TriQuint半导体公司(纳斯达克代码：TQNT)，推出完整、经济高效的 Ka 波段砷化镓 (GaAs) 射频芯片组
2012-10-17 15:10:46
2424 电子发烧友网报道（文/李宁远）半导体材料的突破一直是推动半导体行业发展的一大助力，为了满足日益多元化的芯片需求，半导体材料从以硅、锗为代表的第一代半导体，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代半导体逐步
2023-04-02 01:53:369067 
水平。2022年12月，铭镓半导体完成了4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸（001）相单晶衬底生长技术的产业化公司。2022年5月，浙大杭州科创中心首次采用新技术
2023-03-15 11:09:59
半导体材料从发现到发展，从使用到创新，拥有这一段长久的历史。宰二十世纪初，就曾出现过点接触矿石检波器。1930年，氧化亚铜整流器制造成功并得到广泛应用，是半导体材料开始受到重视。1947年锗点接触三极管制成，成为半导体的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
业界对哪种半导体工艺最适合某一给定应用存在着广泛的争论。虽然某种特殊工艺技术能更好地服务一些应用，但其它工艺技术也有很大的应用空间。像CMOS、BiCMOS、砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP
2019-07-05 08:13:58
业界对哪种半导体工艺最适合某一给定应用存在着广泛的争论。虽然某种特殊工艺技术能更好地服务一些应用，但其它工艺技术也有很大的应用空间。像CMOS、BiCMOS、砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP
2019-08-20 08:01:20
，目前市场上应用最多的还是半导体激光器。半导体激光器俗称为激光二极管，因为其用半导体材料作为工作物质的特性，所以被称为半导体激光器。半导体激光器通常采用的工作物质有砷化镓、硫化镉、磷化铟等，可以作为光纤
2019-05-13 05:50:35
SiC器件的50%至70%。可用性 –砷化镓作为一种材料已经在射频应用中广泛使用，是世界上第二大最常用的半导体材料。由于其广泛使用，它可以从多个来源获得，其制造工艺类似于硅。这些因素都支持该技术的低成本
2023-02-22 17:13:39
FPGA的发展现状如何?赛灵思推出的领域目标设计平台如何简化设计、缩短开发时间？
2021-04-08 06:18:44
宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅（Si）和第二代化合物半导体砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、磷化铟（InP）等之后迅速发展起来的第三代半导体
2019-06-25 07:41:00
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：氮化镓发展技术编号：JFSJ-21-041作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在单个芯片上集成多个
2021-07-06 09:38:20
中国功率器件市场发展现状:功率器件包括功率 IC 和功率分立器件，功率分立器件则主要包括功率MOSFET、大功率晶体管和IGBT 等半导体器件，功率器件几乎用于所有的电子制造业，所应用的产品包括
2009-09-23 19:36:41
哪种半导体工艺最适合某一指定应用？对此，业界存在着广泛的争论。虽然某种特殊工艺技术能更好地服务一些应用，但其它工艺技术也有很大的应用空间。像CMOS、BiCMOS、砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP
2019-08-02 08:23:59
1、GaAs半导体材料可以分为元素半导体和化合物半导体两大类，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。砷化镓的电子迁移速率比硅高5.7 倍，非常适合
2019-07-29 07:16:49
=rgb(51, 51, 51) !important]射频氮化镓技术是5G的绝配，基站功放使用氮化镓。氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）是射频应用中常用的半导体材料。[color
2019-07-08 04:20:32
秒。 在日本电气公司（NEC）生产的高速光电耦合器中，PS2101型光电耦合器是一种通用的四脚扁平组件，它采用砷铝镓红外发光二极管和硅光电晶体管组合而成，并将其封装4×4.4×2立方毫米的体积之内，其
2012-12-10 14:17:36
与厂商合作关系***厂仍具有领先优势。
砷化镓产业的功率放大器PA是最要的营收来源，那么是否有新技术能够取代之将会是左右产业的关键，半导体CMOS制程的PA即与稳懋的GaAs制程不同，拥有价格较低
2019-05-27 09:17:13
文章主要介绍了当前射频集成电路研究中的半导体技术和CAD技术，并比较和讨论了硅器件和砷化镓器件、射频集成电路CAD和传统电路CAD的各自特点。近年来，无线通信市场的蓬勃发展，特别是移动电话、无线
2019-07-05 06:53:04
嵌入式系统开源软件发展现状如何？
2021-04-26 06:23:33
`砷化镓GaAs半导体材料可以分为元素半导体和化合物半导体两大类，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。砷化镓的电子迁移速率比硅高5.7倍，非常适合
2016-09-15 11:28:41
我国驱动电机及其控制器的发展现状如何？我国驱动电机及其控制器存在的主要问题是什么？
2021-05-13 06:27:04
数字调谐滤波器技术发展现状如何？跳频滤波器有哪些分类？
2021-04-07 06:04:46
音频信号是什么？音频编码技术分为哪几类？音频编码技术有哪些应用？音频编码标准发展现状如何？数字音频编码技术有怎样的发展趋势？
2021-04-14 07:00:14
`从研发到商业化应用，氮化镓的发展是当下的颠覆性技术创新，其影响波及了现今整个微波和射频行业。氮化镓对众多射频应用的系统性能、尺寸及重量产生了明确而深刻的影响，并实现了利用传统半导体技术无法实现
2017-08-15 17:47:34
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
汽车用基础电子元器件发展现状如何？国内汽车用基础电子元器件发展现状如何？汽车用基础电子元器件发展趋势是什么？
2021-05-17 06:27:16
浅析变频器发展现状和趋势（原文链接）变频器：利用电力半导体器件的通断作用将工频电源变换为另一频率的电能控制装置。其作用对象主要是电动机。分类：交—交（频率电压可变）、交—直—交（整流、逆变）性能优劣
2021-09-03 06:40:59
有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。物质存在的形式多种多样，固体、液体、气体、等离子体等。我们通常把导电性差的材料，如煤
2020-02-18 13:23:44
的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。 半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类
2016-11-27 22:34:51
的安全可靠性，提升国际竞争力，防止电磁脉冲武器的打击，确保信息通信系统、网络系统、传输系统、武器平台等的安全畅通均具有重要的意义1_ 。鉴于电磁屏蔽材料在社会生活、经济建设和国防建设中的重要作用，其研发愈发成为人们关注的重要课题。那么电磁屏蔽材料发展现状如何了？该怎么应用？
2019-07-30 06:26:57
，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。随着无线通信的发展，高频电路应用越来越广，今天我们来介绍适合用于射频、微波等高频电路的半导体材料及工艺情况。
2019-06-27 06:18:41
西安半导体产业发展现状与建议:西安作为我国重要的半导体产业基地之一，在半导体人才培养、基础研究、技术应用等领域具有显著优势。“十五”期间，国家在西安先后批准设立
2009-12-14 09:24:06
25 模拟电路网络课件 第十八节:砷化镓金属-半导体场效应管
4.2 砷化镓金属-半导体场效应管
砷化镓（G
2009-09-17 10:43:251376 
（二）砷化镓单晶制备方法及原理 从20世纪50年代开始，已经开发出了多种砷化镓单晶生长方法。目前主流的工业化生长工艺包括：液封直拉法（LEC）、水平布里其曼法（HB）、垂直布里其曼法（VB）以及垂直
2017-09-27 10:30:4244 替代砷化镓方案的新选择。 近来矽基产品在技术上的突飞猛进，再结合设计制程的改变，使其在高效能射频（RF）及微波应用中，已逐步展现做为砷化镓替代方案的可行性。设备技术的快速进展带动的需求，通常可以引导发展出最佳设计，即使
2017-11-08 15:46:540 指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。 随着无线通信的发展，高频电路应用越来越广，今天我们来介绍适合用于射频、微波等高频电路的半导体材料及工艺情况。 砷化镓 GaAs 砷化镓的电子迁移速率
2017-11-24 06:54:523387 指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。 随着无线通信的发展，高频电路应用越来越广，今天我们来介绍适合用于射频、微波等高频电路的半导体材料及工艺情况。 砷化镓GaAs 砷化镓GaAs 砷化镓的电子
2017-12-07 14:37:192680 砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，熔点1237℃，禁带宽度1.4电子伏。砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料
2018-03-01 14:55:4545809 半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体;化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化镓、磷化镓等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化镉、硫化锌等）、氧化物
2018-03-08 09:36:33122870 本文首先介绍了SiC功率半导体器件技术发展现状及市场前景，其次阐述了SiC功率器件发展中存在的问题，最后介绍了SiC功率半导体器件的突破。
2018-05-28 15:33:5412108 
那么，半导体制造的关键原材料有哪些？半导体设备由哪些厂商占领？我国半导体产业发展现状如何？下面小编就这些问题做了相关梳理，一窥半导体产业的现状。
2018-06-07 14:12:3720480 
产业现状分析 那么，半导体制造的关键原材料有哪些？半导体设备由哪些厂商占领？我国半导体产业发展现状如何？下面小编就这些问题做了相关梳理，一窥半导体产业的现状。 以下内容排名不分先后，如有疏漏，欢迎留言。
2018-10-18 18:07:01442 
第二代半导体材料是指化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）、磷化铟（InP），以及三元化合物半导体材料，如铝砷化镓（GaAsAl）、磷砷化镓（GaAsP）等。还有一些固溶体半导体
2018-11-26 16:13:4220571 过去几年，半导体产业风起云涌。一方面，中国半导体异军突起。另一方面，全球产业面临超级周期，加上人工智能等新兴应用的崛起，中美科技摩擦频发，全球半导体现状如何？未来的机会又在哪里从国盛郑震湘团队这个报告，我们可以获取一些基本面的了解。
2019-01-23 15:15:1282140 
目前广泛应用的半导体材料有锗、硅、硒、砷化镓、磷化镓、锑化铟等．其中以锗、硅材料的生产技术较成熟，用的也较多。
2019-03-29 15:21:5715426 最近几年， 半导体产业风起云涌。 一方面， 中国半导体异军突起， 另一方面， 全球产业面临超级周期，加上人工智能等新兴应用的崛起，中美科技摩擦频发，全球半导体现状如何？全球半导体的机会又将如何？
2019-06-04 09:56:296674 
导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，叫做半导体．例如：锗、硅、砷化镓等． 半导体在科学技术，工农业生产和生活中有着广泛的应用。
2019-12-13 17:44:526024 第一代半导体材料一般是指硅（Si）元素和锗（Ge）元素，其奠定了20 世纪电子工业的基础。第二代半导体材料主要指化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、磷化镓（GaP）、砷化铟（InAs）、砷化铝（AlAs）及其合金化合物等，其奠定了20 世纪信息光电产业的基础。
2020-04-12 17:06:0710859 
我们现在之所以能够通过Wi-Fi或移动数据网络无线上网，就是因为手机上的无线通讯模组，而其中关键的射频元件，则是以砷化镓材料所制作的功率放大器（PA），甚至连发射到太空中的人造卫星上，也都装配着稳懋半导体生产的砷化镓芯片。
2020-08-31 10:45:578281 半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，其中硅是商业应用上最具有影响力的一种，其下游应用十分广泛，包括集成电路，通讯系统，光伏发电，人工智能等领域。
2020-09-04 15:34:366131 
小编说：随着中国经济的发展和现代化、信息化的建设，我国已成为带动全球半导体市场增长的主要动力，多年来市场需求保持快速增长。 今天小编给大家带来的是集微网首席分析师韩晓敏《中国半导体产业发展现状
2020-10-10 11:33:1510579 
行业周知，半导体设备是半导体产业链的支撑，半导体装备水平则决定了产品工艺的先进性。半导体设备研发投入大、难度大、周期长、国外严密封锁，是我国芯片产业化所面临的最大难题之一。
2020-10-21 09:08:365225 ，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。随着无线通信的发展，高频电路应用越来越广，今天我们来介绍适合用于射频、微波等高频电路的半导体材料及工艺情况。 砷化镓 GaAs 砷化镓的电子迁移速
2020-10-30 02:09:471689 半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，其中硅是商业应用上最具有影响力的一种，其下游应用十分广泛，包括集成电路，通讯系统，光伏发电，人工智能等领域。
2020-11-01 10:49:058864 
一种重要的半导体材料。属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。化学式GaAs，分子量144.63，属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，熔点1237℃，禁带宽度1.4电子伏。砷化镓于1964年进入
2020-12-30 10:27:582922 半导体合格测试报告：砷化镓SD-A(QTR：2014-00094)
2021-04-24 19:00:0310 半导体芯片是指在半导体材料上进行浸蚀，布线，制成的能实现某种功能的半导体电子器件。常见的半导体芯片有硅芯片、砷化镓、锗等。
2021-07-13 11:06:3319267 砷化镓电池及砷化镓LED综述
2021-08-09 16:39:520 在光电子激光、LED领域砷化镓也占据很大的分量。作为成熟的第二代化合物半导体，砷化镓功率芯片以及光电子芯片均是在砷化镓基板上通过外延生长的手段长出不同的材料膜层结构。
2022-04-07 15:32:577549 
砷化镓可在一块芯片上同时处理光电数据，因而被广泛应用于遥控、手机、DVD计算机外设、照明等诸多光电子领域。另外，因其电子迁移率比硅高6倍，砷化镓成为超高速、超高频器件和集成电路的必需品。
2022-04-25 10:58:4314399 常见的半导体材料有硅（si）、锗（ge），化合物半导体，如砷化镓（gaas）等;掺杂或制成其它化合物半导体材料，如硼（b）、磷（p）、锢（in）和锑（sb）等。其中硅是最常用的一种半导体材料。
2022-09-22 15:40:086802 砷化镓是发光材料，加上泵浦源和谐振腔，即可选频制成激光器。650nm-1300nm波长的低功率激光器都可以用砷化镓材料设计，典型代表是VCSEL（垂直腔表面发射激光器），广泛应用在短距离数据中心光纤通信，TOF人脸识别等。
2022-11-30 09:35:3814208 与第一代硅（Si）半导体材料和第二代砷化镓（GaAs）半导体材料相比，碳化硅（SiC）或氮化镓（GaN）的第三代半导体材料（也称为宽带隙半导体材料）具有更好的物理和化学特性，同时具有开关速度快、体积小、效率高、散热快等
2022-12-08 09:56:031738 氮化镓工艺发展现状 氮化镓是当前发展最成款的竞禁带半导体材料，世界各国对氮化镓的研究重视，美欧日等不仅从国家层面上制定了相应的研究规划。氮化镓因具有很大的硬度而成为一种重要的磨料，但其应用范围却超过
2023-02-03 14:58:161922 砷化镓太阳能电池最大效率预计可以达到23%～26%，它是目前各种类型太阳能电池中效率预计最高的一种。砷化镓太阳能电池抗辐射能力强，并且能在比较高的温度环境中工作。
2023-02-08 16:02:0718195 
砷化镓是不是金属材料 砷化镓属于半导体材料。砷化镓（化学式：GaAs）是镓和砷两种元素所合成的化合物，也是重要的IIIA族、VA族化合物半导体材料，用来制作微波集成电路、红外线发光二极管
2023-02-14 16:07:3810056 砷化镓是一种重要的半导体材料，它具有优异的电子特性，广泛应用于电子器件的制造。砷化镓具有良好的电子性能，具有高电子迁移率、低漏电流、高热稳定性和高热导率等优点，因此在电子器件的制造中得到了广泛的应用。
2023-02-14 17:14:473761 砷化镓二极管是一种半导体器件，它由砷化镓（GaAs）材料制成，具有较高的电流密度、较低的功耗和较快的响应速度。砷化镓二极管的原理是，当电压施加到砷化镓二极管的两个极性时，电子和空穴就会在砷化镓材料中迁移，从而产生电流。
2023-02-16 15:12:592739 砷化镓（GaAs）是一种半导体材料，它是由镓（Ga）和砷（As）组成的化合物，具有较高的电子迁移率和较低的漏电流，因此在电子器件中有着广泛的应用。
2023-02-16 15:28:514881 氮化镓可以取代砷化镓。氮化镓具有更高的热稳定性和电绝缘性，可以更好地抵抗高温和电磁干扰，因此可以替代砷化镓。
2023-02-20 16:10:1429358 砷化镓芯片的制造工艺要求高，需要精确控制工艺参数，以保证芯片的质量；砷化镓芯片的制造过程中，由于砷化镓的比表面积较大，容易形成气泡，影响芯片的质量；砷化镓芯片的制造过程中，由于砷化镓的比表面积较大，容易形成气泡，影响芯片的质量。
2023-02-20 16:32:248892 砷化镓芯片和硅基芯片的最大区别是：硅基芯片是进行物理刻蚀线路工艺（凹刻），可以5-100纳米工艺，而砷化镓芯片采取的工艺是多层化学堆砌线路（凸堆），线路线宽40-100纳米。所以，能做硅基芯片的公司是做不了砷化镓芯片的。
2023-02-20 16:53:1010760 第一代半导体指硅(Si)、锗(Ge)等元素半导体材料；第二代半导体指砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等具有较高迁移率的半导体材料
2023-02-23 14:57:165804 砷化镓晶圆的材料特性砷化镓(GaAs)是国际公认的继“硅”之后最成熟的化合物半导体材料，具有高频率、高电子迁移率、高输出功率、低噪音以及线性度良好等优越特性，作为第二代半导体材料中价格昂贵的一种，被
2022-10-27 11:35:396454 
砷化镓是一种半导体材料。它具有优异的电子输运性能和能带结构，常用于制造半导体器件，如光电器件和功率器件等。砷化镓的禁带宽度较小，使得它在电子和光学应用中具有重要的地位。
2023-07-03 16:07:0810908 在上周的推文中，我们回顾了半导体材料发展的前两个阶段：以硅(Si)和锗(Ge)为代表的第一代和以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)为代表的第二代。（了解更多 - 泛林小课堂 | 半导体材料“家族史”大揭秘（上））
2023-09-14 12:19:112518 按照代际来进行划分，半导体材料的发展经历了第一代、第二代和第三代。第一代半导体材料主要指硅（Si）、锗元素（Ge）半导体材料；第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）；
2023-10-11 17:08:336525 
尽管有这些优点，但是砷化镓材料仍不能取代硅材料进而变成主流的半导体材料。原因在于我们必须要在实际的材料性能和加工难度这两个关键因素之间进行权衡。
2023-11-27 10:09:101364 
氮化镓半导体并不属于金属材料，它属于半导体材料。为了满足你的要求，我将详细介绍氮化镓半导体的性质、制备方法、应用领域以及未来发展方向等方面的内容。 氮化镓半导体的性质 氮化镓（GaN）是一种宽禁带
2024-01-10 09:27:324486 首期项目斥资15亿人民币，致力开发4/6英寸砷化镓生产线。预计在2025年7月开始试运行，此阶段主要专注于砷化镓半导体表面发射型镭射VCSEL产品的生产，年产量设置为6万片。
2024-02-28 16:38:562860 5月9日，河南渑池县举行了化合物半导体碳化硅材料与固废综合利用砷化镓衬底项目的签约仪式。在仪式上，化合物半导体材料团队执行总监李有群对该项目做了详细介绍。
2024-05-10 16:54:272226 北京顺义园内的北京铭镓半导体有限公司在超宽禁带半导体氧化镓材料的开发及应用产业化方面取得了显著进展，其技术已领先国际同类产品标准。
2024-06-05 10:49:071852 氮化镓（GaN）和砷化镓（GaAs）都是半导体材料领域的重要成员，它们在各自的应用领域中都展现出了卓越的性能。然而，要判断哪个更先进，并不是一个简单的二元对立问题，因为它们的先进性取决于具体的应用场
2024-09-02 11:37:167233 锑化镓是一种化合物晶体，化学式为GaSb。它由镓（Ga）和锑（Sb）两种元素组成。在半导体材料的研究与应用领域中，锑化镓（GaSb）晶体以其独特的电子和光学性质，占据着重要的地位。这种III-V族
2024-11-27 16:34:512415 
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