产外延片的同时，展示ALLOS 200 mm硅基氮化镓外延片产品技术在Veeco Propel™ MOCVD反应器上的可复制性。
2018-11-10 10:18:181790 与传统的金属氧化物（LDMOS）半导体相比，硅基氮化镓的性能优势十分明显——提供的有效功率可超过70%，每个单位面积的功率提升了4~6倍数，从而降低整体功耗，并且很重要的是能够扩展至高频率应用。同时
2018-11-10 11:29:249761 Veeco Instruments Inc. (Nasdaq: VECO) 与 ALLOS Semiconductors GmbH 10日宣布取得又一阶段的合作成果，双方共同努力，致力于为Micro LED生产应用提供业内领先的硅基氮化镓外延片产品技术。
2018-11-15 14:53:494130 近日，北京耐威科技股份有限公司（以下简称“耐威科技”）发布公告称，其控股子公司聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司（以下简称“聚能晶源”）成功研制“8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延晶圆”，聚
2018-12-20 14:45:207537 耐威科技表示，本次“8 英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延晶圆”的研制成功，使得聚能晶源成为截至目前公司已知全球范围内领先的可提供具备长时可靠性的 8 英寸 GaN 外延晶圆的生产企业，且在
2018-12-20 15:21:176874 的产品采购、资料下载、技术支持等服务内容均可由世强元件电商支持。 英诺赛科的主要产品包括30V-650V氮化镓功率器件与5G射频器件。特别值得一提的是，英诺赛科拥有全球首条8英寸硅基氮化镓外延与芯片量产生产线，这条产品线的的通线投产，不仅填补了我国第
2019-01-16 18:16:01894 据悉，原先计划在2019年第二季度开始生产用于硅基传感器芯片的6英寸外延片的鼎元光电，由于工厂建设延迟，将于2019年第三季度开始试产，并将在2020年量产。
2019-06-26 15:24:021882 司拥有国际先进的德国爱思强MOCVD外延炉及外延表征设备、6英寸化合物半导体芯片生产线、晶圆在片检测系统、可靠性测试系统和应用开发系统。在电力电子领域，公司已实现6英寸650伏硅基氮化镓外延片的量产，并发布了比肩世界先进水平的650伏硅基氮化镓功率器件产品。
2019-08-28 15:00:3317963 威科技从投建8英寸氮化镓（GaN）外延材料项目到正式投产，仅用了15个月，进展之快，让业界对这家新晋半导体公司的实力有了新的认识。
2019-09-11 16:33:127850 近日，为了解决晶片尺寸不匹配的问题并应对 microLED 生产产量方面的挑战，ALLOS 应用其独特的应变工程技术，展示了 200 mm 硅基氮化镓 （GaN-on-Si） 外延片的出色一致性和可重复性。此外，公司还报告了其 300 mm 外延片的成功发展蓝图。
2020-04-08 16:53:125033 
近年来，对 GaN 功率和 RF 器件的各种应用越来越多广泛，GaN 基产品的需求不断增长，总部位于新加坡的 IGSS GaN Pte Ltd（IGaN）指出其公司积极开发硅 / 碳化硅基氮化镓外延
2020-10-30 01:16:44915 近日，为了解决晶片尺寸不匹配的问题并应对 microLED 生产产量方面的挑战，ALLOS 应用其独特的应变工程技术，展示了 200 mm 硅基氮化镓 （GaN－on－Si） 外延片的出色一致性和可重复性
2020-12-24 10:20:302566 根据中欣晶圆官方的消息，中欣晶圆12英寸第一枚外延片正式下线，成为国内首家独立完成12英寸单晶、抛光到外延研发、生产的企业。 官方表示，12月28日杭州中欣晶圆迎来了具有历史意义的一天：在12英寸
2020-12-31 09:44:145522 目前世界500强正威集团计划投资53亿，在阳逻建设硅基8-12英寸SOI半导体材料项目，投产后将实现年产70万片8英寸SOI晶圆片和30万片12英寸SOI晶圆片。
2022-01-23 09:56:331905 两款900V FET均属于常闭型器件，通过更低的栅极电荷、更快的切换速度和更小的反向恢复电荷，提供更高的效率，明显超越传统硅 (Si) 器件，具有显著优势。
2022-09-16 15:42:021628 芯采购设备并开始在8英寸产线实现硅基氮化镓量产。与传统GaN-on-SiC等技术路线相比，硅基氮化镓选用的衬底成本与可及性有显著优势，GaN外延生长缺陷也显著降低。
2022-10-21 15:33:231691 氮化镓前景怎么样 氮化镓产业概述 1、产业地位 随着半导体化合物持续发展，相较第一代硅基半导体和第二代砷化镓等半导体，第三代半导体具有高击穿电场、高热导率、高电子迁移率、高工作温度等优点。以SiC
2023-02-03 14:31:181407 氮化镓是目前全球最快功率开关器件之一，氮化镓本身是第三代的半导体材料，许多特性都比传统硅基半导体更强。
2023-02-05 12:48:1527978 氮化镓外延片生长工艺较为复杂，多采用两步生长法，需经过高温烘烤、缓冲层生长、重结晶、退火处理等流程。两步生长法通过控制温度，以防止氮化镓外延片因晶格失配或应力而产生翘曲，为目前全球氮化镓外延片主流制备方法。
2023-02-05 14:50:007537 硅基氮化镓技术是一种将氮化镓器件直接生长在传统硅基衬底上的制造工艺。在这个过程中，由于氮化镓薄膜直接生长在硅衬底上，可以利用现有硅基半导体制造基础设施实现低成本、大批量的氮化镓器件产品的生产。
2023-02-06 15:47:337273 
硅基氮化镓作为第三代化合物半导体材料，主要应用于功率器件，凭借更小体积、更高效率对传统硅材料进行替代。预计中短期内硅基氮 化镓将在手机快充充电器市场快速渗透，长期在基站、服务器、新能源汽车等诸多场景也将具有一定的增长潜力。
2023-02-06 16:44:274965 硅基氮化镓是一个正在走向成熟的颠覆性半导体技术，硅基氮化镓技术是一种将氮化镓器件直接生长在传统硅基衬底上的制造工艺。在这个过程中，由于氮化镓薄膜直接生长在硅衬底上，可以利用现有硅基半导体制造基础设施实现低成本、大批量的氮化镓器件产品的生产。
2023-02-06 16:44:264975 
氮化镓外延片指采用外延方法，使单晶衬底上生长一层或多层氮化镓薄膜而制成的产品。近年来，在国家政策支持下，我国氮化镓外延片行业规模不断扩大。
2023-02-06 17:14:355312 在过去几年中，氮化镓（GaN）在半导体技术中显示出巨大的潜力，适用于各种高功率应用。与硅基半导体器件相比，氮化镓是一种物理上坚硬且稳定的宽带隙（WBG）半导体，具有快速的开关速度，更高的击穿强度和高导热性。
2023-02-09 18:04:021141 硅基氮化镓技术是一种将氮化镓器件直接生长在传统硅基衬底上的制造工艺。在这个过程中，由于氮化镓薄膜直接生长在硅衬底上，可以利用现有硅基半导体制造基础设施实现低成本、大批量的氮化镓器件产品的生产。
2023-02-10 10:43:342743 
在这种情况下，氮化镓因其卓越的射频性能而成为5G mMIMO无线电的领先大功率射频功率放大器技术。然而，目前的实现方式成本过高。与硅基技术相比，氮化镓生长在昂贵的III/V族SiC晶圆上，采用昂贵
2023-02-10 10:48:501674 
氮化镓根据衬底不同可分为硅基氮化镓和碳化硅基氮化镓：碳化硅基氮化镓射频器件具有高导热性能和大功率射频输出优势，适用于5G基站、卫星、雷达等领域；硅基氮化镓功率器件主要应用于电力电子器件领域。虽然
2023-02-10 10:52:524733 
硅基氮化镓外延生长是在硅片上经过各种气体反应在硅片上层积几层氮化镓外延层，为中间产物。氮化镓功率器件是把特定电路所需的各种电子组件及线路，缩小并制作在极小面积上的一种电子产品。氮化镓功率器件制造主要
2023-02-11 11:31:4213770 
硅基氮化镓是一种具有较大禁带宽度的半导体，属于所谓宽禁带半导体之列。
2023-02-12 13:52:271619 在半导体层面上，硅基氮化镓的主流商业化为提高射频性能敞开了大门，其中包括增加功率放大器的功率密度，以及缩小器件尺寸并最终节省系统空间。
2023-02-12 14:00:151261 硅基氮化镓是第三代半导体化合材料，有着能量密度高、可靠性高的优点，能够代替很多传统的硅材料，晶圆可以做得很大，晶圆的长度可以拉长至2米。 硅基氮化镓器件具有击穿电压高、导通电阻低、开关速度快、零
2023-02-12 14:30:283190 硅基氮化镓作为第三代化合物半导体材料，主要应用于功率器件，可有效缩小功率器件体积，提高功率器件效率，对传统硅材料功率器 件进行替代。
2023-02-12 17:05:08997 硅上氮化镓具有广泛的未来应用，扩展了当前的HEMT功能，将功率水平提高到1kW以上。该技术可帮助设计人员提高工作电压，并将频率响应从Ka波段推入E波段、W波段和太赫兹空间。本文由香港科技大学电子及计算机科技系的一组研究人员提出。
2023-02-12 17:20:08735 硅基氮化镓（GaN-on-silicon）LED始终备受世人的关注。在最近十年的初期，当 Bridgelux（普瑞光电）公司宣布该技术可减低 LED 照明的成本时，它一举成为了头条新闻。LED 芯片
2023-02-12 17:28:001623 由于同质外延结构带来的晶格匹配和热匹配，自支撑氮化镓衬底在提升氮化镓基器件性能方面有着巨大潜力，如发光二极管，激光二极管，功率器件和射频器件等。相比异质衬底外延， 基于自支撑氮化镓晶圆片的同质外延可能是大多氮化镓基器件的绝佳选择。
2023-02-14 09:18:101513 
氮化镓外延片是一种由氮化镓制成的薄片，它可以用于制造电子元件、电子器件和电子零件。氮化镓外延片具有良好的热稳定性和电磁屏蔽性，可以用于制造高精度的零件和组件，如电路板、电子控制器、电子模块、电子接口、电子连接器等。
2023-02-14 14:05:415426 硅基氮化镓技术是一种新型的氮化镓外延片技术，它可以提高外延片的热稳定性和抗拉强度，从而提高外延片的性能。
2023-02-14 14:19:012596 硅基氮化镓功率器件是一种新型的功率器件，它可以提高功率器件的热稳定性和抗拉强度，从而提高功率器件的性能。它主要用于电子、光学、电力、航空航天等领域。
2023-02-14 14:28:092240 硅基氮化镓衬底是一种新型的衬底，它可以提高衬底的热稳定性和抗拉强度，从而提高衬底的性能。它主要用于电子、光学、电力、航空航天等领域。
2023-02-14 14:36:082354 硅基氮化镓技术原理是指利用硅和氮化镓的特性，将其结合在一起，形成一种新的复合材料，以满足电子元件、电子器件和电子零件的制造要求。硅基氮化镓具有良好的热稳定性和电磁屏蔽性，可以用于制造电子元件、电子器件和电子零件，而氮化镓则可以提供良好的电子性能和绝缘性能。
2023-02-14 14:46:582277 硅基氮化镓是一种新型复合材料，它是由硅和氮化镓结合而成的，具有良好的热稳定性和电磁屏蔽性和抗拉强度，可以用于制造功率器件和衬底，如电子元件、电子器件和电子零件等。它具有低温制备、低成本、低污染等优点，可以满足不同应用领域的需求。
2023-02-14 15:14:171894 硅基氮化镓是一种由硅和氮化镓组成的复合材料，它具有良好的热稳定性和电磁屏蔽性，可以用于制造电子元件、电子器件和电子零件。此外，硅基氮化镓还可以用于制造高精度的零件和组件，如电路板、电子控制器、电子模块、电子接口、电子连接器等。
2023-02-14 15:26:103578 硅基氮化镓充电器是一种利用硅基氮化镓材料作为电池正极材料的充电器，具有高功率密度、高安全性和高可靠性等优点。
2023-02-14 15:41:074636 硅基氮化镓和蓝宝石基氮化镓都是氮化镓材料，但它们之间存在一些差异。硅基氮化镓具有良好的电子性能，可以用于制造电子元件，而蓝宝石基氮化镓具有良好的热稳定性，可以用于制造热敏元件。此外，硅基氮化镓的成本更低，而蓝宝石基氮化镓的成本更高。
2023-02-14 15:57:152751 氮化镓（GaN）是一种非常坚硬且在机械方面非常稳定的宽带隙半导体材料。由于具有更高的击穿强度、更快的开关速度，更高的热导率和更低的导通电
阻，氮化镓基功率器件明显比硅基器件更优越。
氮化镓晶体
2023-02-15 16:19:06
0 氮化镓外延片工艺是一种用于制备氮化镓外延片的工艺，主要包括表面清洗、氮化处理、清洗处理、干燥处理和检测处理等步骤。
2023-02-20 15:50:3215328 （GaN）产品。PI之前有650V硅器件，后来发布的氮化镓器件是750V，现在把氮化镓产品扩展到900V，以满足汽车、家电及工业类应用的需求。
2023-03-24 10:28:281524 近日，晶能光电发布12英寸硅衬底InGaN基红、绿、蓝全系列三基色Micro LED外延技术成果。
2023-09-01 14:07:442195 氮化镓芯片是目前世界上速度最快的电源开关器件之一。氮化镓本身就是第三代材料，很多特性都强于传统的硅基半导体。
2023-09-11 17:17:534150 GaN 技术持续为国防和电信市场提供性能和效率。目前射频市场应用以碳化硅基氮化镓器件为主。虽然硅基氮化镓（GaN-on-Si）目前不会威胁到碳化硅基氮化镓的主导地位，但它的出现将影响供应链，并可能塑造未来的电信技术。
2023-09-14 10:22:362157 
从产能来看，湖南三安现有SiC产能15,000片/月，较2022年底新增3,000片/月，提升25%；GaN-on-Si（硅基氮化镓）产能2,000片/月。其6英寸碳化硅衬底已通过数家国际大客户验证，并实现批量出货，且2023年、2024年供应已基本锁定。
2023-09-14 11:14:542322 氮化镓功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延结构的不同，本文通过深入对比氮化镓HEMT与硅基MOS管的外延结构
2023-09-19 14:50:3410640 
2023年11月10日，温州芯生代科技有限公司在2023世界青年科学家峰会上隆重发布了面向高电压大电流HEMT功率器件应用的850V Cynthus®系列硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延产品。行业客户、知名投资机构争相了解合作。
2023-11-14 10:32:081630 
氮化镓芯片是什么？氮化镓芯片优缺点 氮化镓芯片和硅芯片区别 氮化镓芯片是一种用氮化镓物质制造的芯片，它被广泛应用于高功率和高频率应用领域，如通信、雷达、卫星通信、微波射频等领域。与传统的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:3011008 氮化镓芯片和硅芯片是两种不同材料制成的半导体芯片，它们在性能、应用领域和制备工艺等方面都有明显的差异。本文将从多个方面详细比较氮化镓芯片和硅芯片的特点和差异。 首先，从材料属性上来看，氮化镓芯片采用
2024-01-10 10:08:143855 硅基氮化镓（SiGaN）集成电路芯片是一种新型的半导体材料，具有广阔的应用前景。它将硅基材料与氮化镓材料结合在一起，利用其优势来加速集成电路发展的速度。本文将介绍硅基氮化镓集成电路芯片的背景、特点
2024-01-10 10:14:582335 近日，广东致能科技团队与西安电子科技大学广州研究院/广州第三代半导体创新中心郝跃院士、张进成教授团队等等合作攻关，通过采用广东致能科技有限公司的薄缓冲层AlGaN / GaN外延片，基于广州第三代半导体创新中心中试平台，成功在6英寸蓝宝石衬底上实现了1700V GaN HEMTs器件。
2024-01-25 10:17:242253 
4月23日，在比利时新鲁汶的爱因斯坦高科技园区，晶湛半导体和 Incize 达成了一份战略合作备忘录，双方将在硅基氮化镓外延技术的建模、仿真和测试方面进行深入的战略合作。
2024-05-06 10:35:41967 
麦斯克电子近日宣布，其年产360万片8英寸硅外延片的项目已成功封顶。据CEFOC中电四公司透露，该项目的总投资额超过14亿元，建设规模宏大，占地建筑面积超过5万平方米。预计项目建成并投产后，将大幅提升麦斯克电子在硅外延片领域的生产能力，年产量将达到360万片8英寸硅外延片。
2024-05-06 14:58:312194 江苏昕感科技在半导体芯片制造领域又迈出了重要的一步。由该公司投资建设的6英寸硅基半导体芯片项目，预计将在今年年底全面通线，年产能将达到100万片6英寸硅基半导体芯片。这一项目的成功实施，将进一步巩固昕感科技在功率半导体领域的领先地位。
2024-06-26 10:49:133204 1月8日消息，日本丰田合成株式会社（Toyoda Gosei Co., Ltd.）宣布，成功开发出了用于垂直晶体管的 200mm（8英寸）氮化镓 （GaN）单晶晶圆。 据介绍，与使用采用硅基GaN
2025-01-09 18:18:221358 中的性能差异源于材料物理特性，具体优劣势如下： 1. GaN（氮化镓）功放芯片 优势： 功率密度高：GaN 的击穿电场强度（3.3 MV/cm）是硅的 10 倍以上，相同面积下可承受更高电压（600V+）和电流，功率密度可达硅基的 3-5 倍（如 100W 功率下，GaN 芯片体积仅为硅基的 1/3）。 高
2025-11-14 11:23:573105
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