RFaxis第二代纯CMOS单芯片/单硅片射频前端集成电路的性能优于基于砷化镓/锗硅的射频前端解决方案
2012-09-27 09:17:24
5423 TriQuint半导体公司(纳斯达克代码：TQNT)，推出完整、经济高效的 Ka 波段砷化镓 (GaAs) 射频芯片组
2012-10-17 15:10:462424 目前正在研发、将来终将成为主流射频收发器的CMOS射频电路的体系结构和电路设计，设计实例将展示CMOS射频电路的良好性能，并预示CMOS射频集成电路取代砷化镓和SiGe电路实现系统集成。
2014-10-09 14:02:552245 
尽管存在硅的竞争，但无线通信的需求将继续推动砷化镓市场发展。
2016-01-07 08:19:552343 氧化镓（Ga2O3 ）是性能优异的超宽禁带半导体材料，不仅临界击穿场强大、饱和速度高，而且具有极高的 巴利加优值和约翰逊优值，在功率和射频器件领域具有重要的应用前景。本文聚焦于 Ga2O3射频器件
2025-06-11 14:30:062164 
全球无线网络基础设施中使用砷化镓(GaAs)半导体的市场预计将增长，从2011年的大约2.05亿美元达到2015年约为3.2亿美元。
2011-08-30 08:53:081270 手机上还不现实，但业界还是要关 注射频氮化镓技术的发展。“与砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）等高频工艺相比，氮化镓器件输出的功率更大；与LDCMOS和碳化硅（SiC）等功率工艺相比，氮化镓的频率特性
2016-08-30 16:39:28
组件策略转向砷化镓制程，将使得宏捷科、稳懋等代工厂有机会受益，至于对台积电的影响则有待观察。
高通CEO Steve Mollenkopf回应时表示，与TDK合作推出的“gallium arsenide
2019-05-27 09:17:13
SiC器件的50%至70%。可用性 –砷化镓作为一种材料已经在射频应用中广泛使用，是世界上第二大最常用的半导体材料。由于其广泛使用，它可以从多个来源获得，其制造工艺类似于硅。这些因素都支持该技术的低成本
2023-02-22 17:13:39
砷化镓铟微光显微镜(InGaAs)与微光显微镜(EMMI)其侦测原理相同，都是用来侦测故障点定位，寻找亮点、热点(Hot Spot)的工具，其原理都是侦测电子-电洞结合与热载子所激发出的光子。差别
2018-10-24 11:20:30
AM010WX-BI-R是AMCOM品牌的一款砷化镓高电子迁移率晶体管（GaAs pHEMT），选用陶瓷 BI 封装，频率范围高达 12 GHz，适用于的L / S / C波段宽带功率
2025-08-25 10:06:43
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 该GaN内部匹配（IM）FET与其他技术相比，具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
镓技术的这类二极管。产品型号：DU2840S产品名称：射频晶体管DU2840S产品特性N沟道增强型器件比双极器件低的噪声系数高饱和输出功率宽带操作的低电容DMOS结构•DU2840S产品详情
2018-08-09 10:16:17
公司提供采用硅、砷化镓或砷化铝镓技术的这类二极管。产品型号：DU2880V产品名称：射频晶体管DU2880V产品特性N沟道增强型器件比双极器件低的噪声系数高饱和输出功率宽带操作的低电容DMOS结构
2018-08-08 11:48:47
°C常规芯片FHC30LG砷化镓晶体管FHC40LG砷化镓晶体管FHX04LG砷化镓晶体管FHX04X砷化镓晶体管FHX06X砷化镓晶体管FHX13LG砷化镓晶体管FHX13X砷化镓晶体管
2021-03-30 11:21:24
` 本帖最后由 330538935 于 2018-5-25 17:14 编辑
FHX45X 砷化镓功率管产品介绍FHX45X询价热FHX45X现货王先生 深圳市首质诚科技有限FHX45X是超高
2018-05-25 17:03:59
耗尽型半导体技术为碳化硅基氮化镓（GaN on SiC）、硅基氮化镓（GaN on Si）、砷化镓（GaAs）射频功率晶体管或模块提供准确的栅极电压和脉冲漏极电压。射频功率 - 硅双极单元和模块
2017-08-14 14:41:32
Higham表示：“一旦高功率射频半导体产品攻破0.04美元/瓦难关，射频能量市场将会迎来大量机会。在商用微波炉、汽车照明和点火、等离子照明灯等设备市场，射频能量器件出货量可能在数亿规模，销售额可达
2018-02-12 15:11:38
`作为一家具有60多年历史的公司，MACOM在射频微波领域经验丰富，该公司的首款产品就是用于微波雷达的磁控管，后来从真空管、晶体管发展到特殊工艺的射频及功率器件（例如砷化镓GaAs）。进入2000年
2017-09-04 15:02:41
大批量生产并交付其他七种RFeIC。这将使RFaxis的供货范围拓展到更广的无线/射频领域。RFaxis第二代纯CMOS单芯片/单硅片射频前端集成电路的性能优于基于砷化镓/锗硅的射频前端解决方案
2020-06-04 17:20:31
SGK1314-30A砷化镓晶体管产品介绍SGK1314-30A报价SGK1314-30A代理SGK1314-30A咨询热SGK1314-30A现货, 深圳市首质诚科技有限SGK1314-30A
2018-08-06 11:48:15
SGK5254-120A-R砷化镓晶体管产品介绍SGK5254-120A-R报价SGK5254-120A-R代理SGK5254-120A-R咨询热SGK5254-120A-R现货, 深圳市首质诚
2018-08-13 10:23:05
SGM6901VU砷化镓晶体管产品介绍SGM6901VU报价SGM6901VU代理SGM6901VU咨询热SGM6901VU现货, 深圳市首质诚科技有限SGM6901VU是一种高功率GaN HEMT
2018-06-11 14:29:01
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化镓晶体管SGN19H240M1H砷化镓晶体管SGN21H180M1H砷化镓晶体管SGN21H121M1H砷化镓晶体管SGN21H181M1H砷化镓晶体管
2021-03-30 11:32:19
TGF2040砷化镓晶体管产品介绍TGF2040报价TGF2040代理TGF2040咨询热线TGF2040现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司, TGF2040是离散的400微米pHEMT由DC至
2018-07-18 12:00:19
TGF2160砷化镓晶体管产品介绍TGF2160报价TGF2160代理TGF2160咨询热线TGF2160现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司. TGF2160离散的1600微米pHEMT由DC至
2018-07-19 10:35:47
1、GaAs半导体材料可以分为元素半导体和化合物半导体两大类，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。砷化镓的电子迁移速率比硅高5.7 倍，非常适合
2019-07-29 07:16:49
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
流，但随着5G的到来，砷化镓器件将无法满足在如此高的频率下保持高集成度。[color=rgb(51, 51, 51) !important]于是，GaN成为下一个热点。氮化镓作为一种宽禁带半导体，可承受更高
2019-07-08 04:20:32
砷化镓功率二极管是宽带隙半导体器件，其性能仅为碳化硅（SiC）的70%左右。本文对10kW LLC转换器中GaAs、SiC和超快硅二极管的性能进行基准测试，该转换器也常用于高效电动汽车充电
2023-02-21 16:27:41
`砷化镓GaAs半导体材料可以分为元素半导体和化合物半导体两大类，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。砷化镓的电子迁移速率比硅高5.7倍，非常适合
2016-09-15 11:28:41
。氮化镓的性能优势曾经一度因高成本而被抵消。最近，氮化镓凭借在硅基氮化镓技术、供应链优化、器件封装技术以及制造效率方面的突出进步成功脱颖而出，成为大多数射频应用中可替代砷化镓和 LDMOS 的最具成本
2017-08-15 17:47:34
请问一下VGA应用中硅器件注定要改变砷化镓一统的局面？
2021-05-21 07:05:36
了类似高电子迁移率晶体管（HEMT）的氧化镓。这类器件通常由砷化镓（GaAs）或氮化镓制成，是手机和卫星电视接收器的重要射频支柱。这类器件不是通过体半导体的掺杂沟道导电，而是通过在两个带隙不同的半导体
2023-02-27 15:46:36
各位大神，目前国内卖铟镓砷红外探测器的有不少，知道铟镓砷等III-V族化合物外延片都是哪些公司生产的吗，坐等答案
2013-06-04 17:22:07
纳秒级脉宽砷化镓激光器陈列:报导砷化镓激光器阵列的实验结果。该阵列光束的脉宽约0.7~5ns，近场光斑面积约100mm×6mm;已被用于触发高功率电磁脉冲发生器中的半导体
2009-10-27 10:05:34
11 高线性度与优异温度特性的砷化镓霍尔元件-JM8630 替代HG-166A 产品描述：JM8630是一款高线性度与优异温度特性的砷化镓霍尔元件，可替代旭化成HG-166A。砷化镓（GaAs
2023-03-09 17:42:14
本文在LabVIEW 8.2 开发环境下，通过对反射式高能电子衍射仪(RHEED)原理及样品砷化镓GaAs(001)_ａ(2×4)结构模型的表面原子结构进行深入探究，编程设计实现了理论情况下的GaAs(001)_
2009-12-14 15:48:5811 SW-209-PIN砷化镓匹配 GaAs SPST 开关 DC - 3.0 GHz MACOM 的 SW-209-PIN 是一款射频开关
2023-04-18 15:19:22
本文介绍目前正在研发、将来终将成为主流射频收发器的CMOS射频电路的体系结构和电路设计，设计实例将展示CMOS射频电路的良好性能，并预示CMOS射频集成电路取代砷化镓和SiGe电路
2010-06-05 11:43:1819 Strategy Analytics：砷化镓和磷化铟支撑光纤网络高增长，模拟芯片市场规模将增长至4.92亿美元
Strategy Analytics 发布最新研究报告“光纤模拟芯片市场机会：2
2009-08-11 08:30:401063 模拟电路网络课件 第十八节:砷化镓金属-半导体场效应管
4.2 砷化镓金属-半导体场效应管
砷化镓（G
2009-09-17 10:43:251376 
1、什么是砷化镓三五族太阳能电池
太阳能电池(Solar Cell)可大致分为三代，第一代为硅晶电池，又可大致分为单晶硅与多晶硅两种，商业应用之历史最悠久，已被广泛应用
2010-09-14 18:17:546079 文章主要介绍了当前射频集成电路研究中的半导体技术和CAD技术，并比较和讨论了硅器件和砷化镓器件、射频集成电路CAD和传统电路CAD的各自特点
2011-04-20 11:55:501539 文章主要介绍了当前射频集成电路研究中的半导体技术和CAD技术，并比较和讨论了硅器件和砷化镓器件、射频集成电路CAD和传统电路CAD的各自特点。
2011-06-29 09:34:372392 美国伊利诺大学(University of Illinois)实验室开发出一种以金属为蚀刻催化剂的砷化镓晶圆蚀刻法
2012-01-07 11:47:281882 类似矽制程技术中的BJT与CMOS，砷化镓制程技术主要区分为HBT（异质接面双极性晶体管）与pHEMT（异质接面高电子迁移率晶体管）两大主轴，并被广泛应用于商用与先进无线通讯中的关键零组件。以下针对
2017-09-20 15:03:246 （二）砷化镓单晶制备方法及原理 从20世纪50年代开始，已经开发出了多种砷化镓单晶生长方法。目前主流的工业化生长工艺包括：液封直拉法（LEC）、水平布里其曼法（HB）、垂直布里其曼法（VB）以及垂直
2017-09-27 10:30:4244 砷化镓射频（RF）元件凭藉着优异的杂讯处理及高线性等特色，成为高效能通讯设备开发人员长久以来的首选方案；然而，近来随着绝缘层覆矽（SOI）制程技术的突破，以矽材料为基础的RF元件性能已大幅突破，成为
2017-11-08 15:46:540 和射频收发等关键器件相继被CMOS工艺集成后，采用砷化镓工艺的功率放大器（PA），成为CMOS工艺通向真正的单芯片手机的最后堡垒。
2017-12-11 16:05:026334 
砷化镓射频（RF）元件凭藉着优异的杂讯处理及高线性等特色，成为高效能通讯设备开发人员长久以来的首选方案；然而，近来随着绝缘层覆矽（SOI）制程技术的突破，以矽材料为基础的RF元件性能已大幅突破，成为替代砷化镓方案的新选择。
2018-04-22 11:51:002661 PA/MMPA) ,使得出现产业替代危机。 但到了2013年后，压抑产业的不利因子逐渐消失淡化(因为高通与Skyworks推出Si制程MMPA , CMOS PA , 主打高性价比策略) 。
2018-03-09 18:08:0025741 
砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，熔点1237℃，禁带宽度1.4电子伏。砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料
2018-03-01 14:55:4545808 TrimQuT TGL2207是一种高功率、宽带MMIC砷化镓VPIN限幅器，能够保护敏感的接收通道组件不受高功率入射信号的影响。该TGL2207不需要直流偏置，并实现了低插入损耗都在一个小的形状因子。这些特性允许简单的集成，对系统性能的影响最小。
2018-07-30 11:30:005 TrimQuT TGL2205是一种高功率、宽带MMIC砷化镓VPIN限幅器，能够保护敏感的接收信道部件不受高功率入射信号的影响。该TGL2205不需要直流偏置，并实现了低插入损耗都在一个小的形状因子。这些特性允许简单的集成，对系统性能的影响最小。
2018-07-27 11:30:004 据悉，近日，汉能砷化镓（GaAs）技术再获重大突破。据世界三大再生能源研究机构之一的德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究所（Fraunhofer ISE）认证，汉能阿尔塔砷化镓薄膜单结电池转换效率达到29.1%，再次刷新世界纪录。
2018-11-19 15:31:477945 公司主要从事砷化镓微波集成电路 （GaAs MMIC）晶圆之代工业务，提供HBT、pHEMT微波集成电路／离散元件与后端制程的晶圆代工服务，应用于高功率基地台、低杂讯放大器（LNA）、射频切换器（RF Switch）、手机及无线区域网路用功率放大器 （ PA ）与雷达系统上。
2018-12-27 17:48:3112318 EV集团与中芯宁波携手，实现砷化镓射频前端模组晶圆级微系统异质集成 中芯宁波特有的晶圆级微系统集成技术(uWLSI)与EV集团的晶圆键合和光刻系统相结合，为4G/5G手机提供最紧凑的射频前端芯片组
2019-03-20 14:00:412493 近日消息，研调机构集邦旗下拓墣产业研究院报告指出，由于现行射频前端元件制造商依手机通信元件功能需求，逐渐以砷化镓（GaAs）晶圆作为元件的制造材料，加上5G布建逐步展开，射频元件使用量较4G时代倍增，预期GaAs射频元件市场将自2020年起进入新一波成长期。
2019-07-09 11:37:234289 我们现在之所以能够通过Wi-Fi或移动数据网络无线上网，就是因为手机上的无线通讯模组，而其中关键的射频元件，则是以砷化镓材料所制作的功率放大器（PA），甚至连发射到太空中的人造卫星上，也都装配着稳懋半导体生产的砷化镓芯片。
2020-08-31 10:45:578280 根据Yole数据显示，2019年下游GaAs元件的市场总产值为88.7亿美元，预计到2023年，全球砷化镓元件市场规模将达到142.9亿美元，2019-2024年GAGR为10%。 此处下游GaAs
2020-10-09 10:34:425020 实用阶段。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪
2020-12-30 10:27:582922 电子发烧友网为你提供氮化镓、砷化镓和LDMOS将共存吗？资料下载的电子资料下载，更有其他相关的电路图、源代码、课件教程、中文资料、英文资料、参考设计、用户指南、解决方案等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2021-04-14 08:42:117 HMC788A：0.01千兆赫至10千兆赫，单片集成电路，砷化镓，PHEMT射频增益挡路数据表
2021-04-23 14:53:3910 半导体合格测试报告：砷化镓SD-A(QTR：2014-00094)
2021-04-24 19:00:0310 砷化镓电池及砷化镓LED综述
2021-08-09 16:39:520 、氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)、镓、铟、铝、磷或砷。在这一点上，作为我们华林科纳研究的重点，GaAs晶圆是一个很好的候选，它可以成为二极管等各种技术器件中最常见的衬底之一。 衬底表面对实现高性能红外器件和高质量薄膜层起着重要作用
2022-01-19 11:12:222382 
之前的砷化镓(GaAs)和横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)一样，氮化镓(GaN)是一项革命性技术，在实现未来的射频、微波和毫米波系统方面能够发挥巨大作用。不过，它并不是一剂“灵丹妙药”，其他技术仍然可以发挥重要作用。
2022-03-22 13:01:546364 在光电子激光、LED领域砷化镓也占据很大的分量。作为成熟的第二代化合物半导体，砷化镓功率芯片以及光电子芯片均是在砷化镓基板上通过外延生长的手段长出不同的材料膜层结构。
2022-04-07 15:32:577548 
砷化镓集成单刀双掷开关AS179-92LF英文手册免费下载。
2022-04-12 15:00:575 砷化镓可在一块芯片上同时处理光电数据，因而被广泛应用于遥控、手机、DVD计算机外设、照明等诸多光电子领域。另外，因其电子迁移率比硅高6倍，砷化镓成为超高速、超高频器件和集成电路的必需品。
2022-04-25 10:58:4314398 对于做激光应用的砷化镓基板，晶向有很重要的应用。关乎了激光芯片的成品质量和合格率，通过在wafer上划片，劈裂
2022-11-10 10:54:544756 砷化镓是发光材料，加上泵浦源和谐振腔，即可选频制成激光器。650nm-1300nm波长的低功率激光器都可以用砷化镓材料设计，典型代表是VCSEL（垂直腔表面发射激光器），广泛应用在短距离数据中心光纤通信，TOF人脸识别等。
2022-11-30 09:35:3814208 HMC232A是一款非反射式、SPDT、RF开关，采用砷化镓(GaAs)工艺制造。
2023-01-31 16:50:481591 砷化镓太阳能电池最大效率预计可以达到23%～26%，它是目前各种类型太阳能电池中效率预计最高的一种。砷化镓太阳能电池抗辐射能力强，并且能在比较高的温度环境中工作。
2023-02-08 16:02:0718194 
砷化镓是不是金属材料 砷化镓属于半导体材料。砷化镓（化学式：GaAs）是镓和砷两种元素所合成的化合物，也是重要的IIIA族、VA族化合物半导体材料，用来制作微波集成电路、红外线发光二极管
2023-02-14 16:07:3810056 砷化镓是一种重要的半导体材料，它具有优异的电子特性，广泛应用于电子器件的制造。砷化镓具有良好的电子性能，具有高电子迁移率、低漏电流、高热稳定性和高热导率等优点，因此在电子器件的制造中得到了广泛的应用。
2023-02-14 17:14:473761 砷化镓二极管是一种半导体器件，它由砷化镓（GaAs）材料制成，具有较高的电流密度、较低的功耗和较快的响应速度。砷化镓二极管的原理是，当电压施加到砷化镓二极管的两个极性时，电子和空穴就会在砷化镓材料中迁移，从而产生电流。
2023-02-16 15:12:592739 砷化镓（GaAs）是一种半导体材料，它是由镓（Ga）和砷（As）组成的化合物，具有较高的电子迁移率和较低的漏电流，因此在电子器件中有着广泛的应用。
2023-02-16 15:28:514881 砷化镓是第三代半导体，它是在第二代半导体的基础上发展而来的，具有更高的电子迁移率、更高的热导率、更高的光学性能、更高的热稳定性、更高的电磁屏蔽性能和更高的耐腐蚀性。
2023-02-16 15:59:542891 氮化镓可以取代砷化镓。氮化镓具有更高的热稳定性和电绝缘性，可以更好地抵抗高温和电磁干扰，因此可以替代砷化镓。
2023-02-20 16:10:1429358 砷化镓芯片的制造工艺要求高，需要精确控制工艺参数，以保证芯片的质量；砷化镓芯片的制造过程中，由于砷化镓的比表面积较大，容易形成气泡，影响芯片的质量；砷化镓芯片的制造过程中，由于砷化镓的比表面积较大，容易形成气泡，影响芯片的质量。
2023-02-20 16:32:248892 砷化镓芯片和硅基芯片的最大区别是：硅基芯片是进行物理刻蚀线路工艺（凹刻），可以5-100纳米工艺，而砷化镓芯片采取的工艺是多层化学堆砌线路（凸堆），线路线宽40-100纳米。所以，能做硅基芯片的公司是做不了砷化镓芯片的。
2023-02-20 16:53:1010760 占据强势地位的IDM公司，比如Qorvo和Skyworks，持续丢失中国国内和三星的射频前端份额，必然会导致这类美系IDM公司缩小砷化镓晶圆厂产出规模。
2023-02-22 15:03:181958 砷化镓晶圆的材料特性砷化镓(GaAs)是国际公认的继“硅”之后最成熟的化合物半导体材料，具有高频率、高电子迁移率、高输出功率、低噪音以及线性度良好等优越特性，作为第二代半导体材料中价格昂贵的一种，被
2022-10-27 11:35:396453 
砷化镓是一种半导体材料。它具有优异的电子输运性能和能带结构，常用于制造半导体器件，如光电器件和功率器件等。砷化镓的禁带宽度较小，使得它在电子和光学应用中具有重要的地位。
2023-07-03 16:07:0810908 砷化镓芯片的制造工艺相对复杂，需要使用分子束外延（MBE）或金属有机化学气相沉积（MOCVD）等专门的生长技术。而硅芯片的制造工艺相对成熟和简单，可以使用大规模集成电路（VLSI）技术进行批量制造。
2023-07-03 16:19:5310675 目前高功率砷化镓基单片微波集成电路(MMICs)已广泛应用于军事、无线和空间通信系统。使用连接晶片正面和背面的衬底通孔，这些MMICs的性能显著提高。
2023-07-13 15:55:021320 
上海伯东美国 Gel- Pak VR 真空释放盒, 非常适用于运输以及储存砷化镓芯片和 MMIC 的器件.
2023-12-14 16:30:151648 首期项目斥资15亿人民币，致力开发4/6英寸砷化镓生产线。预计在2025年7月开始试运行，此阶段主要专注于砷化镓半导体表面发射型镭射VCSEL产品的生产，年产量设置为6万片。
2024-02-28 16:38:562860 氮化镓（GaN）和砷化镓（GaAs）都是半导体材料领域的重要成员，它们在各自的应用领域中都展现出了卓越的性能。然而，要判断哪个更先进，并不是一个简单的二元对立问题，因为它们的先进性取决于具体的应用场
2024-09-02 11:37:167233 CHA5659-98F/CHA5659-QXG是法国UMS公司推出的四级单片砷化镓（GaAs）高功率放大器，专为36-43.5GHz毫米波频段设计。该器件采用先进的0.15μm pHEMT工艺制造，在K波段卫星通信和点对点无线电系统中展现卓越性能。
2025-03-07 16:24:081114 
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