什么是3D晶体管？3D晶体管，从技术上讲，应该是三个门晶体管。传统的二维门由较薄的三维硅鳍（fin）所取代，硅鳍由硅基垂直伸出。
2012-08-08 11:12:01
3086 8050的情况下，补码通常是8550。8050和8550晶体管的技术额定值通常是相同的。区别在于它们的极性。它们共同允许电流安全地流过无线电和无线电，从而为传输提供动力，并允许在用户端实现多种功能
2023-02-16 18:22:30
其实早在2002年Intel即发现了这一技术，一直处于试验演示阶段，现在终于把它变成了现实，Intel打算把它融入到22nm的“Ivy Bridge”芯片，Ivy Bridge晶体管的数量将达到10亿。
2020-04-07 09:01:21
3D显示技术的原理是什么？3D显示技术有哪些应用？3D拍好了到底怎么样传输？
2021-05-31 06:53:03
的减轻产品重量呢？采用新型的塑料成型技术：3D混合制造 可以到达要求，3D混合制造步骤是3D打印成型/激光LDS选择性沉积金属。采用这种工艺的好处是节省了制造时间和实现了复杂的馈源/波导等器件的一体化免安装调试，且带来的另外好处是大幅度减轻了产品重量。下面举例说明：
2019-07-08 06:25:50
晶体管技术方案面临了哪些瓶颈？
2021-05-26 06:57:13
的B和C对称、和E极同样是N型。也就是说，逆接C、E也同样有晶体管的功效。即电流由E→C流动。3. 逆向晶体管有如下特点。hFE低（正向约10%以下）耐压低 (7 to 8Ｖ 与VEBO一样低)↑通用
2019-04-09 21:27:24
晶体管并联时，当需要非常大的电流时，可以将几个晶体管并联使用。因为存在VBE扩散现象，有必要在每一个晶体管的发射极上串联一个小电阻。电阻R用以保证流过每个晶体管的电流近似相同。电阻值R的选择依据
2024-01-26 23:07:21
晶体管之间的差异性：就三极管，mos管和可控硅之间的差别和相同点的相关概念有点模糊，请各位大侠指点！！！
2016-06-07 23:27:44
晶体管分类 按半导体材料和极性分类 按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。 按结构
2010-08-12 13:59:33
晶体管参数测量技术报告摘 要晶体管的参数是用来表征管子性能优劣和适应范围的指标，是选管的依据。为了使管子安全可靠的工作，必须注意它的参数。本文主要论述以AduC812为核心的晶体管参数测试系统，该系
2012-08-02 23:57:09
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 编辑
晶体管作为电流单方向通过的电子开关使用晶体管也可以作为电子开关使用。但这个开关的电流方向只能是单向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
` 《晶体管电路设计（下）》是“实用电子电路设计丛书”之一，共分上下二册。本书作为下册主要介绍晶体管／FET电路设计技术的基础知识和基本实验，内容包括FET放大电路、源极跟随器电路、功率放大器
2019-03-06 17:29:48
晶体管图示仪器是用来测量晶体管输入、输出特性曲线的仪器。在实验、教学和工程中通过使用图示仪，可以获得晶体管的实际特性，能更好的发挥晶体管的作用。
2021-05-07 07:43:17
的hFE档测量。测量时，应先将万用表置于ADJ档进行调零后，再拨至hFE档，将被测晶体管的C、B、E三个引脚分别插入相应的测试插孔中（采用TO-3封装的大功率晶体管，可将其3个电极接出3根引线后，再分
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改变晶体管的放大倍数？有的器件有放大倍数改变的参数。另外，不同的仿真模型参数不同如何改变？
2014-02-28 08:42:03
晶体管测量模块的基本特性有哪些？晶体管测量模块的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
组成。 BA.3B.4C.5D.63.固定偏置共射极放大电路，已知RB=300KΩ，RC=4KΩ，Vcc=12V，β=50，则ICQ为( )。 CA.2μAB.3μAC.2mAD.3mA4.三相异步电动机的转子由转子铁心、转子绕组、风扇、换向器等组成。 ×5.单结晶体管的结构中有( )个PN结。 CA.
2021-09-02 06:19:31
从事电子设计7年了，发觉这两本书挺好的，发上来给大家分享一下附件晶体管电路设计（上）放大电路技术的实验解析.pdf42.5 MB晶体管电路设计（下）FET_功率MOS_开关电路的实验解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
`非常不错的晶体管电路设计书籍！`
2016-11-08 14:12:33
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-3 21:31 编辑
图解实用电子技术丛书---晶体管电路设计与制作，黑田彻著aTeastaEdaitaTeastaEdait
2013-11-01 17:14:06
IC一般不能超出ICM。(3) 集电极最大允许功耗PCMPCM是指晶体管参数变化不超出规定允许值时的最大集电极耗散功率。使用晶体管时，实际功耗不允许超过PCM，通常还应留有较大余量，因为功耗过大往往是
2018-06-13 09:12:21
晶体管的主要参数有哪些？晶体管的开关电路是怎样的？
2021-06-07 06:25:09
（电阻器）组成。构成晶体管的硅是形成地球的岩石中大量含有的物质。因此，晶体管也俗称"石"，设计者常用"…之石"的叫法3. 按集成度分类为满足客户需求，ROHM在分立式
2019-04-10 06:20:24
本文为大家介绍“Si晶体管”（之所以前面加个Si,是因为还有其他的晶体管，例如SiC）。 虽然统称为“Si晶体管”，但根据制造工艺和结构，还可分为“双极”、“MOSFET”等种类。另外，还可根据处理
2020-06-09 07:34:33
本篇开始将为大家介绍“Si晶体管”。虽然统称为“Si晶体管”，不过根据制造工艺和结构，还可分为“双极”、“MOSFET”等种类。另外，还可根据处理的电流、电压和应用进行分类。下面以“功率元器件”为主
2018-11-28 14:29:28
晶体管概述的1. 1948年、在贝尔电话研究所诞生。1948年，晶体管的发明给当时的电子工业界来带来了前所未有的冲击。而且，正是这个时候成为了今日电子时代的开端。之后以计算机为首，电子技术取得急速
2019-07-23 00:07:18
有效芯片面积的增加，(2)技术上的简化，(3)晶体管的复合——达林顿，(4)用于大功率开关的基极驱动技术的进步。、直接工作在整流380V市电上的晶体管功率开关晶体管复合(达林顿)和并联都是有效地增加
2018-10-25 16:01:51
晶体管概述的1. 1948年、在贝尔电话研究所诞生。1948年，晶体管的发明给当时的电子工业界来带来了前所未有的冲击。而且，正是这个时候成为了今日电子时代的开端。之后以计算机为首，电子技术取得急速
2019-05-05 00:52:40
）用业收集电子。晶体管的发射极电流IE与基极电流IB、集电极电流IC之间的关系如下：IE=IB+IC3．晶体管的工作条件晶体管属于电流控制型半导体器件，其放大特性主要是指电流放大能力。所谓放大，是指当
2013-08-17 14:24:32
图像中放、伴音中放、缓冲放大等）电路中使用的高频晶体管，可以选用特征频率范围在30~300MHZ的高频晶体管，例如3DG6、3DG8、3CG21、2SA1015、2SA673、2SA733、S9011
2012-01-28 11:27:38
的B和C对称、和E极同样是N型。也就是说，逆接C、E也同样有晶体管的功效。即电流由E→C流动。3. 逆向晶体管有如下特点。hFE低（正向约10%以下）耐压低 (7 to 8Ｖ 与VEBO一样低)↑通用
2019-05-09 23:12:18
晶体管 &
2010-08-12 13:57:39
【不懂就问】图中的晶体管驱动电路，在变压器Tr的副边输出电阻R3上并联的二极管D2，说D2的作用是在输入端有正脉冲输入时使得变压器次级产生的的正脉冲通过D2，直接驱动MOSFET管Q2，达到提高导
2018-07-09 10:27:34
是碳化硅（SiC）衬底上的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。这种GaN内匹配（IM）场效应晶体管与其他技术相比，提供了优异的功率附加效率。GaN与硅或砷化镓相比具有更高的性能，包括更高
2018-08-13 10:58:03
Finfet技术（3D晶体管）详解
2012-08-19 10:46:17
JY-3晶体管测试仪技术说明书
2012-08-03 00:00:14
。图片：D. Hisamoto等人，1990年 英特尔在 2012 年宣布使用批量配置（22 纳米技术）（图 11）。 图 11.英特尔的鳍式场效应晶体管。图片：英特尔公司 一些基本功能
2023-02-24 15:20:59
求大神相助，Multisim里面雪崩晶体管的过压击穿怎么放着那，当我设的电压已经大于了Vcbo滞后还是不见晶体管导通。
2014-08-08 10:42:58
一、引言PNP 晶体管是双极结型晶体管（BJT）。PNP晶体管具有与NPN晶体管完全不同的结构。在PNP晶体管结构中，两个PN结二极管相对于NPN晶体管反转，使得两个P型掺杂半导体材料被一层薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
近年来，3D打印技术全面开花！好像隔两天你就会听到3D打印引领发展潮流的相关报道。最近，我读到一篇有关第一台太空3D打印机的报道。NASA希望3D打印将在某一天随时随地为打印备用零件提供资源，并且在
2018-09-11 14:04:15
晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能
2010-08-13 11:36:51
作， (3)可得到的器件耐压范围从100V到700V，应有尽有． 几年前，晶体管的开关能力还小于10kW。目前，它已能控制高达数百千瓦的功率。这主要归功于物理学家、技术人员和电路设计人员的共同努力，改进
2010-08-13 11:38:59
multisim仿真中高频晶体管BFG35能用哪个晶体管来代替，MFR151管子能用哪个来代替？或是谁有这两个高频管子的原件库？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
本帖最后由 王栋春 于 2021-1-5 22:40 编辑
《晶体管电路设计与制作》是“图解实用电子技术丛书”之一。本书首先对各种模拟电路的设计和制作进行详细叙述；然后利用可在微机
2021-01-05 22:38:36
与销售集团总裁Stacy Smith英特尔公司执行副总裁兼制造、运营与销售集团总裁Stacy Smith全球首次展示“Cannon Lake”10纳米晶圆，采用超微缩技术，拥有世界上最密集的晶体管和最小
2017-09-22 11:08:53
世界首款3D芯片工艺即将由无晶圆半导体公司BeSang授权。 BeSang制造了一个示范芯片，在逻辑控制方面包含1.28亿个纵向晶体管的记忆存储单元。该芯片由韩国国家Nanofab和斯坦福
2008-08-18 16:37:37
互补晶体管的匹配
2019-10-30 09:02:03
当3D电影已成为影院观影的首选，当3D打印已普及到双耳无线蓝牙耳机，一种叫“3D微波”的技术也悄然而生。初次听到“3D微波”，你可能会一脸茫然，这个3D微波是应用在哪个场景？是不是用这种技术的微波炉1秒钟就能把饭煮熟？O M G!我觉得很有必要给大家科普一下！
2019-07-02 06:30:41
调制和振荡器。晶体管可以独立封装，也可以封装在非常小的区域内，容纳1亿个或更多晶体管集成电路的一部分。（英特尔 3D 晶体管技术）严格来说，晶体管是指基于半导体材料的所有单一元件，包括由各种半导体材料
2023-02-03 09:36:05
显示器和透明太阳能电池板产品的出现。 在许多透明电子系统中，晶体管都是至关重要的部件。如今，这种器件通常是薄膜晶体管形式，由In2O3、ZnO2、SnO2等透明导电氧化物材料制成。 不过，薄膜晶体管
2020-11-27 16:30:52
达林顿晶体管是一对双极晶体管，连接在一起，从低基极电流提供非常高的电流增益。输入晶体管的发射极始终连接到输出晶体管的基极;他们的收藏家被绑在一起。结果，输入晶体管放大的电流被输出晶体管进一步放大
2023-02-16 18:19:11
电场控制材料的电导率。 鳍式场效应晶体管是一种非平面器件，即不受单个平面的限制。它也被称为3D，因为具有第三维度。 为避免混淆，必须了解不同的文献在提及鳍式场效应晶体管器件时使用不同的标签
2023-02-24 15:25:29
描述你有没有想过如何自己想出一个触摸开关？是的！随着晶体管的发明，一切都成为可能。在这个项目中，我们将使用 BC547 晶体管和其他支持组件构建一个简单的触摸传感器电路。这种类型的开关可用于现代
2022-08-30 07:23:58
PNP晶体管在哪里使用？放大电路采用PNP晶体管。达林顿对电路采用PNP晶体管。机器人应用利用了PNP晶体管。PNP 晶体管用于控制大功率应用中的电流。如何控制PNP晶体管？首先，为了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
请教：单结晶体管在什么位置，有人说是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
做了一个单结晶体管仿真（电力电子技术的初学者）。有个问题请教于各位高手。1：开关初始时刻是闭合的时候，点击仿真，发光二极管不亮 。:2：初始时刻，开关打开，点击仿真后，点击开关闭合，二极管开始闪烁。按照道理来说。情境1与情境2不应该是一样的吗，为什么会有差别啊。
2017-03-07 21:07:45
各位高手，小弟正在学习单结晶体管，按照网上的电路图做的关于单结晶体管的仿真，大多数都不成功，请问谁有成功的单结晶体管的仿真仿真啊，可以分享下吗。
2016-03-04 09:15:06
NPN型双极性晶体管可以视为共用阳极的两个二极管接合在一起。在双极性晶体管的正常工作状态下，基极-发射极结（称这个PN结为“发射结”）处于正向偏置状态，而基极-集电极（称这个PN结为“集电结”）则处于反向偏置状态。
2019-09-26 09:00:23
，导致流过晶体管的电流为零的大耗尽层。在这种情况下，晶体管被关闭。 截断区域特征如下所示： 图3.截断区域特征。图片由Simon Munyua Mugo提供 晶体管操作类似于单刀单掷固态开关
2023-02-20 16:35:09
如何去判别晶体管材料与极性？如何去检测晶体管的性能？怎样去检测特殊晶体管？
2021-05-13 07:23:57
什么是微波功率晶体管？如何提高微波功率晶体管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
为了改善晶体管的开关特性，减小晶体管的损耗，在晶体管基极驱动电路的设计上会采取一些加速措施。如下： 加速电路一 在加速电路一中，并联在RB两端的电容CB称为加速电容，数值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
本帖最后由 LOVE玲 于 2017-8-22 19:42 编辑
电路见图中，请教各位前辈们在此电路中，如何用软件检测晶体管的故障？谢谢大家！
2017-08-22 19:36:41
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2023-11-24 08:16:54
晶体管依照用途大致分为高频与低频，它们在型号上的大致区别是什么？例如《晶体管电路设计》中列举的：高频（2SA****，2SC*****）、低频（2SB****，2SD****）。现在产品设计中最常用的型号是哪些？
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶体管的热噪声比较大，通过什么手段能解决？
2021-06-24 07:29:25
晶体管为保持ON状态的最低电压、定义VI(on)为min错误观点1：由0开始依次加入输入电压。2：达到1.8V时，数字晶体管启动。3：因在规格书规定的3V(min) 以下，故判断为不合格。正确观点A
2019-04-22 05:39:52
混淆VI(on): 数字晶体管为保持ON状态的最低电压、定义VI(on)为min错误观点1：由0开始依次加入输入电压。2：达到1.8V时，数字晶体管启动。3：因在规格书规定的3V(min) 以下，故
2019-04-09 21:49:36
急需一种流动性更强的新材料来替代硅。三五族材料砷化铟镓就是候选半导体之一，普渡大学通过这种材料做出了全球首款3D环绕闸极(gate-all-around)晶体管。此外，三五族合金纳米管将把闸极长度
2011-12-08 00:01:44
（电阻器）组成。构成晶体管的硅是形成地球的岩石中大量含有的物质。因此，晶体管也俗称"石"，设计者常用"…之石"的叫法3. 按集成度分类为满足客户需求，ROHM在分立式
2019-05-05 01:31:57
效率和功率密度。GaN功率晶体管作为一种成熟的晶体管技术在市场上确立了自己的地位，但在软开关应用中通常不被考虑使用。虽然在硬开关应用中使用GaN可以显著提高效率，但软开关转换器（如LLC）对效率和频率
2023-02-27 09:37:29
求51单片机 STC89c526个晶体管问题按下键1 晶体管1闪烁 键2+，键3-，键4修改闹钟时间，再按键1 晶体管2闪烁 键2+，键3-，键4修改闹钟时间，以此类推。求大神帮助
2017-03-12 19:59:39
3D视觉技术有何作用？常见的3D视觉方案主要有哪些？
2021-11-09 07:46:56
` 引言 在功率变换器应用中，宽带隙（WBG）技术日益成为传统硅晶体管的替代产品。在某些细分市场的应用场景中，提升效率极限一或两个百分点依然关系重大，变换器功率密度的提高可以提供更多应用优势
2021-01-19 16:48:15
正在从二维走向三维世界——芯片设计、芯片封装等环节都在向3D结构靠拢。晶体管架构发生了改变当先进工艺从28nm向22nm发展的过程中，晶体管的结构发生了变化——传统的平面型晶体管技术（包括体硅技术
2020-03-19 14:04:57
的GAA晶体管结构，三星通过使用纳米片设备制造出MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管），该技术可以显著增强晶体管性能，取代FinFET晶体管技术。 此外，MBCFET技术还能兼容现有的FinFET制造工艺的技术及设备，从而加速工艺开发及生产。
2020-07-07 11:36:10
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2018-12-12 09:07:55
请问怎样理解3D ICs技术之变？
2021-06-18 07:20:20
这个达林顿晶体管厂家是哪家
2022-05-30 16:36:56
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:10 编辑
高清图详解英特尔最新22nm 3D晶体管
2012-08-05 21:48:28
高清图详解英特尔最新22nm_3D晶体管
2012-08-02 23:58:43
本文通过高清图详解Intel最新22nm 3D 晶体管 。业界一直传说3D三栅级晶体管技术将会用于下下代14nm的半导体制造，没想到英特尔竟提前将之用于22nm工艺，并且于上周四向全世界表示将在
2012-08-03 17:09:18
0 本文核心议题： 通过本文介绍，我们将对Intel 22nm 3D三栅极晶体管技术有着详细的了解。业界一直传说3D三栅级晶体管技术将会用于下下代14nm的半导体制造，没想到英特尔竟提前将之用
2012-08-15 10:45:277281 
英特尔已经准备把第一个3D晶体管结构导入大量生产，它将是首款使用3-D Tri-Gate晶体管的量产芯片。22纳米处理器，代号为Ivy Bridge。3-D晶体管和2-D平面晶体管有本质性的区别，它不只可
2012-08-15 11:23:24949 
英特尔已经准备把第一个3D晶体管结构导入大量生产，它将是首款使用3-D Tri-Gate晶体管的量产芯片。22纳米处理器，代号为Ivy Bridge。3-D晶体管和2-D平面晶体管有本质性的区别，它不只可
2012-08-15 11:23:241232 英特尔已经准备把第一个3D晶体管结构导入大量生产，它将是首款使用3-D Tri-Gate晶体管的量产芯片。22纳米处理器，代号为Ivy Bridge。3-D晶体管和2-D平面晶体管有本质性的区别，它不只可
2012-08-15 11:23:244845 FinFET的芯片。在2月份举行的这次Common Platform 2013技术论坛上，IBM除了展示FinFET这种3D晶体管技术外，还展示了诸如硅光子晶体管，碳纳米管等前沿技术。
2013-02-20 23:04:307799 CPU里的晶体管都是集成的超微晶体管，一个22纳米工艺的i5可能集成上十亿的晶体管。
2020-01-31 16:10:0013392
电子发烧友App
工商网监
评论