宜普电源转换公司（EPC）新推100 V、2.2 mΩ的氮化镓场效应晶体管（EPC2071）,为设计工程师提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面积受限的应用。 全球行业领先供应商
2022-05-17 17:51:11
4007 
英飞凌科技推出用于商业航空电子设备和雷达系统的脉冲应用和其他类型工业放大器的高功率晶体管。基于全新的50V LDMOS工艺技术，全新推出的器件具备高能效、适用于小型化系统设计
2012-07-15 01:23:461633 RFMD 的新型 RFHA104x 系列高功率氮化镓 （GaN） 宽频功率晶体管 （BPT） 经过优化，适用于军事通信、商用无线基础设施和普通应用。由于采用了为满足高峰均比应用而优化的先进的 65V 高
2012-11-13 14:00:232219 TriQuint半导体公司（纳斯达克代码：TQNT），推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化镓（GaN）HEMT射频功率晶体管产品。
2012-12-18 09:13:261621 TriQuint半导体公司（纳斯达克代码：TQNT），推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化镓 （GaN） HEMT 射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半，同
2012-12-19 10:19:091538 氮化镓 (GaN) 晶体管的开关性能要优于硅MOSFET，因为在同等导通电阻的情况下，氮化镓 (GaN) 晶体管的终端电容较低，并避免了体二极管所导致的反向恢复损耗。正是由于这些特性，GaN FET可以实现更高的开关频率，从而在保持合理开关损耗的同时，提升功率密度和瞬态性能。
2023-04-14 09:22:301963 
宜普电源转换公司是增强型硅基氮化镓（eGaN）功率场效应晶体管和集成电路的全球领先供应商，致力提高产品性能且降低可发货的氮化镓晶体管的成本，最新推出EPC2059 （6.8 mΩ、170 V）氮化镓场效应晶体管
2020-11-13 08:01:002013 GaN Systems其低电流，大批量氮化镓晶体管的价格已跌至1美元以下。
2021-03-12 09:04:443429 电子、汽车和无线基站项目意法半导体获准使用MACOM的技术制造并提供硅上氮化镓射频率产品预计硅上氮化镓具有突破性的成本结构和功率密度将会实现4G/LTE和大规模MIMO 5G天线中国，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
MACOM六十多年的技术传承，运用bipolar、MOSFET和GaN技术，提供标准和定制化的解决方案以满足客户最严苛的需求。射频功率晶体管 - 硅基氮化镓 (GaN on Si)MACOM是全球唯一
2017-08-14 14:41:32
，可帮助系统设计人员简化和加快产品开发，使其能够轻松微调射频能量输出水平，从而最大限度地提高效率和增强性能。MACOM的射频能量工具包将其硅基氮化镓功率晶体管的优势与直观、灵活的软件和信号控制能力相结合
2017-08-03 10:11:14
$0.1/KWh，仅将新的宏基站替换使用氮化镓技术，一年节省的电费可超过$100M。MACOM公司的MAGb功率晶体管系列在真实的基站工作温度200°C的环境下MTTF超过106小时，由此可见该器件在
2017-08-30 10:51:37
`作为一家具有60多年历史的公司，MACOM在射频微波领域经验丰富，该公司的首款产品就是用于微波雷达的磁控管，后来从真空管、晶体管发展到特殊工艺的射频及功率器件（例如砷化镓GaAs）。进入2000年
2017-09-04 15:02:41
是硅基氮化镓技术。2017 电子设计创新大会展台现场演示在2017年的电子设计创新大会上，MACOM上海无线产品中心设计经理刘鑫表示，硅衬底有一些优势，材料便宜，散热系数好。且MACOM在高性能射频领域
2017-07-18 16:38:20
，以及基于硅的 “偏转晶体管 “屏幕产品的消亡。
因此，氮化镓是我们在电视、手机、平板电脑、笔记本电脑和显示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技术。在光子学方面，氮化镓还被用于蓝光激光技术（最明显
2023-06-15 15:50:54
本文讨论了商用氮化镓功率晶体管与Si SJMOS和SiC MOS晶体管相比在软开关LLC谐振转换器方面的优势。介绍随着更高功率、更小尺寸和更高效率的明显趋势，高频 LLC 谐振转换器是业内隔离式
2023-02-27 09:37:29
和功率密度，这超出了硅MOSFET技术的能力。开发工程师需要能够满足这些要求的新型开关设备。因此，开始了氮化镓晶体管（GaN）的概念。 HD-GIT的概述和优势 松下混合漏极栅极注入晶体管（HD-GIT
2023-02-27 15:53:50
是什么氮化镓（GaN）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器方面，主要是集成氮化镓MOS管，可适配小型变压器和高功率器件，充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
。凭借高达 300W 的功率输出能力和坚固的塑料封装，第四代氮化镓功率晶体管无疑已成为具有高成本效益的可信赖解决方案。——————市场的指数级增长——————在短期内，无线基站市场将继续推动氮化镓市场
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化镓场效应晶体管并配合LM5113半桥驱动器可容易地实现的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
和扩展到4G LTE基站以及大规模MIMO 5G天线领域，其中天线配置的绝对密度对功率和热性能具有极高的价值，特别是在较高频率下。经过适当开发，硅基氮化镓的功率效率优势将对无线网络运营商的基站运营费用
2018-08-17 09:49:42
2000 年代初就已开始，但 GaN 晶体管仍处于起步阶段。 毫无疑问，它们将在未来十年内取代功率应用中的硅晶体管，但距离用于数据处理应用还很远。
Keep Tops氮化镓有什么好处？
氮化镓的出现
2023-08-21 17:06:18
针对可靠的高功率和高频率电子设备，制造商正在研究氮化镓(GaN)来制造具有高开关频率的场效应晶体管(FET)由于硅正在接近其理论极限，制造商现在正在研究使用宽带隙(WBG)材料来制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
`Cree的CGH40010是无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。 CGH40010，正在运行从28伏电压轨供电，提供通用宽带解决方案应用于各种射频和微波应用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比，这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27:13
是碳化硅（SiC）衬底上的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。这种GaN内匹配（IM）场效应晶体管与其他技术相比，提供了优异的功率附加效率。GaN与硅或砷化镓相比具有更高的性能，包括更高
2018-08-13 10:58:03
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 该GaN内部匹配（IM）FET与其他技术相比，具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
产品采用符合RoHS的SMD封装提供。功能 内部匹配的GAN功率晶体管射频带宽（GHz）最小值-最大值 2.7-3.4功率（W） 65岁PAE（％） 55封装 QFN塑料包装CHKA011aSXA氮化
2021-04-02 16:25:08
Cree的CMPA801B025是氮化镓（GaN）高电子迁移率基于晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。 氮化镓与硅或砷化镓相比具有更好的性能，包括更高的击穿电压，更高的饱和电子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
镓技术的这类二极管。产品型号：DU2840S产品名称：射频晶体管DU2840S产品特性N沟道增强型器件比双极器件低的噪声系数高饱和输出功率宽带操作的低电容DMOS结构•DU2840S产品详情
2018-08-09 10:16:17
公司提供采用硅、砷化镓或砷化铝镓技术的这类二极管。产品型号：DU2880V产品名称：射频晶体管DU2880V产品特性N沟道增强型器件比双极器件低的噪声系数高饱和输出功率宽带操作的低电容DMOS结构
2018-08-08 11:48:47
应用。加拿大多伦多大学教授吴伟东分享了关于用于GaN功率晶体管的智能栅极驱动器IC的精彩报告，并提出了一种适用于氮化镓功率晶体管的智能栅极驱动集成电路，该集成电路带有电流传感特性、可调节输出电阻、可调
2018-11-05 09:51:35
NPT2020射频晶体管产品介绍NPT2020报价NPT2020代理NPT2020咨询热线NPT2020现货,王先生*** 深圳市首质诚科技有限公司, MACOM公司的开关和衰减器专用PIN二极管
2018-09-26 09:04:23
和医疗应用。我们的产品组合利用了MACOM超过60年的传统，即使用GaN-on-Si技术提供标准和定制解决方案，以满足客户最苛刻的需求。我们的硅基氮化镓产品采用0.5微米HEMT工艺制成分立晶体管和集成
2019-11-01 10:46:19
产品名称：氮化镓晶体管QPD1004产品特性频率范围：30 - 1200 MHz输出功率（p3db）：40 W在1 GHz线性增益：20.8分贝典型的1 GHz典型的pae3db：73.2%在1
2018-07-30 15:25:55
QPD1018氮化镓晶体管产品介绍QPD1018报价QPD1018代理QPD1018咨询热线QPD1018现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司QPD1018内部匹配离散GaN-on-SiC
2018-07-27 09:06:34
`QPD1018氮化镓晶体管产品介绍QPD1018报价QPD1018代理QPD1018咨询热线QPD1018现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司QPD1018内部匹配离散GaN-on-SiC
2019-07-17 13:58:50
）1.1脉冲条件脉冲宽度：120µsec，占空比10％笔记Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脉冲条件脉冲宽度：120µsec，占空比10％笔记Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:24:16
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化镓晶体管SGN19H240M1H砷化镓晶体管SGN21H180M1H砷化镓晶体管SGN21H121M1H砷化镓晶体管SGN21H181M1H砷化镓晶体管
2021-03-30 11:32:19
功率增益13 dB的增益和55%的功率附加效率在1 dB压缩。这种性能使tgf2040适合高效率的应用。带有氮化硅的保护层提供了环境鲁棒性和划痕保护级别。产品型号：TGF2040产品名称：砷化镓晶体管
2018-07-18 12:00:19
在功率增益10.4 dB和63%的功率附加效率在1 dB压缩。这种性能使tgf2160适合高效率的应用。产品型号：TGF2160产品名称：砷化镓晶体管TGF2160产品特性频率范围：直流- 20千兆
2018-07-19 10:35:47
、测试仪器。该设备可以支持脉冲和线性操作。产品型号: TGF2977-SM产品名称：氮化镓晶体管TGF2977-SM产品特性频率范围：直流- 12 GHz输出功率（p3db）：6 W在9.4 GHz线性增益
2018-07-25 10:06:15
度为1.1 eV，而氮化镓的禁带宽度为3.4 eV。由于宽禁带材料具备高电场强度，耗尽区窄短，从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构。例如，一个典型的650V横向氮化镓晶体管，可以支持超过800V
2023-06-15 15:53:16
行业标准，成为落地量产设计的催化剂
氮化镓芯片是提高整个系统性能的关键，是创造出接近“理想开关”的电路构件，即一个能将最小能量的数字信号，转化为无损功率传输的电路构件。
纳微半导体利用横向650V
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
镓具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，氮化镓充电器的充电器件运行速度，比传统硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化镓相比传统的硅，可以在更小的器件空间内处理更大的电场，同时提供更快的开关速度。此外，氮化镓比硅基半导体器件，可以在更高的温度下工作。
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位。『三点半说』经多方专家指点查证，特推出“氮化镓系列”，告诉大家什么是氮化镓（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
的肖特基势垒高度为0.7eV，略高于0.62eV。 我们的工作着重强调了透明氮化镓晶体管的潜力。为了促进其发展，我们还将进一步优化透明欧姆接触和降低接触电阻。这可能会引导诞生出具有优良射频或功率性能
2020-11-27 16:30:52
明佳达电子优势供应氮化镓功率芯片NV6127+晶体管AON6268丝印6268，只做原装，价格优势，实单欢迎洽谈。产品信息型号1：NV6127丝印：NV6127属性：氮化镓功率芯片封装：QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
氮化镓技术是功率级的真正推动者，如今可提供过去十年无法想象的性能。只有当栅极驱动器与晶体管具有相同程度的性能和创新时，才能获得GaN的最大性能和优势。经过多年的研发，MinDCet通过推出
2023-02-24 15:09:34
导读：将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能，并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多，从而有可能实现更低的开关损耗。然而，当
2022-11-16 06:23:29
。LMG3410和LMG3411系列产品的额定电压为600 V，提供从低功率适配器到超过2 kW设计的各类解决方案。通过导通电阻选择器件内部氮化镓场效应晶体管（FET）的额定值为RDS(on) - 漏极-源极或导通电阻…
2022-11-10 06:36:09
氮化镓器件于2010年3月开始进行商业化生产，激光雷达是第一种应用能够发挥氮化镓晶体管的高速开关和小尺寸优势，以实现最高性能，成为“杀手级应用”。紧随其后，是用于高密度计算的48 V DC/DC转换器
2023-06-25 14:17:47
(MicrosemiCorporation)扩展其基于碳化硅衬底氮化镓(GaNonSiC)技术的射频(RF)晶体管系列，推出新型S波段500WRF器件2729GN-500，新器件瞄准大功率空中交通控制机场监视雷达(ASR
2012-12-06 17:09:16
受益于集成器件保护，直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压（600V）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
、设计和评估高性能氮化镓功率芯片方面，起到了极大的贡献。
应用与技术营销副总裁张炬（Jason Zhang）在氮化镓领域工作了 20 多年，专门从事高频、高密度的电源设计。他创造了世界上最小的参考设计，被多家头部厂商采用并投入批量生产。
2023-06-15 15:28:08
的晶体管”。 伊斯曼和米什拉是对的。氮化镓的宽带隙（使束缚电子自由断裂并有助于传导的能量）和其他性质让我们能够利用这种材料承受高电场的能力，制造性能空前的器件。 如今，氮化镓是固态射频功率应用领域
2023-02-27 15:46:36
宜普电源转换公司宣布推出第二代增强性能氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)系列中的最新成员——EPC2012。EPC2012具有环保特性、无铅、无卤化物以及符合RoHS(有害物质限制)条例。
2011-08-18 09:53:103868 氮化镓是一种具有较大禁带宽度的半导体，属于所谓宽禁带半导体之列。它是微波功率晶体管的优良材料，也是蓝色光发光器件中的一种具有重要应用价值的半导体。 增强型氮化镓(e
2012-06-06 13:56:31
0 半导体技术产品的领先供应商美高森美公司推出新型750W RF晶体管扩展其基于碳化硅（silicon carbide，SiC）衬底氮化镓（gallium nitride，GaN）高电子迁移率晶体管
2013-09-30 15:34:162478 宜普公司为功率系统设计师提供比等效MOSFET小型化8倍的40 V、5 mΩ氮化镓功率晶体管（EPC2049），应用于负载点（POL）转换器、激光雷达（LiDAR）及具低电感的马达驱动器。
2017-12-29 10:40:007190 氮化镓（GaN）场效应晶体管具备高速的开关速度优势，需要使用良好的测量技术及能够描述高速波形细节的良好技巧来进行评估。本文专注于如何基于用户的要求及测量技术，利用测量设备来准确地评估高性能的氮化镓晶体管。此外，本文评估高带宽差分探头与不接地参考波形一起使用时的情况。
2018-06-08 16:43:004123 
关键词：硅基氮化镓 , 功率放大器 MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”) 推出全新MAMG-100227-010宽带功率放大器 (PA) 模块，扩展其硅
2019-02-17 12:32:01659 用于无线基础设施的半导体技术正在经历一场重大的变革，特别是功率放大器(PA)市场。横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管在功率放大器领域几十年来的主导地位正在被氮化镓(GaN)撼动，这将对无线基站的系统性能和运营成本产生深远的影响。
2020-02-12 13:25:4410705 
什么是氮化镓晶体管？它有什么作用？硅功率MOSFET还没有跟上电力电子行业的发展变化，在这个行业中，效率、功率密度和更小的形式等因素是社区的主要需求。电力电子工业已经达到硅MOSFET的理论极限
2020-05-24 11:30:059114 基于MasterGaN®平台的创新优势，意法半导体推出了MasterGaN2，作为新系列双非对称氮化镓（GaN）晶体管的首款产品，是一个适用于软开关有源钳位反激拓扑的GaN集成化解决方案。 2021
2021-01-20 11:20:443769 GaN（氮化镓）功率晶体管的全球领导者GaN Systems今天宣布，其低电流，大批量氮化镓晶体管的价格已跌至1美元以下。
2021-03-13 11:38:461081 电源转换器的设计人员正在寻找提高效率同时增加系统功率密度的方法。 宽带隙 (WBG) 技术提供了答案。 由氮化镓 (GaN) 制成的晶体管作为一种解决方案正变得越来越流行，但与其硅对应物一样，单个
2022-08-04 09:35:482219 
氮化镓晶体管和碳化硅 MOSFET是近两三年来新兴的功率半导体，相比于传统的硅材料功率半导体，他们都具有许多非常优异的特性：耐压高，导通电阻小，寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性：氮化镓晶体管
2022-11-02 16:13:065427 与众不同的特性：氮化镓晶体管的极小寄生参数，极快开关速度使其特别适合高频应用。碳化硅MOSFET的易驱动，高可靠等特性使其适合于高性能开关电源中。
2023-02-03 14:34:204023 
与众不同的特性：氮化镓晶体管的极小寄生参数，极快开关速度使其特别适合高频应用。碳化硅MOSFET的易驱动，高可靠等特性使其适合于高性能开关电源中。
2023-02-03 14:35:402638 
作为第三代半导体的天之骄子，氮化镓晶体管日益引起工业界的重视，且被更大规模应用
2023-02-07 17:13:06970 氮化镓晶体管显然对高速、高性能MOSFET器件构成了非常严重的威胁。氮化镓上硅（GaN on Si）晶体管预计的低成本，甚至还有可能使IGBT器件取代它们在较低速度、650V，非常高电流电源应用中的统治地位。
2023-02-08 09:52:021307 
一个器件的成本效益，从生产基础设施开始计算。宜普公司的工艺技术，基于不昂贵的硅晶圆片。在硅基板上有一层薄薄的氮化铝 （Aluminum Nitride/Al），隔离了器件结构和基底。这个隔离层能隔离300V电压。在这隔离层上是一层厚厚的氮化镓，晶体管就建立于这个基础上。
2023-02-08 09:57:302835 
法国和瑞士科学家首次使用氮化镓在（100）-硅（晶体取向为100）基座上，成功制造出了性能优异的高电子迁徙率晶体管（HEMTs）。
2023-02-08 17:39:071360 氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET是近两三年来新兴的功率半导体，相比于传统的硅材料功率半导体，他们都具有许多非常优异的特性：耐压高，导通电阻小，寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性：氮化镓
2023-02-09 16:59:577653 
氮化镓晶体管显然对高速、高性能MOSFET器件构成了非常严重的威胁。氮化镓上硅（GaN on Si）晶体管预计的低成本，甚至还有可能使IGBT器件取代它们在较低速度、650V，非常高电流电源应用中的统治地位。
2023-02-12 17:09:491031 氮化镓（氮化镓）是一种半导体材料，是一种用于制造光电子器件的高性能晶体。它的优点是可以提供高功率、低成本、高性能和高可靠性的系统。与硅基解决方案相比，GaN晶体管和集成电路提供了高的电子迁移率
2023-02-13 16:28:176710 氮化镓晶体管型号参数主要包括电压限值、电流密度、功率密度、效率、温度系数、漏电流、漏电压、抗电磁干扰能力等。
2023-02-14 16:24:032808 氮化镓是一种半导体材料，具有良好的电子特性，可以用于改善电子器件的性能。氮化镓的主要用途是制造半导体器件，如晶体管、集成电路和光电器件。
2023-02-15 18:01:014179 氮化镓功率器件可以分为三类：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）、IGBT（晶闸管）和JFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。
2023-02-19 14:32:393119 了氮化镓呢？ 下图是充电器的主要电子元器件。 其实充电电子元器件里面，是晶体管里面添加了氮化镓，而其他元器件均是常规电子件。 这里的晶体管是指MOSFET半导体场效益晶体管。 而氮化镓晶体管与普
2023-02-21 15:04:246 摘要：栅极控制能力是决定氮化镓高电子迁移率晶体管性能的关键因素。然而在金属-氮化镓界面，金属和半导体的直接接触会导致界面缺陷和固定电荷，这会降低氮化镓高电子迁移率晶体管栅控能力。在本项研究中，二维
2023-05-25 16:11:292306 
2SD2686是一款高性能的功率晶体管，适用于多种应用场景。
2023-06-19 14:36:361023 
引言：氮化镓作为第三代宽禁带半导体材料的代表之一,因其优越的性能,例如高电子迁移率、高电子饱和速率、耐高温及高热导率等优点吸引了越来越多的关注,也正是因为这些优点,垂直氮化镓功率晶体管在未来的电力
2023-02-13 10:42:542995 
如今，开发电子电力器件的难度不断飙升，如何在满足绿色低碳和和持续发展的要求下既不断提升效率和功率性能，同时又不断降低成本和缩减尺寸呢？ 我们发现，氮化镓（GaN）是一种新型宽带隙化合物，为功率转换
2023-08-03 14:43:28694 如今，越来越多的设计人员在各种应用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 电源。氮化镓很重要，因为它有助于提高功率晶体管的效率，从而减小电源的尺寸并降低工作温度。
2023-09-13 16:06:07880 Nexperia(安世半导体)的高功率氮化镓场效应晶体管，共将分为(上)(下)两期，包含其工艺、性能优势、产品及封装等内容。本期将先介绍 Nexperia(安世半导体)氮化镓产品的成熟的工艺。
2023-09-25 08:19:001508 
氮化镓（GaN）晶体管在工作过程中产生的热量和由此引起的温升会导致性能下降并缩短器件的寿命，因此亟需开发有效的散热方法。
2023-12-22 10:47:002012 
晶体管）结构。GaN HEMT由以下主要部分组成： 衬底：氮化镓功率器件的衬底采用高热导率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的热扩散率和散热能力。 二维电子气层：氮化镓衬底上生长一层氮化镓，形成二维电子气层。GaN材料的禁带宽度大，由于
2024-01-09 18:06:416132 应用领域具有很大的潜力。 以下是一些常见的氮化镓MOS管型号： EPC2001：EPC2001是一种高性能非晶硅氮化镓MOS管，具有低导通电阻、高开关速度和优秀的热特性。它适用于电源转换器、锂电池充电器和无线充电应用等领域。 EPC601：EPC601是一种低电阻非晶硅氮化镓
2024-01-10 09:32:154274 氮化镓场效应晶体管是当今电力电子领域的明星，它正在提高功率转换效率、电机控制和功率密度，有效满足当前的市场需求和趋势。
2024-07-05 09:20:011586 
GaN（氮化镓）晶体管，特别是GaN HEMT（高电子迁移率晶体管），是近年来在电力电子和高频通信领域受到广泛关注的一种新型功率器件。其结构复杂而精细，融合了多种材料和工艺，以实现高效、高频率和高功率密度的性能。
2024-08-15 11:01:063439 工艺的横向晶体管相比，采用氮化镓单晶构建垂直晶体管可提供更高密度的功率器件，可用于 200mm 和 300mm 晶圆。然而，制造尺寸大于4英寸的GaN单晶晶圆一直都面临困难。 大阪大学和丰田合成的研究人员制造了一种 200mm 的多点籽晶 （MPS） 衬底，并成功地在衬底上生长出对角线长度略低于 2
2025-01-09 18:18:221358 氮化镓晶体管的并联设计总结 先上链接，感兴趣的朋友可以直接下载： *附件：氮化镓晶体管的并联设计.pdf 一、引言 应用场景 ：并联开关管广泛应用于大功率场合，如牵引逆变器、可回收能源系统等
2025-02-27 18:26:311104 新品第五代CoolGaN650-700V氮化镓功率晶体管G5第五代650-700VGaN氮化镓功率晶体管可实现高频工况下的效率提升，并满足最高质量标准，能够打造具有超高效率的高可靠性设计。该系列
2025-11-03 18:18:052815 
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