TriQuint半导体公司(纳斯达克代码：TQNT)，推出完整、经济高效的 Ka 波段砷化镓 (GaAs) 射频芯片组
2012-10-17 15:10:46
2424 电子发烧友网报道（文/李宁远）半导体材料的突破一直是推动半导体行业发展的一大助力，为了满足日益多元化的芯片需求，半导体材料从以硅、锗为代表的第一代半导体，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代半导体逐步
2023-04-02 01:53:369067 
来源 华西证券编辑：智东西内参作者：吴吉森等随着 5G、IoT 物联网时代的来临，以砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表的化合物半导体市场有望快速崛起。其中，Ga...
2021-08-31 06:32:26
我国科学家成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片。我国氧化镓领域研究连续取得突破日前，西安邮电大学新型半导体器件与材料重点实验室的陈海峰教授团队成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片
2023-03-15 11:09:59
半导体材料从发现到发展，从使用到创新，拥有这一段长久的历史。宰二十世纪初，就曾出现过点接触矿石检波器。1930年，氧化亚铜整流器制造成功并得到广泛应用，是半导体材料开始受到重视。1947年锗点接触三极管制成，成为半导体的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
半导体材料的导电性对某些微量杂质极敏感。纯度很高的半导体材料称为本征半导体，常温下其电阻率很高，是电的不良导体。在高纯半导体材料中掺入适当杂质后，因为杂质原子提供导电载流子，使材料的电阻率大为
2013-01-28 14:58:38
好像***最近去英国还专程看了华为英国公司的石墨烯研究，搞得国内好多石墨烯材料的股票大涨，连石墨烯内裤都跟着炒作起来了~~小编也顺应潮流聊聊半导体材料那些事吧。
2019-07-29 06:40:11
半导体材料的检测与服务，其具体功能如下：透射电镜样品制备是TEM分析技术的关键一环，特别是制备半导体芯片样品 ，由于电子束的穿透力很弱，因此用于TEM的样品必须制备成厚度小于100nm的薄片。通常会
2022-03-15 12:08:50
后，这些芯片也将被同时加工出来。
材料介质层参见图3，芯片布图上的每一层图案用不同颜色标示。对应每一层的图案，制造过程会在硅晶圆上制做出一层由半导体材料或介质构成的图形。本文把这些图形层称之为材料介质
2024-01-02 17:08:51
半导体是什么？芯片又是什么？半导体芯片是什么？半导体芯片内部结构是由哪些部分组成的？
2021-07-29 09:18:55
年代，当材料的提纯技术改进以后，半导体才得到工业界的重视。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅则是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。芯片芯片(chip)，又称微芯片
2020-11-17 09:42:00
SiC器件的50%至70%。可用性 –砷化镓作为一种材料已经在射频应用中广泛使用，是世界上第二大最常用的半导体材料。由于其广泛使用，它可以从多个来源获得，其制造工艺类似于硅。这些因素都支持该技术的低成本
2023-02-22 17:13:39
宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅（Si）和第二代化合物半导体砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、磷化铟（InP）等之后迅速发展起来的第三代半导体
2019-06-25 07:41:00
关键词：AKM，旭化成，砷化镓线性霍尔效应IC，响拇指电子，Sumzi提要：AKM的HG106C砷化镓线性霍尔效应IC采用电子迁移率比硅大5～6倍的砷化镓作为器件的半导体材料，而砷化镓被誉为“半导体
2013-11-13 10:54:57
电子、汽车和无线基站项目意法半导体获准使用MACOM的技术制造并提供硅上氮化镓射频率产品预计硅上氮化镓具有突破性的成本结构和功率密度将会实现4G/LTE和大规模MIMO 5G天线中国，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
MOS 管的半导体结构MOS 管的工作机制
2020-12-30 07:57:04
5倍的晶体管速度。硅仍然是最广泛使用的半导体材料，然而，锗砷化物是专门用于高速，非常大规模集成电路(VLSI)设计。锗还被用于某些用途。这三种材料---- 硅、锗和砷化镓---- 是最常用的半导体材料
2022-04-04 10:48:17
1、GaAs半导体材料可以分为元素半导体和化合物半导体两大类，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。砷化镓的电子迁移速率比硅高5.7 倍，非常适合
2019-07-29 07:16:49
、磁阻元件、磁敏二极管、磁敏三极管等。主要材料有锑化铟、砷化铟、锗和硅等。这类器件的优点是结构简单，体积小，易于集成化，耐冲击，频响宽（从直流到微波），动态范围大，而且可以实现无接触检测，不存在磨损，抗污染，不产生火花，使用安全，寿命长，因此它在测量技术、自动控制和信息处理等方面有广泛的应用。
2019-09-10 10:42:32
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
与厂商合作关系***厂仍具有领先优势。
砷化镓产业的功率放大器PA是最要的营收来源，那么是否有新技术能够取代之将会是左右产业的关键，半导体CMOS制程的PA即与稳懋的GaAs制程不同，拥有价格较低
2019-05-27 09:17:13
文章主要介绍了当前射频集成电路研究中的半导体技术和CAD技术，并比较和讨论了硅器件和砷化镓器件、射频集成电路CAD和传统电路CAD的各自特点。近年来，无线通信市场的蓬勃发展，特别是移动电话、无线
2019-07-05 06:53:04
`砷化镓GaAs半导体材料可以分为元素半导体和化合物半导体两大类，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。砷化镓的电子迁移速率比硅高5.7倍，非常适合
2016-09-15 11:28:41
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
产工艺，计划最终可以确保***获得性能更高，成本更加低廉的射频元件。无线手机消费需求的激增加速了砷化镓成为主流商业应用的步伐，这强有力地助推了规模经济。化合物半导体提供商斥资数亿美元修建了大规模的砷化镓
2017-08-15 17:47:34
激光器是20世纪四大发明之一，半导体激光器是采用半导体芯片加工工艺制备的激光器，具有体积小、成本低、寿命长等优势，是应用最多的激光器类别。氮化镓激光器（LD）是重要的光电子器件，基于GaN材料
2020-11-27 16:32:53
有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。物质存在的形式多种多样，固体、液体、气体、等离子体等。我们通常把导电性差的材料，如煤
2020-02-18 13:23:44
的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。 半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类
2016-11-27 22:34:51
请问一下VGA应用中硅器件注定要改变砷化镓一统的局面？
2021-05-21 07:05:36
，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。随着无线通信的发展，高频电路应用越来越广，今天我们来介绍适合用于射频、微波等高频电路的半导体材料及工艺情况。
2019-06-27 06:18:41
纳秒级脉宽砷化镓激光器陈列:报导砷化镓激光器阵列的实验结果。该阵列光束的脉宽约0.7~5ns，近场光斑面积约100mm×6mm;已被用于触发高功率电磁脉冲发生器中的半导体
2009-10-27 10:05:34
11 模拟电路网络课件 第十八节:砷化镓金属-半导体场效应管
4.2 砷化镓金属-半导体场效应管
砷化镓（G
2009-09-17 10:43:251376 
半导体激光器的结构和工作原理分析
现以砷化镓（GaAs）激光器为例，介绍注入式同质结激光器的工作原理。
2010-03-16 14:18:5110103 （二）砷化镓单晶制备方法及原理 从20世纪50年代开始，已经开发出了多种砷化镓单晶生长方法。目前主流的工业化生长工艺包括：液封直拉法（LEC）、水平布里其曼法（HB）、垂直布里其曼法（VB）以及垂直
2017-09-27 10:30:4244 根据物体导电能力（电阻率）的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构
2017-11-23 11:37:1330 指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。 随着无线通信的发展，高频电路应用越来越广，今天我们来介绍适合用于射频、微波等高频电路的半导体材料及工艺情况。 砷化镓 GaAs 砷化镓的电子迁移速率
2017-11-24 06:54:523387 指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。 随着无线通信的发展，高频电路应用越来越广，今天我们来介绍适合用于射频、微波等高频电路的半导体材料及工艺情况。 砷化镓GaAs 砷化镓GaAs 砷化镓的电子
2017-12-07 14:37:192680 砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，熔点1237℃，禁带宽度1.4电子伏。砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料
2018-03-01 14:55:4545809 半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体;化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化镓、磷化镓等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化镉、硫化锌等）、氧化物
2018-03-08 09:36:33122870 光学超材料是一种人造材料，因其特殊纳米结构而具备不寻常的光学性能。近20年来，研究人员已设计了多种超材料基器件，但其特性无法改变。基于此，研究人员首先制备出由半导体纳米颗粒阵列组成的砷化镓薄膜，之后
2018-06-27 08:13:001769 以及尘土之中。硅虽然不是最好的半导体材料，但它是迄今最容易获取的半导体材料。由此，硅材料在电子器件领域占据主要地位，比如传感器、太阳能电池以及集成电路等。 砷化镓、氮化镓以及氟化锂等材料的性能胜过硅材料，但是目前用它们制备
2018-10-17 15:43:01476 第二代半导体材料是指化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）、磷化铟（InP），以及三元化合物半导体材料，如铝砷化镓（GaAsAl）、磷砷化镓（GaAsP）等。还有一些固溶体半导体
2018-11-26 16:13:4220571 目前广泛应用的半导体材料有锗、硅、硒、砷化镓、磷化镓、锑化铟等．其中以锗、硅材料的生产技术较成熟，用的也较多。
2019-03-29 15:21:5715426 导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，叫做半导体．例如：锗、硅、砷化镓等． 半导体在科学技术，工农业生产和生活中有着广泛的应用。
2019-12-13 17:44:526024 第一代半导体材料一般是指硅（Si）元素和锗（Ge）元素，其奠定了20 世纪电子工业的基础。第二代半导体材料主要指化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、磷化镓（GaP）、砷化铟（InAs）、砷化铝（AlAs）及其合金化合物等，其奠定了20 世纪信息光电产业的基础。
2020-04-12 17:06:0710859 
我们现在之所以能够通过Wi-Fi或移动数据网络无线上网，就是因为手机上的无线通讯模组，而其中关键的射频元件，则是以砷化镓材料所制作的功率放大器（PA），甚至连发射到太空中的人造卫星上，也都装配着稳懋半导体生产的砷化镓芯片。
2020-08-31 10:45:578281 半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，其中硅是商业应用上最具有影响力的一种，其下游应用十分广泛，包括集成电路，通讯系统，光伏发电，人工智能等领域。
2020-09-04 15:34:366131 
，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。随着无线通信的发展，高频电路应用越来越广，今天我们来介绍适合用于射频、微波等高频电路的半导体材料及工艺情况。 砷化镓 GaAs 砷化镓的电子迁移速
2020-10-30 02:09:471689 半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，其中硅是商业应用上最具有影响力的一种，其下游应用十分广泛，包括集成电路，通讯系统，光伏发电，人工智能等领域。
2020-11-01 10:49:058864 
一种重要的半导体材料。属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。化学式GaAs，分子量144.63，属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，熔点1237℃，禁带宽度1.4电子伏。砷化镓于1964年进入
2020-12-30 10:27:582922 单晶半导体材料制备技术说明。
2021-04-08 11:53:2935 半导体合格测试报告：砷化镓SD-A(QTR：2014-00094)
2021-04-24 19:00:0310 半导体芯片是指在半导体材料上进行浸蚀，布线，制成的能实现某种功能的半导体电子器件。常见的半导体芯片有硅芯片、砷化镓、锗等。
2021-07-13 11:06:3319267 砷化镓电池及砷化镓LED综述
2021-08-09 16:39:520 了一系列III-V材料以及各种各样的设备。 最初，设计，制造和光学表征研究了铝砷化镓波导增强光学非线性文章全部详情：壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁耳相互作用。 基于我们的研究结果，我们提出了一种新型的AlGaAs集成非线性光学波导。波导是集成光子器件中极具吸引力的元件，
2023-04-19 10:04:00535 
之前的砷化镓(GaAs)和横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)一样，氮化镓(GaN)是一项革命性技术，在实现未来的射频、微波和毫米波系统方面能够发挥巨大作用。不过，它并不是一剂“灵丹妙药”，其他技术仍然可以发挥重要作用。
2022-03-22 13:01:546364 氮化镓(GaN)是一种宽禁带隙的半导体材料，在半导体行业是继硅之后最受欢迎的材料。这背后的原动力趋势是led，微波，以及最近的电力电子。新的研究领域还包括自旋电子学和纳米带晶体管，利用了氮化镓的一些
2022-03-23 14:15:082074 
在光电子激光、LED领域砷化镓也占据很大的分量。作为成熟的第二代化合物半导体，砷化镓功率芯片以及光电子芯片均是在砷化镓基板上通过外延生长的手段长出不同的材料膜层结构。
2022-04-07 15:32:577549 
砷化镓可在一块芯片上同时处理光电数据，因而被广泛应用于遥控、手机、DVD计算机外设、照明等诸多光电子领域。另外，因其电子迁移率比硅高6倍，砷化镓成为超高速、超高频器件和集成电路的必需品。
2022-04-25 10:58:4314399 第一代半导体材料主要是以硅和锗为代表的IV族材料，而第二代和第三代半导体材料主要是化合物半导体（Compound Semiconductor）材料，其中砷化镓(GaAs)和磷化铟（InP）是第二代半导体材料中的代表，氮化镓（GaN)和碳化硅(SiC）是第三代半导体材料中的代表。
2022-09-16 09:56:081508 常见的半导体材料有硅（si）、锗（ge），化合物半导体，如砷化镓（gaas）等;掺杂或制成其它化合物半导体材料，如硼（b）、磷（p）、锢（in）和锑（sb）等。其中硅是最常用的一种半导体材料。
2022-09-22 15:40:086802 砷化镓是发光材料，加上泵浦源和谐振腔，即可选频制成激光器。650nm-1300nm波长的低功率激光器都可以用砷化镓材料设计，典型代表是VCSEL（垂直腔表面发射激光器），广泛应用在短距离数据中心光纤通信，TOF人脸识别等。
2022-11-30 09:35:3814208 与第一代硅（Si）半导体材料和第二代砷化镓（GaAs）半导体材料相比，碳化硅（SiC）或氮化镓（GaN）的第三代半导体材料（也称为宽带隙半导体材料）具有更好的物理和化学特性，同时具有开关速度快、体积小、效率高、散热快等
2022-12-08 09:56:031738 进入90年代以后，第二代半导体砷化镓、磷化铟等具有高迁移率的半导体材料逐渐出现，使得有线通讯技术迅速发展。随后在本世纪初，碳化硅，氮化镓等具有宽禁带的第三代半导体材料也相继问世，将当代的信息技术推向了更高的台阶。
2023-02-06 17:02:523512 氮化镓（GaN）主要是指一种由人工合成的半导体材料，是第三代半导体材料的典型代表， 研制微电子器件、光电子器件的新型材料。氮化镓技术及产业链已经初步形成，相关器件快速发展。第三代半导体氮化镓产业范围涵盖氮化镓单晶衬底、半导体器件芯片设计、制造、封测以及芯片等主要应用场景。
2023-02-07 09:36:562410 
砷化镓太阳能电池最大效率预计可以达到23%～26%，它是目前各种类型太阳能电池中效率预计最高的一种。砷化镓太阳能电池抗辐射能力强，并且能在比较高的温度环境中工作。
2023-02-08 16:02:0718195 
砷化镓是不是金属材料 砷化镓属于半导体材料。砷化镓（化学式：GaAs）是镓和砷两种元素所合成的化合物，也是重要的IIIA族、VA族化合物半导体材料，用来制作微波集成电路、红外线发光二极管
2023-02-14 16:07:3810056 砷化镓是一种重要的半导体材料，它具有优异的电子特性，广泛应用于电子器件的制造。砷化镓具有良好的电子性能，具有高电子迁移率、低漏电流、高热稳定性和高热导率等优点，因此在电子器件的制造中得到了广泛的应用。
2023-02-14 17:14:473761 砷化镓二极管是一种半导体器件，它由砷化镓（GaAs）材料制成，具有较高的电流密度、较低的功耗和较快的响应速度。砷化镓二极管的原理是，当电压施加到砷化镓二极管的两个极性时，电子和空穴就会在砷化镓材料中迁移，从而产生电流。
2023-02-16 15:12:592739 砷化镓是第三代半导体，它是在第二代半导体的基础上发展而来的，具有更高的电子迁移率、更高的热导率、更高的光学性能、更高的热稳定性、更高的电磁屏蔽性能和更高的耐腐蚀性。
2023-02-16 15:59:542891 氮化镓可以取代砷化镓。氮化镓具有更高的热稳定性和电绝缘性，可以更好地抵抗高温和电磁干扰，因此可以替代砷化镓。
2023-02-20 16:10:1429358 砷化镓芯片的制造工艺要求高，需要精确控制工艺参数，以保证芯片的质量；砷化镓芯片的制造过程中，由于砷化镓的比表面积较大，容易形成气泡，影响芯片的质量；砷化镓芯片的制造过程中，由于砷化镓的比表面积较大，容易形成气泡，影响芯片的质量。
2023-02-20 16:32:248892 砷化镓芯片和硅基芯片的最大区别是：硅基芯片是进行物理刻蚀线路工艺（凹刻），可以5-100纳米工艺，而砷化镓芯片采取的工艺是多层化学堆砌线路（凸堆），线路线宽40-100纳米。所以，能做硅基芯片的公司是做不了砷化镓芯片的。
2023-02-20 16:53:1010760 第一代半导体指硅(Si)、锗(Ge)等元素半导体材料；第二代半导体指砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等具有较高迁移率的半导体材料
2023-02-23 14:57:165804 氮化镓纳米线是一种基于氮化镓材料制备的纳米结构材料，具有许多优异的电子、光学和机械性质，因此受到了广泛关注。氮化镓材料是一种宽禁带半导体材料，具有优异的电子和光学性质，也是氮化镓纳米线的主要材料来源。
2023-02-25 17:25:151497 冠以“半导体贵族”之称，是光电子和微电子工业最重要的支撑材料之一。砷化镓晶圆的脆性高，与硅材料晶圆相比，在切割过程中更容易产生芯片崩裂现象，使芯片的晶体内部产生应
2022-10-27 11:35:396454 
砷化镓是一种半导体材料。它具有优异的电子输运性能和能带结构，常用于制造半导体器件，如光电器件和功率器件等。砷化镓的禁带宽度较小，使得它在电子和光学应用中具有重要的地位。
2023-07-03 16:07:0810908 众所周知，镓、锗是半导体应用中非常重要的材料。
2023-07-06 10:05:1915092 以氮化镓（GaN）为代表的一系列具有纤锌矿结构的氮化物半导体是直接带隙半导体材料，其组成的二元混晶或三元混晶在室温下禁带宽度从0.7 eV到6.28 eV连续可调，是制备蓝绿光波段光电器件的优选材料。
2023-08-04 11:47:572103 
在上周的推文中，我们回顾了半导体材料发展的前两个阶段：以硅(Si)和锗(Ge)为代表的第一代和以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)为代表的第二代。（了解更多 - 泛林小课堂 | 半导体材料“家族史”大揭秘（上））
2023-09-14 12:19:112518 半导体，也称为微芯片或集成电路（IC），通常由硅、锗或砷化镓等纯元素制成。最常用的半导体材料是硅（Si），但也常用其他材料，例如锗（Ge）、砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）。其电导率介于绝缘体（如非金属）和导体（如金属）之间，其电导率可随杂质、温度或电场等因素而变化。
2023-10-16 14:02:505316 
尽管有这些优点，但是砷化镓材料仍不能取代硅材料进而变成主流的半导体材料。原因在于我们必须要在实际的材料性能和加工难度这两个关键因素之间进行权衡。
2023-11-27 10:09:101364 
氮化镓半导体和碳化硅半导体是两种主要的宽禁带半导体材料，在诸多方面都有明显的区别。本文将详尽、详实、细致地比较这两种材料的物理特性、制备方法、电学性能以及应用领域等方面的差异。 一、物理特性： 氮化
2023-12-27 14:54:184062 不同。传统的硅半导体芯片是以硅为基材，采用不同的工艺在硅上加工制造，而氮化镓半导体芯片则是以氮化镓为基材，通过化学气相沉积、分子束外延等工艺制备。氮化镓是一种全化合物半导体材料，具有较宽的能隙，电子迁移率高以及较高的饱
2023-12-27 14:58:242956 氮化镓半导体并不属于金属材料，它属于半导体材料。为了满足你的要求，我将详细介绍氮化镓半导体的性质、制备方法、应用领域以及未来发展方向等方面的内容。 氮化镓半导体的性质 氮化镓（GaN）是一种宽禁带
2024-01-10 09:27:324486 氮化镓（GaN）是一种重要的宽禁带半导体材料，其结构具有许多独特的性质和应用。本文将详细介绍氮化镓的结构、制备方法、物理性质和应用领域。 结构： 氮化镓是由镓（Ga）和氮（N）元素组成的化合物。它
2024-01-10 10:18:336032 第二代半导体材料以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）为代表。第三代半导体材料主 要包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、硒化锌（ZnSe）等，因其禁带宽度较大，又被 称为宽禁带半导体材料。
2024-01-23 10:06:042219 
首期项目斥资15亿人民币，致力开发4/6英寸砷化镓生产线。预计在2025年7月开始试运行，此阶段主要专注于砷化镓半导体表面发射型镭射VCSEL产品的生产，年产量设置为6万片。
2024-02-28 16:38:562860 5月9日，河南渑池县举行了化合物半导体碳化硅材料与固废综合利用砷化镓衬底项目的签约仪式。在仪式上，化合物半导体材料团队执行总监李有群对该项目做了详细介绍。
2024-05-10 16:54:272226 北京顺义园内的北京铭镓半导体有限公司在超宽禁带半导体氧化镓材料的开发及应用产业化方面取得了显著进展，其技术已领先国际同类产品标准。
2024-06-05 10:49:071852 氮化镓（GaN）和砷化镓（GaAs）都是半导体材料领域的重要成员，它们在各自的应用领域中都展现出了卓越的性能。然而，要判断哪个更先进，并不是一个简单的二元对立问题，因为它们的先进性取决于具体的应用场
2024-09-02 11:37:167233 锑化镓是一种化合物晶体，化学式为GaSb。它由镓（Ga）和锑（Sb）两种元素组成。在半导体材料的研究与应用领域中，锑化镓（GaSb）晶体以其独特的电子和光学性质，占据着重要的地位。这种III-V族
2024-11-27 16:34:512415 
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