描述dcreg12v3a mj2955 lm78122955 MJ晶体管的作用是作为电流放大器，使输出电流达到安培单位，通常如果没有晶体管这个电路只能达到毫安单位。出于电源的目的，晶体管必须不断地
2022-09-05 06:18:39
控制流过发射极-集电极电路的电流。 硅模型 像8050这样的硅晶体管通常在基极电压比发射极高0.65伏时接通。发射极基极电路通常设置为提供接近触发点的预设电压。这称为偏差。当晶体管导通时，输出遵循
2023-02-16 18:22:30
关于晶体管ON时的逆向电流在NPN晶体管中，基极 (B) 被偏置为正，集电极 (C) 被偏置为负，由发射极 (E) 流向C的是逆电流。1. 不用担心劣化和损坏，在使用上是没有问题的2. NPN-Tr
2019-04-09 21:27:24
晶体管并联时，当需要非常大的电流时，可以将几个晶体管并联使用。因为存在VBE扩散现象，有必要在每一个晶体管的发射极上串联一个小电阻。电阻R用以保证流过每个晶体管的电流近似相同。电阻值R的选择依据
2024-01-26 23:07:21
晶体管之间的差异性：就三极管，mos管和可控硅之间的差别和相同点的相关概念有点模糊，请各位大侠指点！！！
2016-06-07 23:27:44
晶体管分类 按半导体材料和极性分类 按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。 按结构
2010-08-12 13:59:33
通。晶体管导通时，开关就导通，并且允许电流通过该管。晶体管开关工作方式的电路通常采用集电极开路的连接方式晶体管作为电子开关使用时，能够对被控对象进行控制，诸如LED、电动机、继电器线圈等。应为此时晶体管
2017-03-28 15:54:24
晶体管图示仪器是用来测量晶体管输入、输出特性曲线的仪器。在实验、教学和工程中通过使用图示仪，可以获得晶体管的实际特性，能更好的发挥晶体管的作用。
2021-05-07 07:43:17
管的E极接A点，C极接B点；NPN管的E有接B点，C极接A点）后，调节电源电压，当发光二极管LED点亮时，A、B两端之间的电压值即是晶体管的反向击穿电压。(本文由Cogo商城-IC元器件在线采购平台
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改变晶体管的放大倍数？有的器件有放大倍数改变的参数。另外，不同的仿真模型参数不同如何改变？
2014-02-28 08:42:03
供应晶圆芯片，型号有： 可控硅， 中、大功率晶体管，13000系列晶体管，达林顿晶体管，高频小信号晶体管，开关二极管，肖特基二极管，稳压二极管等。有意都请联系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶体管测量模块的基本特性有哪些？晶体管测量模块的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
`非常不错的晶体管电路设计书籍！`
2016-11-08 14:12:33
2．1．1 5倍的放大 2．1．2 基极偏置电压 2．1．3 基极-发射极间电压为0．6V 2．1．4 两种类型的晶体管 [hide]晶体管电路设计.pdf[/hide]
2009-11-20 09:41:18
，故稳定性较好。由于硅管ICEO很小，故一般已不作为主要参数。(6) 集电极反向电流ICBOICBO是指晶体管发射极开路时的集电极反向电流。晶体管的ICEO约为ICBO的β倍，故ICEO要明显大于ICBO。(7) 特征频率FT FT越高，晶体管的高频性能越好，也就是可工作的频率越高。
2018-06-13 09:12:21
晶体管的主要参数有哪些？晶体管的开关电路是怎样的？
2021-06-07 06:25:09
晶体管的代表形状晶体管分类图：按照该分类，掌握其种类1. 按结构分类根据工作原理不同分类，分为双极晶体管和单极晶体管。双极晶体管双是指Bi（2个）、极是指Polar（极性）。双极晶体管，即流经构成
2019-04-10 06:20:24
不同分类角度，有几种不同的分类方法。在这里，从结构和工艺方面粗略地分类如下。其中，本篇的主题“功率类”加粗/涂色表示。双极晶体管和MOSFET中，分功率型和小信号型，IGBT原本是为处理大功率而开发
2018-11-28 14:29:28
和小信号型，IGBT原本是为处理大功率而开发的晶体管，因此基本上仅有功率型。 顺便提一下，MOSFET为Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
2020-06-09 07:34:33
即是内置了电阻的晶体管。数字晶体管有诸多优点如：1. 安装面积减少 2. 安装时间减 3. 部件数量减少 等等。数字晶体管是ROHM的专利。内置电阻的晶体管是由ROHM最早开发并取得专利的。5. 基极
2019-07-23 00:07:18
控制大功率现在的功率晶体管能控制数百千瓦的功率，使用功率晶体管作为开关有很多优点，主要是；(1)容易关断，所需要的辅助元器件少，(2)开关迅速，能在很高的频率下工作，(3)可得到的器件耐压范围从
2018-10-25 16:01:51
即是内置了电阻的晶体管。数字晶体管有诸多优点如：1. 安装面积减少 2. 安装时间减 3. 部件数量减少 等等。数字晶体管是ROHM的专利。内置电阻的晶体管是由ROHM最早开发并取得专利的。5. 基极
2019-05-05 00:52:40
1．晶体管的结构晶体管内部由两PN结构成，其三个电极分别为集电极（用字母C或c表示），基极（用字母B或b表示）和发射极（用字母E或e表示）。如图5-4所示，晶体管的两个PN结分别称为集电结（C、B极
2013-08-17 14:24:32
晶体管的品种繁多，不同的电子设备与不同的电子电路，对晶体管各项性能指标的要求是不同的。所以，应根据应用电路的具体要求来选择不同用途，不同类型的晶体管。 1．一般高频晶体管的选用一般小信号处理（例如
2012-01-28 11:27:38
强弱。控制能力强，则放大大。但如果要从晶体管内部的电子、空穴在PN结内电场的作用下，电子、空穴是如何运动的、晶体管的内电场对电子、空穴是如何控制的等一些物理过程来看，就比较复杂了。对这个问题，许多
2012-02-13 01:14:04
分为硅管和锗管两类。 晶体管内部结构的特点是发射区的掺杂浓度远远高于基区掺杂浓度，并且基区很薄，集电结的面积比发射结面积大。这是晶体管具有放大能力的内部条件。 2. 电流分配与放大作用 体管具有放大能力
2021-05-13 06:43:22
关于晶体管ON时的逆向电流在NPN晶体管中，基极 (B) 被偏置为正，集电极 (C) 被偏置为负，由发射极 (E) 流向C的是逆电流。1. 不用担心劣化和损坏，在使用上是没有问题的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
一台晶体管测试仪，能测到5千伏就行。但是这两种东西网上搜了一下成品的安捷伦吉时利太贵了，其他的好像都需要定制。所以想来问一下有没有用过类似的，或者国内有哪家比较靠谱的。
2022-04-02 14:39:37
晶体管 &
2010-08-12 13:57:39
AM81214-030晶体管产品介绍AM81214-030报价AM81214-030代理AM81214-030咨询热线AM81214-030现货,王先生深圳市首质诚科技有限公司ASI为UHF，航空
2018-07-17 15:08:03
求大神相助，Multisim里面雪崩晶体管的过压击穿怎么放着那，当我设的电压已经大于了Vcbo滞后还是不见晶体管导通。
2014-08-08 10:42:58
变化的β倍， 也就是说，电流变化放大了β倍，所以我们称之为β晶体管的放大倍率（β一般远大于1）。如果我们在基极和发射极之间增加一个变化的小信号，它会导致基极电流Ib的变化。Ib的变化被放大后，会导致
2023-02-08 15:19:23
NPT2020射频晶体管产品介绍NPT2020报价NPT2020代理NPT2020咨询热线NPT2020现货,王先生*** 深圳市首质诚科技有限公司, MACOM公司的开关和衰减器专用PIN二极管
2018-09-26 09:04:23
发射极始终偏置为负，因此基极和发射极（VBE）之间的电压现在在基极为负，在发射极为正。此外，发射极电源电压相对于集电极（VCE）为正。因此，要使PNP晶体管导通，发射极必须始终比基极和集电极更正。如图所示
2023-02-03 09:44:48
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化镓晶体管SGN19H240M1H砷化镓晶体管SGN21H180M1H砷化镓晶体管SGN21H121M1H砷化镓晶体管SGN21H181M1H砷化镓晶体管
2021-03-30 11:32:19
晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高频晶体管BFG35能用哪个晶体管来代替，MFR151管子能用哪个来代替？或是谁有这两个高频管子的原件库？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
最高的晶体管密度。超微缩指的是英特尔在14纳米和10纳米制程节点上提升2.7倍晶体管密度的技术。在此次“英特尔精尖制造日”活动上，英特尔“Cannon Lake”10纳米晶圆全球首次公开亮相。马博还演示
2017-09-22 11:08:53
`内容简介：《晶体管电路设计》(上)是“实用电子电路设计丛书”之一，共分上下二册。《晶体管电路设计》(上)作为上册主要内容有晶体管工作原理，放大电路的性能、设计与应用，射极跟随器的性能与应用电
2017-07-25 15:29:55
输出;还可以把基极电流lb放大β倍，然后在集电极以Ic形式输出。（2）场效应晶体管含义：原件要比晶体管小得多晶体管就是一个小硅片 但是场效应晶体管的结构要比晶体管的要复杂场效应管的沟道一般是几个纳米
2019-04-09 11:37:36
Nano-Proprietary旗下的Applied Nanotech公司与Funai Electric先进应用技术研究所日前宣布，双方将针对一个研究项目进行合作，共同开发基于酶涂层碳纳米管
2018-11-19 15:20:44
互补晶体管的匹配
2019-10-30 09:02:03
的晶体管。随着半导体刻蚀技术的发展，大规模集成电路的集成度越来越高。以动态随机存取存储器（DRAM）为例，其集成度正以每两年近四倍的速度增长，预计单电子晶体管将是最终目标。目前，平均存储器包含
2023-02-03 09:36:05
晶体管通道完全闭合；二维过渡金属二硫化物受损于其比透明导电氧化物还低的载流子迁移率。 在新加坡-麻省理工学院研究与技术联盟，正在先行研发一种有前景的替代材料：GaN。从光学角度看，GaN的带隙为
2020-11-27 16:30:52
掺杂水平的p型半导体材料制成。发射器掺杂的供体杂质比收集器高得多，而收集物的掺杂水平远低于发射器。NPN晶体管的偏置排列与PNP晶体管的偏置排列相反。电压已反转。电子具有比空穴更高的迁移率，是NPN类型
2023-02-03 09:50:59
，这种产品能够承受相当于65.0:1的电压驻波比(VSWR)的负载失配。但这些晶体管真的无懈可击吗？这种耐用性适用于哪些类型的应用？
2019-08-22 08:14:59
功率设计通常与集成电路 （IC） 逻辑一起使用，以驱动螺线管、发光二极管 （LED） 显示器和其他小负载。 与使用标准单晶体管相比，达林顿晶体管设计具有多个优势。该对中每个晶体管的增益相乘，从而产生
2023-02-16 18:19:11
FinFET成为它们的替代品。鳍式场效应晶体管比平面 MOSFET 更好地阻断短通道效应，从而实现晶体管缩放。 平面设计不会超出 30 nm 的栅极长度。栅极氧化物停止密封源头上的栅极控制，漏极较弱
2023-02-24 15:25:29
PNP晶体管在哪里使用？放大电路采用PNP晶体管。达林顿对电路采用PNP晶体管。机器人应用利用了PNP晶体管。PNP 晶体管用于控制大功率应用中的电流。如何控制PNP晶体管？首先，为了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
请教：单结晶体管在什么位置，有人说是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
做了一个单结晶体管仿真（电力电子技术的初学者）。有个问题请教于各位高手。1：开关初始时刻是闭合的时候，点击仿真，发光二极管不亮 。:2：初始时刻，开关打开，点击仿真后，点击开关闭合，二极管开始闪烁。按照道理来说。情境1与情境2不应该是一样的吗，为什么会有差别啊。
2017-03-07 21:07:45
各位高手，小弟正在学习单结晶体管，按照网上的电路图做的关于单结晶体管的仿真，大多数都不成功，请问谁有成功的单结晶体管的仿真仿真啊，可以分享下吗。
2016-03-04 09:15:06
NPN型双极性晶体管可以视为共用阳极的两个二极管接合在一起。在双极性晶体管的正常工作状态下，基极-发射极结（称这个PN结为“发射结”）处于正向偏置状态，而基极-集电极（称这个PN结为“集电结”）则处于反向偏置状态。
2019-09-26 09:00:23
。场效应晶体管有时被称为单极性晶体管，以它的单载流子型作用对比双极性晶体管（bipolar juncTIon transistors，缩写：BJT）。尽管由于半导体材料的限制，以及曾经双极性晶体管比
2019-05-08 09:26:37
、漏极电流等参数。选用音频功率放大器推挽输出用VMOS大功率场效应晶体管时，要求两管的各项参数要一致（配对），要有一定的功率余量。所选大功率管的最大耗散功率应为放大器输出功率的0.5~1倍,漏源击穿电压应为功放工作电压的2倍以上。
2021-05-13 07:10:20
载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。（4）场效应管能在很小
2021-05-13 07:09:34
。（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管
2017-05-06 15:56:51
）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管
2009-04-25 15:43:51
晶体管开关对电子产品至关重要。了解晶体管开关，从其工作区域到更高级的特性和配置。 晶体管开关对于低直流开/关开关的电子设备至关重要，其中晶体管在其截止或饱和状态下工作。一些电子设备（如 LED
2023-02-20 16:35:09
们测量NPN管时，正极测试引线连接到发射极，负极测试引线连接到集电极。测得的电阻一般应超过几千欧姆。 然后在基极和集电极之间串联一个100kΩ电阻。此时，万用表测量的电阻值应显着降低。变化越大，晶体管
2023-02-14 18:04:16
什么是微波功率晶体管？如何提高微波功率晶体管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
为了改善晶体管的开关特性，减小晶体管的损耗，在晶体管基极驱动电路的设计上会采取一些加速措施。如下： 加速电路一 在加速电路一中，并联在RB两端的电容CB称为加速电容，数值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2023-11-24 08:16:54
，这种产品能够承受相当于65.0:1的电压驻波比(VSWR)的负载失配。但这些晶体管真的无懈可击吗？这种耐用性适用于哪些类型的应用？
2019-08-22 06:13:27
晶体管依照用途大致分为高频与低频，它们在型号上的大致区别是什么？例如《晶体管电路设计》中列举的：高频（2SA****，2SC*****）、低频（2SB****，2SD****）。现在产品设计中最常用的型号是哪些？
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶体管的热噪声比较大，通过什么手段能解决？
2021-06-24 07:29:25
发光二极管(OLED)的有机层比液晶显示器(lcd)和发光二极管(led)中使用的晶体层更薄，也更轻。目前，oled 的厚度小于2毫米，而 LCD 的厚度为4-6毫米。有机发光二极管的厚度可能会进一步下降
2022-04-04 10:31:10
CN5711是一款电流调制集成电路，恒定输出电流可达1.5A，可以用来驱动包括白色发光二极管在内的各类发光二极管。CN5711的LED端电流通过一个外部的电阻设置，电流范围为30mA到1.5A。芯片
2015-05-06 17:16:52
% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V这一组最差数值代入式子②计算。根据下面的式子选择数字晶体管的电阻R1、R2，使数字晶体管的IC比使用设备上的最大输出电流Iomax大。∴ Iomax
2019-04-22 05:39:52
的基础上计算将R1的最大值+30% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V这一组最差数值代入式子②计算。根据下面的式子选择数字晶体管的电阻R1、R2，使数字晶体管的IC比使用设备上的最大输出电流
2019-04-09 21:49:36
急需一种流动性更强的新材料来替代硅。三五族材料砷化铟镓就是候选半导体之一，普渡大学通过这种材料做出了全球首款3D环绕闸极(gate-all-around)晶体管。此外，三五族合金纳米管将把闸极长度
2011-12-08 00:01:44
晶体管的代表形状晶体管分类图：按照该分类，掌握其种类1. 按结构分类根据工作原理不同分类，分为双极晶体管和单极晶体管。双极晶体管双是指Bi（2个）、极是指Polar（极性）。双极晶体管，即流经构成
2019-05-05 01:31:57
，LLC初级侧电流ILr由次级侧电流除以变压器匝数比n和磁化电流ILm的叠加组成。磁化电流不会传递到输出端，而是需要对晶体管的寄生输出电容以及变压器绕组内和绕组间电容的组合放电，从而实现晶体管导通的零
2023-02-27 09:37:29
求大佬分享一款适用于激光及MRI的宽带LDMOS晶体管
2021-06-08 06:29:42
如何用晶体管搭建一个放大电路，要求输入为1V，输出至少放大一倍，这么大的输入怎么做到不失真呢？
2016-06-11 16:17:59
用IBM43RF0100EV评估板评估IBM43RF0100 SiGe晶体管性能
2009-05-12 11:46:34
Ib放大β倍，然后在集电极以Ic形式输出。二、场效应晶体管：原件要比晶体管小得多.晶体管就是一个小硅片.但是场效应晶体管的结构要比晶体管的要复杂.场效应管的沟道一般是几个纳米,也就是说场效应晶体管
2019-03-27 11:36:30
CoolGaN™晶体管特性设计的栅极驱动电路如图1所示。为确保栅极驱动正常，驱动电压VS的峰值需要超过VF的两倍（通常使用8V～10V），通过Ron提供了一条瞬态低阻抗高速AC路径来为Con和CGS充电，然后
2021-01-19 16:48:15
碳纳米管/ TiO2 电极光电催化测定耐兰方法探讨摘要:自合成二氧化钛2碳纳米管( TiO22CN T) 复合催化剂,用Nafion 溶液把CN T2TiO2 固定到玻碳电极上制成CN T2TiO2
2009-08-08 09:44:34
碳纳米管针尖
2019-10-18 09:36:45
并采用CST进行仿真，结果表明纳米管束比单根纳米管的天线效率提高了30-40dB，文中把纳米管束作为电导率与纳米管根数成正比的单根天线来研究，在理论上不够准确，而且鉴于纳米管束的尺寸，采用中点馈电
2019-05-28 07:58:57
用LED做某种显示时，要在一批发光二极管，经过筛选找出其亮度接近的使用。用最简单的方法，搭一检测电路，完成发光二极管亮度筛选。 提示：指针式万用表、光电二极管等。。。。。。。
2017-12-01 22:22:43
用。（2）横向PNP管： 这种结构管子的载流子是沿着晶体管断面的水平方向运动的，故称为横向PNP管。由于受工艺限制，基区宽度不可能很小，所以它的值相对较低，一般为十几倍到二、三十倍。横向PNP管的优点
2019-04-30 06:00:00
见证者，肖克莱在这本笔记上郑重地签了名。1948年，肖克莱发明了“结型晶体管 ”。1948年7月1日，美国《纽约时报》只用了8个句子的篇幅，简短地公开了贝尔实验室发明晶体管的消息。“一石激起千层浪”，它就像颗重磅***，在全世界电子行业“引爆”出强烈的冲击波。电子计算机终于就要大步跨进第二代的门槛！
2012-08-02 23:55:11
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2018-12-12 09:07:55
这个达林顿晶体管厂家是哪家
2022-05-30 16:36:56
来自IBM、苏黎世理工学院和美国普渡大学的工程师近日表示，他们构建出了首个10纳米以下的碳纳米管(CNT)晶体管
2012-02-04 09:45:29
843 FinFET的芯片。在2月份举行的这次Common Platform 2013技术论坛上，IBM除了展示FinFET这种3D晶体管技术外，还展示了诸如硅光子晶体管，碳纳米管等前沿技术。
2013-02-20 23:04:307798 米特拉表示，“如果利用碳纳米管晶体管取代硅晶体管，效能比可提高1000倍。”
2016-08-22 14:03:54986 但是，这并不代表着对碳纳米管半导体技术的研发会一帆风顺。1998年首个碳纳米管晶体管研发至今，碳纳米管半导体技术一直遭遇材料上的瓶颈。长期以来，最小碳纳米管CMOS器件的栅长停滞在20nm（2014年 IBM）。
2020-08-31 15:00:503526 新的制造工艺，该工艺可以更好地控制碳纳米管晶体管。这种控制对于确保在逻辑电路中充当晶体管的晶体管完全关闭时至关重要。
2020-12-15 15:22:131610 碳纳米管具有高稳定性和卓越的电子特性，已成为替代晶体管中硅的主要候选材料。在11 月 17 日发表于《科学》杂志的一篇评论文章中，西北大学的Mark Hersam及其合作者概述了碳纳米管在高性能 IC 以及适用于物联网的低成本/低性能电子产品中的机遇和剩余挑战
2022-11-25 10:03:361104
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