半壁江山。在射频器件领域，目前LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）、GaAs（砷化镓）、GaN（氮化镓）三者占比相差不大，但据Yole development预测，至2025年，砷化镓市场份额基本维持不变
2019-05-06 10:04:10
化合物半导体在通讯射频领域主要用于功率放大器、射频开关、滤波器等器件中。砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）半导体分别作为第二代和第三代半导体的代表，相比第一代半导体高频性能、高温性能优异很多，制造成本更为高昂，可谓是半导体中的新贵。
2019-09-11 11:51:19
波滤波器全部采用CMOS单片器件。此RFeIC设计用于802.11b/g/n/ac应用程序工作频率2.4GHz。性能优越，灵敏度高而且效率高，噪音低，体积小，成本低RFX2402E是单天线应用的理想
2019-11-08 17:07:27
CMOS器件空闲管脚怎么处理？
2021-11-05 08:40:06
CMOS射频电路的发展趋势如何？
2021-05-31 06:05:08
手机上还不现实，但业界还是要关 注射频氮化镓技术的发展。“与砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）等高频工艺相比，氮化镓器件输出的功率更大；与LDCMOS和碳化硅（SiC）等功率工艺相比，氮化镓的频率特性
2016-08-30 16:39:28
组件策略转向砷化镓制程，将使得宏捷科、稳懋等代工厂有机会受益，至于对台积电的影响则有待观察。
高通CEO Steve Mollenkopf回应时表示，与TDK合作推出的“gallium arsenide
2019-05-27 09:17:13
文章主要介绍了当前射频集成电路研究中的半导体技术和CAD技术，并比较和讨论了硅器件和砷化镓器件、射频集成电路CAD和传统电路CAD的各自特点。近年来，无线通信市场的蓬勃发展，特别是移动电话、无线
2019-07-05 06:53:04
SiC器件的50%至70%。可用性 –砷化镓作为一种材料已经在射频应用中广泛使用，是世界上第二大最常用的半导体材料。由于其广泛使用，它可以从多个来源获得，其制造工艺类似于硅。这些因素都支持该技术的低成本
2023-02-22 17:13:39
砷化镓铟微光显微镜(InGaAs)与微光显微镜(EMMI)其侦测原理相同，都是用来侦测故障点定位，寻找亮点、热点(Hot Spot)的工具，其原理都是侦测电子-电洞结合与热载子所激发出的光子。差别
2018-10-24 11:20:30
CMOS单芯片/单硅片射频前端集成电路的性能优于基于砷化镓/锗硅的射频前端解决方案RFaxis开始为智能手机和平板电脑用双模Wi-Fi/蓝牙、WLAN 11a/n/ac、无线音频、ZigBee和智能能源
2018-07-09 15:16:33
` 本帖最后由 射频技术 于 2021-4-8 09:16 编辑
Wolfspeed的CG2H80015D是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。GaN具有比硅或砷化镓更高的性能，包括
2021-04-07 14:31:00
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比，这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27:13
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 该GaN内部匹配（IM）FET与其他技术相比，具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化镓（GaN）高电子迁移率基于晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。 氮化镓与硅或砷化镓相比具有更好的性能，包括更高的击穿电压，更高的饱和电子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
镓技术的这类二极管。产品型号：DU2840S产品名称：射频晶体管DU2840S产品特性N沟道增强型器件比双极器件低的噪声系数高饱和输出功率宽带操作的低电容DMOS结构•DU2840S产品详情
2018-08-09 10:16:17
公司提供采用硅、砷化镓或砷化铝镓技术的这类二极管。产品型号：DU2880V产品名称：射频晶体管DU2880V产品特性N沟道增强型器件比双极器件低的噪声系数高饱和输出功率宽带操作的低电容DMOS结构
2018-08-08 11:48:47
°C常规芯片FHC30LG砷化镓晶体管FHC40LG砷化镓晶体管FHX04LG砷化镓晶体管FHX04X砷化镓晶体管FHX06X砷化镓晶体管FHX13LG砷化镓晶体管FHX13X砷化镓晶体管
2021-03-30 11:21:24
` 本帖最后由 330538935 于 2018-5-25 17:14 编辑
FHX45X 砷化镓功率管产品介绍FHX45X询价热FHX45X现货王先生 深圳市首质诚科技有限FHX45X是超高
2018-05-25 17:03:59
•无外部匹配•针对每个频段进行了优化笔记Tc（op）= + 25°CELM5964-16F砷化镓场效应管FLM5964-18F砷化镓场效应管FLM5964-25F砷化镓场效应管FLM5964-35F砷化
2021-03-30 12:35:14
宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅（Si）和第二代化合物半导体砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、磷化铟（InP）等之后迅速发展起来的第三代半导体
2019-06-25 07:41:00
的HG106A砷化镓线性霍尔效应IC采用电子迁移率比硅大5～6倍的砷化镓作为器件的半导体材料，而砷化镓被誉为“半导体材料中的贵族”，原因就是砷化镓制成的半导体器件相对于传统的硅半导体具有高频、高温
2013-11-13 10:56:14
关键词：AKM，旭化成，砷化镓线性霍尔效应IC，响拇指电子，Sumzi提要：AKM的HG106C砷化镓线性霍尔效应IC采用电子迁移率比硅大5～6倍的砷化镓作为器件的半导体材料，而砷化镓被誉为“半导体
2013-11-13 10:54:57
Sumzi官网AKE的HG166A砷化镓线性霍尔效应IC采用电子迁移率比硅大5～6倍的砷化镓作为器件的半导体材料，而砷化镓被誉为“半导体材料中的贵族”，原因就是砷化镓制成的半导体器件相对于传统的硅半导体具有
2013-11-13 10:53:33
教授，AIXTRON SE 全球副总裁Michael HEUKEN带来了宽禁带器件在汽车应用中的加速采用的报告，分享了目前的发展现状及AIXTRON的策略。近年来，垂直氮化镓器件，尤其是硅衬底上，因其低成本
2018-11-05 09:51:35
耗尽型半导体技术为碳化硅基氮化镓（GaN on SiC）、硅基氮化镓（GaN on Si）、砷化镓（GaAs）射频功率晶体管或模块提供准确的栅极电压和脉冲漏极电压。射频功率 - 硅双极单元和模块
2017-08-14 14:41:32
Higham表示：“一旦高功率射频半导体产品攻破0.04美元/瓦难关，射频能量市场将会迎来大量机会。在商用微波炉、汽车照明和点火、等离子照明灯等设备市场，射频能量器件出货量可能在数亿规模，销售额可达
2018-02-12 15:11:38
硬件和软件套件有助加快并简化固态射频系统开发经优化后可供烹饪、照明、工业加热/烘干、医疗/制药和汽车点火系统的商业制造商使用系统设计人员能够以LDMOS的价格充分利用硅基氮化镓性能的优势在IMS现场
2017-08-03 10:11:14
副总裁关于MACOMMACOM是一家新生代半导体器件公司，集高速增长、多元化和高盈利能力等特性于一身。公司通过为光学、无线和卫星网络提供突破性半导体技术来满足社会对信息的无止境需求，从而实现全面连通且
2017-06-06 14:37:19
`作为一家具有60多年历史的公司，MACOM在射频微波领域经验丰富，该公司的首款产品就是用于微波雷达的磁控管，后来从真空管、晶体管发展到特殊工艺的射频及功率器件（例如砷化镓GaAs）。进入2000年
2017-09-04 15:02:41
的射频器件越来越多，即便集成化仍然很难控制智能手机的成本。这跟功能机时代不同，我们可以将成本做到很低，在全球市场都能够保证低价。但如果到了5G时代，需要的器件越来越多，价格越来越高。半导体材料硅基氮化镓
2017-07-18 16:38:20
。MACOM公司提供采用硅、砷化镓或砷化铝镓技术的这类二极管。产品型号：NPT25100P产品名称：射频晶体管NPT25100P产品特性连续波、脉冲、WiMAX、W-CDMA、LTE的优化和其他应用从2100至
2018-09-26 08:54:30
。MACOM公司提供采用硅、砷化镓或砷化铝镓技术的这类二极管。产品型号：NPTB00004D产品名称：射频晶体管NPTB00004D产品特性连续波、脉冲、WiMAX、W-CDMA、LTE的优化从DC到
2018-09-26 09:31:14
。MACOM公司提供采用硅、砷化镓或砷化铝镓技术的这类二极管。产品型号：NPTB00004D产品名称：射频晶体管NPTB00004D产品特性连续波、脉冲、WiMAX、W-CDMA、LTE的优化从DC到
2018-09-26 09:31:14
2.4G无线话筒模块 激光笔系列。RFX2401C产品性能.RFaxis第二代纯CMOS单芯片/单硅片射频前端集成电路的性能优于基于砷化镓/锗硅的射频前端解决方案RFaxis开始为智能手机和平板电脑用双模
2020-03-27 11:31:29
大批量生产并交付其他七种RFeIC。这将使RFaxis的供货范围拓展到更广的无线/射频领域。RFaxis第二代纯CMOS单芯片/单硅片射频前端集成电路的性能优于基于砷化镓/锗硅的射频前端解决方案
2020-06-04 17:20:31
`SGC1112-100A-R砷化镓晶体管产品介绍SGC1112-100A-R报价SGC1112-100A-R代理SGC1112-100A-R咨询热线SGC1112-100A-R现货, 深圳市首质诚
2018-06-11 14:52:17
SGC8598-100A-R砷化镓晶体管产品介绍SGC8598-100A-R报价SGC8598-100A-R代理SGC8598-100A-R咨询热SGC8598-100A-R现货, 深圳市首质诚
2018-08-13 10:20:49
SGK1011-25A砷化镓晶体管产品介绍SGK1011-25A报价SGK1011-25A代理SGK1011-25A咨询热SGK1011-25A现货, 深圳市首质诚科技有限SGK1011-25A
2018-08-06 11:41:49
SGK1314-25A砷化镓晶体管产品介绍SGK1314-25A报价SGK1314-25A代理SGK1314-25A咨询热SGK1314-25A现货, 深圳市首质诚科技有限SGK1314-25A
2018-08-06 11:45:41
SGK1314-30A砷化镓晶体管产品介绍SGK1314-30A报价SGK1314-30A代理SGK1314-30A咨询热SGK1314-30A现货, 深圳市首质诚科技有限SGK1314-30A
2018-08-06 11:48:15
SGK5254-120A-R砷化镓晶体管产品介绍SGK5254-120A-R报价SGK5254-120A-R代理SGK5254-120A-R咨询热SGK5254-120A-R现货, 深圳市首质诚
2018-08-13 10:23:05
）5.4Rth Typ。（°C / W）1.3操作模式连续作业笔记Tc（op）= + 25°CELM5964-4PS砷化镓场效应管ELM5964-7PS砷化镓场效应管ELM6472-4PS砷化镓场效应管
2021-03-30 12:17:43
）= + 25°CSGC7172-30A砷化镓晶体管SGC7172-120A砷化镓晶体管SGC8598-50A-R砷化镓晶体管SGC8598-100A-R砷化镓晶体管SGC8598-200A-R砷化镓晶体管
2021-03-30 12:28:02
SGM6901VU砷化镓晶体管产品介绍SGM6901VU报价SGM6901VU代理SGM6901VU咨询热SGM6901VU现货, 深圳市首质诚科技有限SGM6901VU是一种高功率GaN HEMT
2018-06-11 14:29:01
°CSGN19H181M1H砷化镓晶体管SGN19H240M1H砷化镓晶体管SGN21H180M1H砷化镓晶体管SGN21H121M1H砷化镓晶体管SGN21H181M1H砷化镓晶体管SGN26H080M1H砷化镓
2021-03-30 11:37:49
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化镓晶体管SGN19H240M1H砷化镓晶体管SGN21H180M1H砷化镓晶体管SGN21H121M1H砷化镓晶体管SGN21H181M1H砷化镓晶体管
2021-03-30 11:32:19
TGF2040砷化镓晶体管产品介绍TGF2040报价TGF2040代理TGF2040咨询热线TGF2040现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司, TGF2040是离散的400微米pHEMT由DC至
2018-07-18 12:00:19
TGF2160砷化镓晶体管产品介绍TGF2160报价TGF2160代理TGF2160咨询热线TGF2160现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司. TGF2160离散的1600微米pHEMT由DC至
2018-07-19 10:35:47
氮化镓(GaN)这种宽带隙材料将引领射频功率器件新发展并将砷化镓(GaAs)和LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)器件变成昨日黄花？看到一些媒体文章、研究论文、分析报告和企业宣传文档后你当然会这样
2019-07-31 07:54:41
度为1.1 eV，而氮化镓的禁带宽度为3.4 eV。由于宽禁带材料具备高电场强度，耗尽区窄短，从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构。例如，一个典型的650V横向氮化镓晶体管，可以支持超过800V
2023-06-15 15:53:16
哪种半导体工艺最适合某一指定应用？对此，业界存在着广泛的争论。虽然某种特殊工艺技术能更好地服务一些应用，但其它工艺技术也有很大的应用空间。像CMOS、BiCMOS、砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP
2019-08-02 08:23:59
1、GaAs半导体材料可以分为元素半导体和化合物半导体两大类，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。砷化镓的电子迁移速率比硅高5.7 倍，非常适合
2019-07-29 07:16:49
制造商正在从传统的全硅工艺转向用于LNA 的砷化镓(GaAs) 和用于PA 的氮化镓(GaN)。本文将介绍什么是LNA和PA？有哪些基本原理？典型的GaAs 和GaN 器件以及在利用这些器件进行设计时应牢记哪些事项？
2019-08-01 07:44:46
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
的 3 倍多，所以说氮化镓拥有宽禁带特性（WBG）。
禁带宽度决定了一种材料所能承受的电场。氮化镓比传统硅材料更大的禁带宽度，使它具有非常细窄的耗尽区，从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
流，但随着5G的到来，砷化镓器件将无法满足在如此高的频率下保持高集成度。[color=rgb(51, 51, 51) !important]于是，GaN成为下一个热点。氮化镓作为一种宽禁带半导体，可承受更高
2019-07-08 04:20:32
5G时代手机内的PA或多达16颗之多。就工艺材料来说，目前砷化镓PA是主流，CMOS PA由于参数性能的影响，只用于低端市场。4G特别是例如高通等LTE cat16，4x20MHZ的载波聚合技术
2020-12-14 15:03:10
业界对哪种半导体工艺最适合某一给定应用存在着广泛的争论。虽然某种特殊工艺技术能更好地服务一些应用，但其它工艺技术也有很大的应用空间。像CMOS、BiCMOS、砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP
2019-08-20 08:01:20
我的霍尔传感器是砷化镓，也是一种测量磁场的传感器，两个输入端，两个输出端。我把十二个砷化镓串联使用，三个一组，输入电流保持在1毫安。每一组测试的时候，所有的单个砷化镓都对磁场有响应，但是把四组串联
2016-04-23 16:13:19
砷化镓功率二极管是宽带隙半导体器件，其性能仅为碳化硅（SiC）的70%左右。本文对10kW LLC转换器中GaAs、SiC和超快硅二极管的性能进行基准测试，该转换器也常用于高效电动汽车充电
2023-02-21 16:27:41
砷化镓的功率管资料上都给出了三阶交调，可以根据资料选择器件，但是氮化镓功率管都没给出三阶的曲线，我先问一下大家一般经验值是什么样的曲线？
2020-09-27 09:51:14
本文设计了一种低插入损耗、高隔离度的全集成超宽带CMOS射频收发开关芯片。
2021-05-24 06:58:23
简介 AKE（旭化成）的HG106A砷化镓线性霍尔效应IC采用电子迁移率比硅大5～6倍的砷化镓作为器件的半导体材料，而砷化镓被誉为“半导体材料中的贵族”，原因就是砷化镓制成的半导体器件相对于传统的硅
2013-08-22 16:11:17
特性：1. 超高稳定性砷化镓霍尔器件2. 极佳的高频性能，抗干扰能力强3. 650Ω-850Ω的极低的输出阻抗，驱动能力强4. 小型化SOT-343封装，四平脚伸展易安装5. 器件盘装，4,000
2013-06-19 17:00:47
特性：1. 超高稳定性砷化镓霍尔器件2. 极佳的高频性能，抗干扰能力强3. 1800Ω-3000Ω的较低的输出阻抗，驱动能力强4. 小型化SOT-343封装，四平脚伸展易安装5. 器件盘装
2013-06-17 17:05:35
特性：1. 超高稳定性砷化镓霍尔器件2. 极佳的高频性能，抗干扰能力强3. 1000Ω-2000Ω的较低的输出阻抗，驱动能力强4. 小型化SOT-343封装，四平脚伸展易安装5. 器件盘装
2013-05-20 11:41:47
特性：1. 超高稳定性砷化镓霍尔器件2. 极佳的高频性能，抗干扰能力强3. 650Ω-850Ω的极低的输出阻抗，驱动能力强4. 小型化SOT-343封装，四平脚伸展易安装5. 器件盘装，4,000
2013-05-21 14:45:25
`砷化镓GaAs半导体材料可以分为元素半导体和化合物半导体两大类，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。砷化镓的电子迁移速率比硅高5.7倍，非常适合
2016-09-15 11:28:41
趋势应用及其如何应用于您的日常生活的更多信息，并核实创建用于简化射频能量应用设计过程的MACOM工具包。 关于MACOMMACOM是一家新生代半导体器件公司，集高速增长、多元化和高盈利能力等特性于一身
2018-01-18 10:56:28
，以及分享GaN FET和集成电路目前在功率转换领域替代硅器件的步伐。
误解1：氮化镓技术很新且还没有经过验证
氮化镓器件是一种非常坚硬、具高机械稳定性的宽带隙半导体，于1990年代初首次用于生产高
2023-06-25 14:17:47
是什么氮化镓（GaN）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器方面，主要是集成氮化镓MOS管，可适配小型变压器和高功率器件，充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
。氮化镓的性能优势曾经一度因高成本而被抵消。最近，氮化镓凭借在硅基氮化镓技术、供应链优化、器件封装技术以及制造效率方面的突出进步成功脱颖而出，成为大多数射频应用中可替代砷化镓和 LDMOS 的最具成本
2017-08-15 17:47:34
和意法半导体今天联合宣布将硅基氮化镓技术引入主流射频市场和应用领域的计划，这标志着氮化镓供应链生态系统的重要转折点，未来会将MACOM的射频半导体技术实力与ST在硅晶圆制造方面的规模化和出色运营完美结合
2018-08-17 09:49:42
和相同电阻值的砷化铝镓PIN二极管和砷化镓PIN二极管，砷化铝镓PIN二极管具有更小的结面积和更低的结电容，从而可提高电路性能。关于MACOMMACOM是一家新生代半导体器件公司，集高速增长、多元化和高
2018-03-22 10:59:54
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程吗？然后提取参数想基于candence model editor进行氮化镓器件的建模，有可能实现吗？求教ICCAP软件呢？
2019-11-29 16:04:02
请问一下VGA应用中硅器件注定要改变砷化镓一统的局面？
2021-05-21 07:05:36
了类似高电子迁移率晶体管（HEMT）的氧化镓。这类器件通常由砷化镓（GaAs）或氮化镓制成，是手机和卫星电视接收器的重要射频支柱。这类器件不是通过体半导体的掺杂沟道导电，而是通过在两个带隙不同的半导体
2023-02-27 15:46:36
，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。随着无线通信的发展，高频电路应用越来越广，今天我们来介绍适合用于射频、微波等高频电路的半导体材料及工艺情况。
2019-06-27 06:18:41
各位大神，目前国内卖铟镓砷红外探测器的有不少，知道铟镓砷等III-V族化合物外延片都是哪些公司生产的吗，坐等答案
2013-06-04 17:22:07
用于化合物半导体衬底：GaN氮化镓 、GaAs砷化镓 、GaP磷化鎵外延: MBE, LPE ,VPE
2022-01-17 13:46:39
XU1006-QB砷化镓变送器MACOM 的 36.0-42.0 GHz GaAs 发射器在整个频段具有 +17.0 dBm 输出三阶截距。该器件是一个平衡的电阻式 pHEMT 混频器，后跟一个
2022-12-28 15:31:26
高线性度与优异温度特性的砷化镓霍尔元件-JM8630 替代HG-166A 产品描述：JM8630是一款高线性度与优异温度特性的砷化镓霍尔元件，可替代旭化成HG-166A。砷化镓（GaAs
2023-03-09 17:42:14
SW-209-PIN砷化镓匹配 GaAs SPST 开关 DC - 3.0 GHz MACOM 的 SW-209-PIN 是一款射频开关
2023-04-18 15:19:22
GaAs的灵敏度比Si材料高1个数量级、温漂小1个数量级，是优异的线性磁传感霍尔材料。芯片特征：● 砷化镓+ Si混合可编程线性霍尔效应IC● 单电源：VDD 3
2023-05-31 10:02:47
FLK017XP型号简介Sumitomo的FLK017XP芯片是一种功率砷化镓场效应管，设计用于Ku频段的通用应用提供卓越的功率、增益和效率。Eudyna严格的质量保证计划确保可靠性和一致的性能
2023-12-19 12:00:45
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