据TechCrunch网站报道，碳纳米管属于一种超级材料——它是直径为1或2纳米的圆柱状物，它有包括从超级计算机到效能比更高的智能手机在内的许多梦幻般应用。问题是，它们不容易制造，推出商业化碳纳米管产品可能尚需10-15年。
2016-08-22 10:09:07
2131 达林顿晶体管（Darlington Transistor）也称为达林顿对（Darlington Pair），是由两个或更多个双极性晶体管（或其他类似的集成电路或分立元件）组成的复合结构。通过这种结构，第一个双极性晶体管放大的电流可以进一步被放大，从而提供比其中任意一个双极性晶体管高得多的电流增益。
2024-02-27 15:50:5313533 
:56～58）发现的新材料，是石墨化的碳原子卷曲而成的纳米级无缝中空管状结构。碳纳米管的物理结构就决定了，碳纳米管具有多种优异的力学、热学和电学性能。例如，碳纳米管的导热性是铜的5倍，拉伸强度达到50
2023-07-19 13:35:502229 
通。晶体管导通时，开关就导通，并且允许电流通过该管。晶体管开关工作方式的电路通常采用集电极开路的连接方式晶体管作为电子开关使用时，能够对被控对象进行控制，诸如LED、电动机、继电器线圈等。应为此时晶体管
2017-03-28 15:54:24
管的E极接A点，C极接B点；NPN管的E有接B点，C极接A点）后，调节电源电压，当发光二极管LED点亮时，A、B两端之间的电压值即是晶体管的反向击穿电压。(本文由Cogo商城-IC元器件在线采购平台
2012-04-26 17:06:32
晶体管的主要参数有哪些？晶体管的开关电路是怎样的？
2021-06-07 06:25:09
不同分类角度，有几种不同的分类方法。在这里，从结构和工艺方面粗略地分类如下。其中，本篇的主题“功率类”加粗/涂色表示。双极晶体管和MOSFET中，分功率型和小信号型，IGBT原本是为处理大功率而开发
2018-11-28 14:29:28
即是内置了电阻的晶体管。数字晶体管有诸多优点如：1. 安装面积减少 2. 安装时间减 3. 部件数量减少 等等。数字晶体管是ROHM的专利。内置电阻的晶体管是由ROHM最早开发并取得专利的。5. 基极
2019-07-23 00:07:18
即是内置了电阻的晶体管。数字晶体管有诸多优点如：1. 安装面积减少 2. 安装时间减 3. 部件数量减少 等等。数字晶体管是ROHM的专利。内置电阻的晶体管是由ROHM最早开发并取得专利的。5. 基极
2019-05-05 00:52:40
变化的β倍， 也就是说，电流变化放大了β倍，所以我们称之为β晶体管的放大倍率（β一般远大于1）。如果我们在基极和发射极之间增加一个变化的小信号，它会导致基极电流Ib的变化。Ib的变化被放大后，会导致
2023-02-08 15:19:23
发射极始终偏置为负，因此基极和发射极（VBE）之间的电压现在在基极为负，在发射极为正。此外，发射极电源电压相对于集电极（VCE）为正。因此，要使PNP晶体管导通，发射极必须始终比基极和集电极更正。如图所示
2023-02-03 09:44:48
multisim仿真中高频晶体管BFG35能用哪个晶体管来代替，MFR151管子能用哪个来代替？或是谁有这两个高频管子的原件库？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
最高的晶体管密度。超微缩指的是英特尔在14纳米和10纳米制程节点上提升2.7倍晶体管密度的技术。在此次“英特尔精尖制造日”活动上，英特尔“Cannon Lake”10纳米晶圆全球首次公开亮相。马博还演示
2017-09-22 11:08:53
步骤造成的损坏，并且可以使用成熟的二氧化硅材料和工具来构建。
由于现在的壁厚为 15 纳米，这可能会影响晶体管密度，因为外壁叉片器件比内壁叉片晶体管更大。然而，外壁叉片晶体管提供的可制造性和性能优势
2025-06-20 10:40:07
Nano-Proprietary旗下的Applied Nanotech公司与Funai Electric先进应用技术研究所日前宣布，双方将针对一个研究项目进行合作，共同开发基于酶涂层碳纳米管
2018-11-19 15:20:44
互补晶体管的匹配
2019-10-30 09:02:03
的晶体管。随着半导体刻蚀技术的发展，大规模集成电路的集成度越来越高。以动态随机存取存储器（DRAM）为例，其集成度正以每两年近四倍的速度增长，预计单电子晶体管将是最终目标。目前，平均存储器包含
2023-02-03 09:36:05
晶体管通道完全闭合；二维过渡金属二硫化物受损于其比透明导电氧化物还低的载流子迁移率。 在新加坡-麻省理工学院研究与技术联盟，正在先行研发一种有前景的替代材料：GaN。从光学角度看，GaN的带隙为
2020-11-27 16:30:52
功率设计通常与集成电路 （IC） 逻辑一起使用，以驱动螺线管、发光二极管 （LED） 显示器和其他小负载。 与使用标准单晶体管相比，达林顿晶体管设计具有多个优势。该对中每个晶体管的增益相乘，从而产生
2023-02-16 18:19:11
做了一个单结晶体管仿真（电力电子技术的初学者）。有个问题请教于各位高手。1：开关初始时刻是闭合的时候，点击仿真，发光二极管不亮 。:2：初始时刻，开关打开，点击仿真后，点击开关闭合，二极管开始闪烁。按照道理来说。情境1与情境2不应该是一样的吗，为什么会有差别啊。
2017-03-07 21:07:45
各位高手，小弟正在学习单结晶体管，按照网上的电路图做的关于单结晶体管的仿真，大多数都不成功，请问谁有成功的单结晶体管的仿真仿真啊，可以分享下吗。
2016-03-04 09:15:06
晶体管开关对电子产品至关重要。了解晶体管开关，从其工作区域到更高级的特性和配置。 晶体管开关对于低直流开/关开关的电子设备至关重要，其中晶体管在其截止或饱和状态下工作。一些电子设备（如 LED
2023-02-20 16:35:09
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2023-11-24 08:16:54
CN5711是一款电流调制集成电路，恒定输出电流可达1.5A，可以用来驱动包括白色发光二极管在内的各类发光二极管。CN5711的LED端电流通过一个外部的电阻设置，电流范围为30mA到1.5A。芯片
2015-05-06 17:16:52
% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V这一组最差数值代入式子②计算。根据下面的式子选择数字晶体管的电阻R1、R2，使数字晶体管的IC比使用设备上的最大输出电流Iomax大。∴ Iomax
2019-04-22 05:39:52
的基础上计算将R1的最大值+30% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V这一组最差数值代入式子②计算。根据下面的式子选择数字晶体管的电阻R1、R2，使数字晶体管的IC比使用设备上的最大输出电流
2019-04-09 21:49:36
急需一种流动性更强的新材料来替代硅。三五族材料砷化铟镓就是候选半导体之一，普渡大学通过这种材料做出了全球首款3D环绕闸极(gate-all-around)晶体管。此外，三五族合金纳米管将把闸极长度
2011-12-08 00:01:44
晶体管的代表形状晶体管分类图：按照该分类，掌握其种类1. 按结构分类根据工作原理不同分类，分为双极晶体管和单极晶体管。双极晶体管双是指Bi（2个）、极是指Polar（极性）。双极晶体管，即流经构成
2019-05-05 01:31:57
，LLC初级侧电流ILr由次级侧电流除以变压器匝数比n和磁化电流ILm的叠加组成。磁化电流不会传递到输出端，而是需要对晶体管的寄生输出电容以及变压器绕组内和绕组间电容的组合放电，从而实现晶体管导通的零
2023-02-27 09:37:29
求大佬分享一款适用于激光及MRI的宽带LDMOS晶体管
2021-06-08 06:29:42
用IBM43RF0100EV评估板评估IBM43RF0100 SiGe晶体管性能
2009-05-12 11:46:34
碳纳米管针尖
2019-10-18 09:36:45
并采用CST进行仿真，结果表明纳米管束比单根纳米管的天线效率提高了30-40dB，文中把纳米管束作为电导率与纳米管根数成正比的单根天线来研究，在理论上不够准确，而且鉴于纳米管束的尺寸，采用中点馈电
2019-05-28 07:58:57
用。（2）横向PNP管： 这种结构管子的载流子是沿着晶体管断面的水平方向运动的，故称为横向PNP管。由于受工艺限制，基区宽度不可能很小，所以它的值相对较低，一般为十几倍到二、三十倍。横向PNP管的优点
2019-04-30 06:00:00
采取直接在硅片上真空蒸镀NiCr合金作为催化剂，用化学气相沉积法制备了碳纳米管薄膜。并采用H2等离子体球处理碳纳米管薄膜，测试其场发射特性，并与未经处理的碳纳米管薄
2008-12-03 12:55:26
13 随着对碳纳米管研究的不断深入，对碳纳米管的应用研究越来越受到人们的重视。通过分析碳纳米管的物理特性，对碳纳米管的应用前景进行了广泛的探索。着重分析了碳纳米管
2009-07-13 10:28:1813 文章系统地论述了非碳纳米管的制备,较详尽地介绍了多种非碳纳米管制备最新的进展,包括硫化物、氮化物、氧化物等等,特别重点地总结了非碳纳米管前沿材料,例如WS2 ,Bi2 S3 , ZnS,
2010-11-21 12:35:4652 英飞凌科技公司（Infineon），设在慕尼黑的实验室最近取得了新的突破——这里的研究人员成功开发出全球最小的纳米晶体管，其沟槽长度仅为18纳米，几乎是当前最先进的晶
2006-03-11 22:10:391263
如何测量单结晶体管的分压比
2009-08-12 11:44:511924 
晶体管（transistor）
4
5纳米工艺的四核处理器已能容纳8亿个晶体管
2009-11-05 10:34:251669 爱尔兰科学家开发出业内首款非节型晶体管
爱尔兰丁铎尔国家研究院的科学家最近宣称他们成功制出了业内首款非节型晶体管，并称此项发明对10nm级别制程意义重大
2010-02-24 10:08:25839 PNP晶体管,PNP晶体管是什么意思
PNP晶体管是另一种类型晶体管.它的结构如图1所示。
2010-03-05 11:18:056814 双极晶体管,双极晶体管是什么意思
双极晶体管
双极型晶体管内部电流由两种载流子形成，它是利用电流来控制。场效应管是电压控制器
2010-03-05 11:48:466586 CMOS晶体管,CMOS晶体管是什么意思
金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分
2010-03-05 15:22:514129 晶体管耗散功率,晶体管耗散功率是什么意思
晶体管耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大
2010-03-05 17:34:108979 4月8日消息，据国外媒体报道，本周四IBM向媒体展示了其最快的石墨烯晶体管，该产品每秒能执行1550亿个循环操作，比之前的试验用晶体管快50%。
2011-04-08 09:32:42981 对碳纳米管阴极的制备以及场发射显示器的真空封装技术进行了研究.利用一种新的碳纳米管生长工艺制备出了具有优良场发射性能的碳纳米管阴极.并将这种直接生长的碳纳米管薄膜作
2011-04-19 12:24:2542 碳纳米管具有一些独特的电学性质, 在纳米电子学有很好的应用前景。随着纳米技术的发展, 新的工艺技术也随之产生。纳米器件的由下至上制作工艺, 是在纳米技术和纳米材料的基础之
2011-06-21 17:50:0662 Intel在微处理器晶体管设计上取得重大突破，沿用50多年的传统硅晶体管将实现3D架构，一款名为Tri-Gate的晶体管技术得到实现。 3D Tri-Gate晶体管使用了一个微薄的三维硅鳍片取代了传统
2011-10-25 09:35:401712 来自IBM、苏黎世理工学院和美国普渡大学的工程师近日表示，他们构建出了首个10纳米以下的碳纳米管(CNT)晶体管
2012-02-04 09:45:291105 英特尔已经准备把第一个3D晶体管结构导入大量生产，它将是首款使用3-D Tri-Gate晶体管的量产芯片。22纳米处理器，代号为Ivy Bridge。3-D晶体管和2-D平面晶体管有本质性的区别，它不只可
2012-08-15 11:23:241252 
蓝色巨人IBM的科学家们再次展示了他们雄厚的科研实力：历史上第一次，使用标准的主流半导体工艺，将一万多个碳纳米管打造的晶体管精确地放置在了一颗芯片内，并通过了可行性测
2012-10-29 11:44:488434 根据最新消息，IBM成功利用碳纳米材料，在单个芯片上集成了上万个9nm制程工艺的晶体管，相信大家对于著名的摩尔定律都略知一二，但是随着集成电路晶体管尺寸越来越小，CPU内存等
2012-11-08 10:28:184009 据国外媒体报道，MIT 的科学家已经研发出了一种新型晶体管，新的晶体管通过材料原子结构中的洞孔来让电流通过，速度是当前晶体管的 4 倍左右。
2013-01-04 09:02:443549 FinFET的芯片。在2月份举行的这次Common Platform 2013技术论坛上，IBM除了展示FinFET这种3D晶体管技术外，还展示了诸如硅光子晶体管，碳纳米管等前沿技术。
2013-02-20 23:04:308361 斯坦福大学发布了首款由碳纳米晶体管组成的电脑芯片。硅晶体管早晚会走到道路的尽头。晶体管越做越小，以至于它不能够容纳下足够的硅原子来展示硅的特性。
2013-02-28 09:34:492328 米特拉表示，“如果利用碳纳米管晶体管取代硅晶体管，效能比可提高1000倍。”
2016-08-22 14:03:541290 IBM 的研究人员已经找到了如何使用碳纳米管制造微型芯片的方法，这一成果可以让我们制造更强的芯片，使得曲面电脑、可注射芯片成为可能。
2016-11-17 13:51:401393 IBM在美国举行的IEEE国际电子组件会议（IEDM，12月3~7日）上展示纳米等级组件的热图（heat-maps）；该公司采用了一种新方法，能更精确地量测次14纳米世代晶体管温度──藉由先测量一个
2016-12-07 11:22:43675 金百纳的核心技术是碳纳米管的制备技术，具有纯度高，管径小等优点。用其分散出来的新型碳纳米管导电浆料(GCN168-40H)，与同类碳纳米管导电浆料产品相比具有铁杂质含量低，导电性好等优点，能够更好的满足动力电池对安全性和导电性需求。
2017-12-27 11:42:525110 
目前碳纳米管的制备方法主要有三种，分别是弧光放电法，激光高温烧灼法以及化学气相沉淀法。本文采用的实验样品是使用化学气相沉淀法制备多壁碳纳米管阵列
2018-03-23 17:10:0012878 
在Nano Letters杂志描述的研究中，Barron和他的团队在尝试了各种方法从各种污染物中清洁碳纳米管之后，对多壁碳纳米管和单壁碳纳米管进行了艰苦的阻力测量。 结果是他们可以去除的杂质越多，阻力测量值越准确和一致。
2018-03-09 15:41:345001 经多年研发，赵社涛最近成功突破了碳纳米管导电剂的新世代生产技术，进一步大大提高了现有小管径碳纳米管导电剂的性能。新工艺所制造的碳纳米管集三大优点于一身：1、是陈列式的碳纳米管，蓬松易分散；2
2018-08-21 17:15:3210351 
文章介绍了碳纳米管的结构和性能，综述了碳纳米管/聚合物复合材料的制备方法及其聚合物结构复合材料和聚合物功能复合材料中的应用研究情况，在此基础上，分析了碳纳米管在复合材料制备过程中的纯化、分散、损伤和界面等问题，并展望了今后碳纳米管/聚合物复合材料的发展趋势。
2018-12-13 08:00:008 MIT和ADI公司的研究人员们创造了第一个完全可编程的16位碳纳米管微处理器。它是迄今基于碳纳米管的CMOS逻辑最复杂的集成，拥有14000多个晶体管，基于RISC-V架构，可执行与商用微处理器相同的任务。
2019-09-02 14:37:291575 以半导体碳纳米管为基础的晶体管作为先进微电子器件中硅晶体管的替代品，显然很有前景。但碳纳米管固有的纳米级缺陷和可变性，以及处理它们面临的挑战，阻碍了它们在微电子领域的实际应用。
2019-09-07 07:08:008089 CPU里的晶体管都是集成的超微晶体管，一个22纳米工艺的i5可能集成上十亿的晶体管。
2020-01-31 16:10:0015286 本文首先阐述了晶体管的概念，其次介绍了晶体管的优越性，最后阐述了晶体管的控制方式。
2020-03-14 09:47:1213941 EPFL研究人员已经开发出一种比当今最快的晶体管运行速度快十倍的器件。新设备的运行速度也比目前计算机中的晶体管快100倍左右。他们发明的纳米级设备能够产生高功率太赫兹波。
2020-03-28 14:12:202865 EPFL研究人员已经开发出一种比当今最快的晶体管运行速度快十倍的器件。新设备的运行速度也比目前计算机中的晶体管快100倍左右。
2020-03-28 22:35:282961 EPFL研究员开发出了一种比现今最快的晶体管运行速度快十倍器件，并且新设备在运行速度上也比当前计算机中的晶体管快100倍左右。
2020-04-02 11:55:352769 纳米光子学领域的研究人员一直在努力开发光学晶体管，这是未来光学计算机的关键组件。
2020-04-12 17:35:322869 1、晶体管的选型：根据负载电流、负载电源电压来确定具体晶体管型号，需要保证 Ic负载电流，Vceo负载电压，Vcbo负载电压 2、确定偏置电阻：基极电流大于1/倍，晶体管处于导通状态，而这个基极电流
2020-05-26 08:07:385625 
通过使用与制造硅基晶体管相同的设备，可以实现这种快速生产。碳纳米管场效应晶体管（CNFET）比当前的硅芯片具有更高的能源效率，可用于制造新型的三维处理器，但是由于制造方面的限制，迄今为止它们大多
2020-06-11 15:04:283216 图1 中所示倍压器用晶体管代替二极管，所以比图2中的常规倍压器具有更好的倍压性能。常规倍压器的输出电压可以表示为VOUTDC=2VINAC–2VD，其中VOUTDC 为输出直流电压，VINAC 为
2020-08-13 10:59:34787 
但是，这并不代表着对碳纳米管半导体技术的研发会一帆风顺。1998年首个碳纳米管晶体管研发至今，碳纳米管半导体技术一直遭遇材料上的瓶颈。长期以来，最小碳纳米管CMOS器件的栅长停滞在20nm（2014年 IBM）。
2020-08-31 15:00:504507 333.33，几乎是台积电5nm的两倍，也比外界预估台积电3nm工艺的292.21 MTr/mm2要高。 换而言之，这种技术能在指甲盖大小（150mm）的芯片上安装500亿个晶体管。相比于7nm芯片，这种
2021-05-19 17:38:155143 
使用碳纳米管作为沟道材料，并使用离子凝胶作为栅极的场效应晶体管，可承受高强度的辐射，在辐射损坏后，并且可以经过简单的工艺恢复。
2020-11-04 15:22:222778 新的制造工艺，该工艺可以更好地控制碳纳米管晶体管。这种控制对于确保在逻辑电路中充当晶体管的晶体管完全关闭时至关重要。
2020-12-15 15:22:132363 研究人员寻求通过在纳米管和晶体管栅极之间，使用更薄的绝缘体来更好地控制碳纳米晶体管。 在 近日的IEEE Electron Devices Meeting (IEDM)会议上，碳纳米管期间
2021-01-16 09:40:083366 过时。IBM 在 2021 年就证明了这一点，其突破性的 2 纳米芯片技术颠覆了市场。这个新的制造时代得益于减少芯片纳米的竞赛。 今天，晶体管的标准长度是10纳米，而且随着最新研究，顶级公司已经生产了5纳米或7纳米的芯片。从历史
2022-01-07 10:12:35743 碳纳米管具有高稳定性和卓越的电子特性，已成为替代晶体管中硅的主要候选材料。在11 月 17 日发表于《科学》杂志的一篇评论文章中，西北大学的Mark Hersam及其合作者概述了碳纳米管在高性能 IC 以及适用于物联网的低成本/低性能电子产品中的机遇和剩余挑战
2022-11-25 10:03:361999 沟道表面的氧化钇薄膜由电子束蒸发镀膜仪所蒸镀的金属钇加热氧化形成，随后在沟道表面蒸镀金纳米薄膜，金纳米薄膜会自团聚形成金颗粒，自此完成浮栅型碳纳米管场效应晶体管（FG-CNT-FET）的制备以及表面的金纳米颗粒修饰。
2023-03-23 11:04:103471 据麦姆斯咨询报道，日本电气（NEC Corporation）近日宣布，其成功开发出了世界上首款采用高纯度半导体碳纳米管（CNT）的高灵敏度非制冷红外图像传感器。
2023-04-21 09:21:352125 近日，北京大学彭练矛院士/张志勇教授团队 造出一款基于阵列碳纳米管的 90nm 碳纳米管晶体管 ，具备可以高度集成的能力。 基于该90nm 碳纳米管晶体管技术，目前该团队研发的高灵敏碳纳米管
2023-09-05 15:10:181860 
随着科技的进步，碳纳米管（Carbon Nanotubes，CNT）已经逐渐引领锂电池领域的革新浪潮。传统导电剂的替代者，碳纳米管以其卓越的性能特点，包括优异的导电导热性能、阻酸抗氧化性、低阻抗等
2023-10-27 17:41:235386 IBM 的概念纳米片晶体管在氮沸点下表现出近乎两倍的性能提升。这一成就预计将带来多项技术进步，并可能为纳米片晶体管取代 FinFET 铺平道路。更令人兴奋的是，它可能会导致更强大的芯片类别的开发。
2023-12-26 10:12:551206 IBM突破性研发的纳米片晶体管，通过将硅通道薄化切割为纳米级别的薄片，再用栅极全方位围绕，实现更为精准控电。此结构使得在指甲盖大小空间内可容纳最多达500亿个晶体管，并且经过液氮冷却处理，其性能飙升至原本的两倍之多。
2023-12-26 14:55:071245 研究中，他们提出了一种顶栅互补碳纳米管金属-氧化物-半导体场效应晶体管结构（Top Gate complementary CNT MOSFETs）。在该结构中，通过将掺杂仅仅局限在延伸部分，而在通道保持未掺杂的状态，凭借这一架构课题组消除了金属电极的重叠
2024-01-05 16:08:321824 
晶体管光耦是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器，通过光电效应和晶体管放大特性，实现电信号的光学隔离与传输、确保信号稳定可靠。
2024-08-27 09:23:201045 
NMOS晶体管和PMOS晶体管是两种常见的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）类型，它们在多个方面存在显著的差异。以下将从结构、工作原理、性能特点、应用场景等方面详细阐述NMOS晶体管和PMOS晶体管的区别。
2024-09-13 14:10:009544 。碳纳米管的长径比、碳纯度作为影响导电性的两个核心指标，直接决定了碳纳米管的产品性能，碳纳米管管径越细，长度越长，导电性能越好。 CNT具有突出的多方面性能：1）力学性能：具有极高的弹性和韧性，杨氏模量是钢的近6倍、抗拉强度是钢
2024-12-03 17:11:535424 
碳纳米管与石墨烯的比较 碳纳米管和石墨烯都是碳的同素异形体，它们具有独特的物理和化学性质，并在许多领域展现出广泛的应用潜力。以下是两者的主要区别： 碳纳米管 石墨烯 结构 中空管状结构，分为单壁和多
2024-12-11 18:05:446303 碳纳米管的导电性能介绍 1. 碳纳米管的结构特性 碳纳米管的结构可以看作是石墨烯（单层碳原子构成的二维材料）卷曲而成的一维结构。根据卷曲的方式不同，碳纳米管可以分为扶手椅型、锯齿型和手性碳纳米管
2024-12-12 09:07:023993 碳纳米管的结构与特性解析 1. 结构概述 碳纳米管（Carbon Nanotubes，简称CNTs）是一种由碳原子组成的纳米级管状结构材料，具有独特的一维纳米结构。它们可以看作是石墨烯（单层碳原子
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