电子发烧友App

硬声App

0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

电子发烧友网>电源/新能源>氮化镓功率晶体管价格降至1美元以下

氮化镓功率晶体管价格降至1美元以下

收藏

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

评论

查看更多

相关推荐

功率晶体管(GTR)的特性

功率晶体管(GTR)具有控制方便、开关时间短、通态压降低、高频特性好、安全工作区宽等优点。但存在二次击穿问题和耐压难以提高的缺点,阻碍它的进一步发展。—、结构特性1、结构原理功率晶体管是双极型大功率
2018-01-15 11:59:52

功率晶体管(GTR)的特性

功率晶体管(GTR)具有控制方便、开关时间短、通态压降低、高频特性好、安全工作区宽等优点。但存在二次击穿问题和耐压难以提高的缺点,阻碍它的进一步发展。—、结构特性1、结构原理功率晶体管是双极型大功率
2018-01-25 11:27:53

晶体管ON时的逆向电流

=VBE2-VBE1。这里,硅晶体管根据温度具有一定的温度系数。约为ー2.2mV/ºC。(达林顿晶体管为ー4.4mV/ºC)因此,根据由输入功率得出△VBE,可以由以下算式得出上升的结温。图2. 进度表
2019-04-09 21:27:24

晶体管使用的判定方法

?5. 连续脉冲?单脉冲?6. 平均功耗是否在周围温度的额定功率以下功率计算的积分公式使晶体管工作会产生电气负载和热负载。对晶体管来讲,负载太大寿命会缩短,最坏的情况下会导致晶体管被破坏。为防止这种
2019-04-15 06:20:06

晶体管的代表形状

集电极电流 (IC(max)) 在500mA以下,最大集电极功率 (PC(max)) 不超过1W的晶体管。相对功率晶体管而得名,一般以树脂封装居多,这是其特点之一。功率晶体管一般功率晶体管功率超过1W。相比
2019-04-10 06:20:24

晶体管的分类与特征

的工作特性各不相同。以下是Vce/Vds相对于基本的Ic/Id的特性。功率元器件基本上被用作开关,因此一般尽量在Vce/Vds较低的条件下使用。这是在使用的电路条件下,探讨哪种晶体管最适合时的代表特性
2018-11-28 14:29:28

晶体管的分类与特征

相关的参数,以及双极晶体管的集电极-发射极相关的参数。 基本工作特性比较 这三种晶体管的工作特性各不相同。以下是Vce/Vds相对于基本的Ic/Id的特性。功率元器件基本上被用作开关,因此一般尽量在Vce/Vds较低的条件下使用。这是在使用的电路条件下,探讨哪种晶体管最适合时的代表特性之一。
2020-06-09 07:34:33

晶体管的开关作用有哪些?

控制大功率现在的功率晶体管能控制数百千瓦的功率,使用功率晶体管作为开关有很多优点,主要是;(1)容易关断,所需要的辅助元器件少,(2)开关迅速,能在很高的频率下工作,(3)可得到的器件耐压范围从
2018-10-25 16:01:51

晶体管的选用经验

型号的晶体管。 5.开关三极的选用小电流开关电路和驱动电路中使用的开关晶体管,其最高反向电压低于100V,耗散功率低于1W,最大集电极电流小于1A,可选用3CK3、3DK4、3DK9、3DK12等
2012-01-28 11:27:38

晶体管简介

=VBE2-VBE1。这里,硅晶体管根据温度具有一定的温度系数。约为ー2.2mV/ºC。(达林顿晶体管为ー4.4mV/ºC)因此,根据由输入功率得出△VBE,可以由以下算式得出上升的结温。图2. 进度表
2019-05-09 23:12:18

氮化(GaN)功率集成电路集成和应用

氮化(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19

氮化: 历史与未来

,以及基于硅的 “偏转晶体管 “屏幕产品的消亡。 因此,氮化是我们在电视、手机、平板电脑、笔记本电脑和显示器中,使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技术。在光子学方面,氮化还被用于蓝光激光技术(最明显
2023-06-15 15:50:54

氮化功率晶体管与Si SJMOS和SiC MOS晶体管对分分析哪个好?

本文讨论了商用氮化功率晶体管与Si SJMOS和SiC MOS晶体管相比在软开关LLC谐振转换器方面的优势。介绍随着更高功率、更小尺寸和更高效率的明显趋势,高频 LLC 谐振转换器是业内隔离式
2023-02-27 09:37:29

氮化功率半导体技术解析

氮化功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26

氮化功率芯片的优势

更小:GaNFast™ 功率芯片,可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量节约方面,它最高能节约 40% 的能量。 更快:氮化电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41

氮化晶体管GaN的概述和优势

功率密度,这超出了硅MOSFET技术的能力。开发工程师需要能够满足这些要求的新型开关设备。因此,开始了氮化晶体管(GaN)的概念。  HD-GIT的概述和优势  松下混合漏极栅极注入晶体管(HD-GIT
2023-02-27 15:53:50

氮化晶体管在高速电机驱动领域开辟新前沿

的热量,需要更大的散热器。不幸的是,这增加了系统成本、重量和解决方案总尺寸,这在空间受限的应用中是不期望的或不可接受的。氮化(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)具有优于硅MOSFET的多种优势
2017-08-21 14:36:14

氮化晶体管电路的布局需要考虑哪些因素?

器件的速度提高,这种外部电感会导致接地反弹增加[4]。  增强型氮化晶体管采用晶圆级芯片级封装 (WLCSP),端子采用焊盘栅格阵列 (LGA) 或球栅阵列 (BGA) 格式。其中一些器件不提供单独
2023-02-24 15:15:04

氮化GaN 来到我们身边竟如此的快

被誉为第三代半导体材料的氮化GaN。早期的氮化材料被运用到通信、军工领域,随着技术的进步以及人们的需求,氮化产品已经走进了我们生活中,尤其在充电器中的应用逐步布局开来,以下是采用了氮化的快
2020-03-18 22:34:23

氮化一瓦已经不足一元,并且顺丰包邮?联想发动氮化价格战伊始。

,并且顺丰包邮。 2022 年 5 月 15 日,联想官方在电商平台发起氮化快充价格战,YOGA 65W 双口 USB-C 氮化充电器到手价仅需 59.9元。这是一款正儿八经的大功率氮化充电器
2022-06-14 11:11:16

氮化充电器

是什么氮化(GaN)是氮和化合物,具体半导体特性,早期应用于发光二极中,它与常用的硅属于同一元素周期族,硬度高熔点高稳定性强。氮化材料是研制微电子器件的重要半导体材料,具有宽带隙、高热导率等特点,应用在充电器方面,主要是集成氮化MOS,可适配小型变压器和高功率器件,充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58

氮化发展评估

氮化功率晶体管的引入,氮化器件市场发生了巨变;塑料封装氮化器件可以成为陶瓷封装氮化器件经济高效的替代品,并成为实现新一代高功率超小型功率模块的关键所在。塑料封装、大功率氮化器件使设计人员能够
2017-08-15 17:47:34

氮化场效应晶体管与硅功率器件比拼之包络跟踪,不看肯定后悔

本文展示氮化场效应晶体管并配合LM5113半桥驱动器可容易地实现的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46

氮化芯片未来会取代硅芯片吗?

2000 年代初就已开始,但 GaN 晶体管仍处于起步阶段。 毫无疑问,它们将在未来十年内取代功率应用中的硅晶体管,但距离用于数据处理应用还很远。 Keep Tops氮化有什么好处? 氮化的出现
2023-08-21 17:06:18

CG2H80015D-GP4 氮化(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)

` 本帖最后由 射频技术 于 2021-4-8 09:16 编辑 Wolfspeed的CG2H80015D是氮化(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。GaN具有比硅或砷化更高的性能,包括
2021-04-07 14:31:00

CGH40010F晶体管简介

Cree的CGH40010是无与伦比的氮化(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。 CGH40010,正在运行从28伏电压轨供电,提供通用宽带解决方案应用于各种射频和微波应用。 GaN HEMT
2020-12-15 15:06:50

CGH40010F氮化(GaN)高 电子迁移率晶体管

`Cree的CGH40010是无与伦比的氮化(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。 CGH40010,正在运行从28伏电压轨供电,提供通用宽带解决方案应用于各种射频和微波应用。 GaN
2020-12-03 11:51:58

CGHV40030氮化高电子迁移率晶体管

Wolfspeed的CGHV40030是氮化(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT),专为高效率,高增益和宽带宽功能而设计。 该器件可部署在L,S和C频段放大器应用中。 数据手册中的规格
2020-02-25 09:37:45

CGHV40030氮化(GaN)高电子迁移率晶体管

Wolfspeed的CGHV40030是无与伦比的氮化(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT),专为高效率,高增益和宽带宽功能而设计。 该器件可部署在L,S和C频段放大器应用中。 数据手册中的规格
2020-02-24 10:48:00

CGHV96050F1卫星通信氮化高电子迁移率晶体管CREE

CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比,这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化
2024-01-19 09:27:13

CGHV96100F2晶体管

是碳化硅(SiC)衬底上的氮化(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。这种GaN内匹配(IM)场效应晶体管与其他技术相比,提供了优异的功率附加效率。GaN与硅或砷化相比具有更高的性能,包括更高
2018-08-13 10:58:03

CGHV96100F2氮化(GaN)高电子迁移率晶体管

`Cree的CGHV96100F2是氮化(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 该GaN内部匹配(IM)FET与其他技术相比,具有出色的功率附加效率。 氮化与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15

CHZ9012-QFA功率放大器

产品采用符合RoHS的SMD封装提供。功能 内部匹配的GAN功率晶体管射频带宽(GHz)最小值-最大值 2.7-3.4功率(W) 65岁PAE(%) 55封装 QFN塑料包装CHKA011aSXA氮化
2021-04-02 16:25:08

CMPA801B025F氮化(GaN)高电子迁移率 基于晶体管

Cree的CMPA801B025是氮化(GaN)高电子迁移率基于晶体管(HEMT)的单片微波集成电路(MMIC)。 氮化与硅或砷化相比具有更好的性能,包括更高的击穿电压,更高的饱和电子漂移速度
2020-12-03 11:46:10

FHX35X高电子迁移率晶体管(HEMT)

°C常规芯片FHC30LG砷化晶体管FHC40LG砷化晶体管FHX04LG砷化晶体管FHX04X砷化晶体管FHX06X砷化晶体管FHX13LG砷化晶体管FHX13X砷化晶体管
2021-03-30 11:21:24

IB0810M210功率晶体管

脉冲功率。 在没有外部调谐的情况下,所有设备都在宽带RF测试夹具中100%屏蔽了大信号RF参数。硅双极匹配50欧姆210W输出功率经过100%大功率射频测试C级操作IB0607S10功率晶体管
2021-04-01 10:07:29

IDM165L650是一种高功率脉冲晶体管

`IDM165L650是一种高功率脉冲晶体管,专为工作于0.125-0.167 GHz的Sub-1 GHz系统而设计。 该双MOSFET器件以1ms的脉冲宽度和20%的占空比工作,在瞬时工作带宽上以
2021-04-01 10:03:31

IFWS 2018:氮化功率电子器件技术分会在深圳召开

所需的功率模块和各种控制单元模块。与功率MOS场效应晶体管相比,驱动氮化功率晶体管存在诸多困难,这些困难包括阈值电压低、最大栅极电压和额定栅极电压之间的公差狭小、高转换速率带来的电流变化率和电压变化率
2018-11-05 09:51:35

IGN0450M250高功率GaN-on-SiC RF功率晶体管

`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶体管,旨在满足P波段雷达系统的独特需求。它在整个420-450 MHz频率范围内运行。 在100毫秒以下,10%占空比脉冲条件
2021-04-01 10:35:32

MACOM和意法半导体将硅上氮化推入主流射频市场和应用

本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 编辑 整合意法半导体的制造规模、供货安全保障和电涌耐受能力与MACOM的硅上氮化射频功率技术,瞄准主流消费
2018-02-12 15:11:38

MACOM射频功率产品概览

MACOM六十多年的技术传承,运用bipolar、MOSFET和GaN技术,提供标准和定制化的解决方案以满足客户最严苛的需求。射频功率晶体管 - 硅基氮化 (GaN on Si)MACOM是全球唯一
2017-08-14 14:41:32

MACOM展示“射频能量工具包”:将高性能、高成本效益的硅基氮化射频系统用于商业应用

,可帮助系统设计人员简化和加快产品开发,使其能够轻松微调射频能量输出水平,从而最大限度地提高效率和增强性能。MACOM的射频能量工具包将其硅基氮化功率晶体管的优势与直观、灵活的软件和信号控制能力相结合
2017-08-03 10:11:14

MACOM:GaN在无线基站中的应用

。尽管以前氮化与LDMOS相比价格过高,但是MACOM公司的最新的第四代硅基氮化技术(MACOM GaN)使得二者成本结构趋于相当。基于氮化的MAGb功率晶体管在2.6GHz频段可提供高于70
2017-08-30 10:51:37

MACOM:硅基氮化器件成本优势

`作为一家具有60多年历史的公司,MACOM在射频微波领域经验丰富,该公司的首款产品就是用于微波雷达的磁控管,后来从真空管、晶体管发展到特殊工艺的射频及功率器件(例如砷化GaAs)。进入2000年
2017-09-04 15:02:41

MACOM:适用于5G的半导体材料硅基氮化(GaN)

(GaN)那么,问题来了,怎么解决高昂的价格?首先,先了解下什么是硅基氮化,与硅器件相比,由于氮化晶体具备更强的化学键,因此它可以承受比硅器件高出很多倍的电场而不会崩溃。这意味我们可以把晶体管
2017-07-18 16:38:20

NPT2020射频晶体管

或砷化铝技术的这类二极。产品型号:NPT2020产品名称:射频晶体管NPT2020产品特性GaN上硅HEMT耗尽型晶体管适合线性和饱和应用从直流3.5 GHz调谐48 V操作3.5 GHz
2018-09-26 09:04:23

NPTB00025B射频功率晶体管介绍

和医疗应用。我们的产品组合利用了MACOM超过60年的传统,即使用GaN-on-Si技术提供标准和定制解决方案,以满足客户最苛刻的需求。我们的硅基氮化产品采用0.5微米HEMT工艺制成分立晶体管和集成
2019-11-01 10:46:19

QPD1004氮化晶体管

产品名称:氮化晶体管QPD1004产品特性频率范围:30 - 1200 MHz输出功率(p3db):40 W在1 GHz线性增益:20.8分贝典型的1 GHz典型的pae3db:73.2%在1
2018-07-30 15:25:55

QPD1018氮化晶体管

QPD1018氮化晶体管产品介绍QPD1018报价QPD1018代理QPD1018咨询热线QPD1018现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司QPD1018内部匹配离散GaN-on-SiC
2018-07-27 09:06:34

QPD1018氮化晶体管

`QPD1018氮化晶体管产品介绍QPD1018报价QPD1018代理QPD1018咨询热线QPD1018现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司QPD1018内部匹配离散GaN-on-SiC
2019-07-17 13:58:50

RF功率晶体管耐用性的三个电气参数验证

能够在高输出功率电平下承受严苛的负载失配状况而不降低性能或造成器件故障。当晶体管工作在负载失配状态下时,它的输出功率有很大一部分会被反射进器件,此时功率必须在晶体管中耗散掉。但在比较不同耐用性的晶体管时,重要的是检查不同器件制造商达到其耐用性结果的条件,因为不同制造商的测试条件可能有很大变化。
2019-06-26 07:11:37

SGN2729-250H-R氮化晶体管

SGFCF2002S-D氮化晶体管SGNH130M1H氮化晶体管SGNE010MK氮化晶体管SGCA100M1H氮化晶体管SGCA030M1H氮化晶体管深圳市立年电子科技有限公司QQ330538935***`
2021-03-30 11:14:59

SGN2729-600H-R氮化晶体管

SGFCF2002S-D氮化晶体管SGNH130M1H氮化晶体管SGNE010MK氮化晶体管SGCA100M1H氮化晶体管SGCA030M1H氮化晶体管深圳市立年电子科技有限公司QQ330538935***`
2021-03-30 11:24:16

SGNE045MK晶体管

)= + 25°CSGN19H181M1H砷化晶体管SGN19H240M1H砷化晶体管SGN21H180M1H砷化晶体管SGN21H121M1H砷化晶体管SGN21H181M1H砷化晶体管
2021-03-30 11:32:19

SiC-MOSFET功率晶体管的结构与特征比较

继前篇内容,继续进行各功率晶体管的比较。本篇比较结构和特征。功率晶体管的结构与特征比较下图是各功率晶体管的结构、耐压、导通电阻、开关速度的比较。使用的工艺技术不同结构也不同,因而电气特征也不同。补充
2018-11-30 11:35:30

TGF2023-2-20碳化硅晶体管

TGF2023-2-20碳化硅晶体管产品介绍TGF2023-2-20报价TGF2023-2-20代理TGF2023-2-20咨询热线TGF2023-2-20现货,王先生*** 深圳市首质诚
2018-06-22 11:09:47

TGF2040砷化晶体管

功率增益13 dB的增益和55%的功率附加效率在1 dB压缩。这种性能使tgf2040适合高效率的应用。带有氮化硅的保护层提供了环境鲁棒性和划痕保护级别。产品型号:TGF2040产品名称:砷化晶体管
2018-07-18 12:00:19

TGF2160砷化晶体管

功率增益10.4 dB和63%的功率附加效率在1 dB压缩。这种性能使tgf2160适合高效率的应用。产品型号:TGF2160产品名称:砷化晶体管TGF2160产品特性频率范围:直流- 20千兆
2018-07-19 10:35:47

TGF2977-SM氮化晶体管

、测试仪器。该设备可以支持脉冲和线性操作。产品型号: TGF2977-SM产品名称:氮化晶体管TGF2977-SM产品特性频率范围:直流- 12 GHz输出功率(p3db):6 W在9.4 GHz线性增益
2018-07-25 10:06:15

为什么氮化(GaN)很重要?

的设计和集成度,已经被证明可以成为充当下一代功率半导体,其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计,如果全球采用硅芯片器件的数据中心,都升级为使用氮化功率芯片器件,那全球的数据中心将减少30-40
2023-06-15 15:47:44

为什么氮化比硅更好?

度为1.1 eV,而氮化的禁带宽度为3.4 eV。由于宽禁带材料具备高电场强度,耗尽区窄短,从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构。例如,一个典型的650V横向氮化晶体管,可以支持超过800V
2023-06-15 15:53:16

为何碳化硅比氮化更早用于耐高压应用呢?

民币5220元)以下的晶圆才适用于功率半导体的量产。成功获得适用于量产功率半导体的、高质量、大尺寸氮化晶圆氮化晶片存在以上问题的根源是其晶体生长方式。目前批量生产的 Bulk氮化晶片采用以下方式制造,利用
2023-02-23 15:46:22

什么是晶体管 晶体管的分类及主要参数

电流密切相关。晶体管的实际功耗在使用时不允许超过PCM值,否则,晶体管会因过载而损坏。耗散功率PCM小于1W的晶体管通常称为低功率晶体管,等于或大于1W。小于5W的晶体管称为中等功率晶体管,PCM等于或
2023-02-03 09:36:05

什么是氮化功率芯片?

氮化(GaN)功率芯片,将多种电力电子器件整合到一个氮化芯片上,能有效提高产品充电速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中,氮化功率芯片,能令先进的电源转换拓扑结构,从学术概念和理论达到
2023-06-15 14:17:56

什么是氮化功率芯片?

通过SMT封装,GaNFast™ 氮化功率芯片实现氮化器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16

什么是氮化技术

两年多前,德州仪器宣布推出首款600V氮化(GaN)功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率,且易于设计,带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起,我们就致力于利用这项尖端技术将功率
2020-10-27 09:28:22

什么是氮化(GaN)?

具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势,氮化充电器的充电器件运行速度,比传统硅器件要快 100倍。 更重要的是,氮化相比传统的硅,可以在更小的器件空间内处理更大的电场,同时提供更快的开关速度。此外,氮化比硅基半导体器件,可以在更高的温度下工作。
2023-06-15 15:41:16

什么是氮化(GaN)?

、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位。『三点半说』经多方专家指点查证,特推出“氮化系列”,告诉大家什么是氮化(GaN)?
2019-07-31 06:53:03

什么是GaN透明晶体管

SiC、蓝宝石、AlN和原生块体氮化。不过,所有这些材料价格昂贵,而最常用的透明电路基板——玻璃,则非常便宜。  我们的解决方案是一个两步式制程,可在玻璃基板上形成氮化晶体管。第一步是在将氮化
2020-11-27 16:30:52

什么是RF功率晶体管耐用性验证方案?

目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配,即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 08:14:59

什么是达林顿晶体管

。达林顿通常用于需要低频高增益的地方。常见应用包括音频放大器输出级、功率调节器、电机控制器和显示驱动器。  达林顿晶体管也被称为达林顿对,由贝尔实验室的西德尼达林顿于 1953 年发明。在 1950
2023-02-16 18:19:11

传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化(GaN)

应用领域,SiC和GaN形成竞争。随着碳化硅(SiC)、氮化(GaN)等新材料陆续应用在二极、场效晶体管(MOSFET)等组件上,电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。这些新组件虽然在成本上仍比传统硅
2021-09-23 15:02:11

供应氮化功率芯片NV6127+晶体管AON6268丝印6268

明佳达电子优势供应氮化功率芯片NV6127+晶体管AON6268丝印6268,只做原装,价格优势,实单欢迎洽谈。产品信息型号1:NV6127丝印:NV6127属性:氮化功率芯片封装:QFN芯片
2021-01-13 17:46:43

基本晶体管开关电路,使用晶体管开关的关键要点

)需要几毫安才能上电,并且可以由逻辑门输出驱动。然而,螺线管、灯和电机等大功率电子设备比逻辑门电源需要更多的电力。输入晶体管开关。  晶体管开关操作和操作区域  图 1 中图表上的蓝色阴影区域表示饱和
2023-02-20 16:35:09

如何利用氮化实现高性能栅极驱动?

氮化技术是功率级的真正推动者,如今可提供过去十年无法想象的性能。只有当栅极驱动器与晶体管具有相同程度的性能和创新时,才能获得GaN的最大性能和优势。经过多年的研发,MinDCet通过推出
2023-02-24 15:09:34

如何实现氮化的可靠运行

我经常感到奇怪,我们的行业为什么不在加快氮化 (GaN) 晶体管的部署和采用方面加大合作力度;毕竟,大潮之下,没人能独善其身。每年,我们都看到市场预测的前景不太令人满意。但通过共同努力,我们就能
2022-11-16 06:43:23

如何提高微波功率晶体管可靠性?

什么是微波功率晶体管?如何提高微波功率晶体管可靠性?
2021-04-06 09:46:57

如何用集成驱动器优化氮化性能

导读:将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能,并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多,从而有可能实现更低的开关损耗。然而,当
2022-11-16 06:23:29

安全使用晶体管的判定方法

率根据区域不同而不同。1-1. 热限制区域在该区域,SOA线具有45º 的倾斜度(功率固定线)。在该区域,下降率是0.8%/ºC。1-2. 2次下降区域晶体管存在热失控引起的2次下降区域。在2次下降
2019-05-05 09:27:01

射频功率晶体管究竟有多耐用?

目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配,即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 06:13:27

支持瓦特到千瓦级应用的氮化技术介绍

。LMG3410和LMG3411系列产品的额定电压为600 V,提供从低功率适配器到超过2 kW设计的各类解决方案。通过导通电阻选择器件内部氮化场效应晶体管(FET)的额定值为RDS(on) - 漏极-源极或导通电阻…
2022-11-10 06:36:09

数字晶体管的原理

晶体管为保持ON状态的最低电压、定义VI(on)为min错误观点1:由0开始依次加入输入电压。2:达到1.8V时,数字晶体管启动。3:因在规格书规定的3V(min) 以下,故判断为不合格。正确观点A
2019-04-22 05:39:52

数字晶体管的原理

混淆VI(on): 数字晶体管为保持ON状态的最低电压、定义VI(on)为min错误观点1:由0开始依次加入输入电压。2:达到1.8V时,数字晶体管启动。3:因在规格书规定的3V(min) 以下,故
2019-04-09 21:49:36

有关氮化半导体的常见错误观念

功率/高频射频晶体管和发光二极。2010年,第一款增强型氮化晶体管普遍可用,旨在取代硅功率MOSFET。之后随即推出氮化功率集成电路- 将GaN FET、氮化基驱动电路和电路保护集成为单个器件
2023-06-25 14:17:47

概述晶体管

集电极电流 (IC(max)) 在500mA以下,最大集电极功率 (PC(max)) 不超过1W的晶体管。相对功率晶体管而得名,一般以树脂封装居多,这是其特点之一。功率晶体管一般功率晶体管功率超过1W。相比
2019-05-05 01:31:57

消费类电子大功率空中交通控制的RF功率晶体管

(MicrosemiCorporation)扩展其基于碳化硅衬底氮化(GaNonSiC)技术的射频(RF)晶体管系列,推出新型S波段500WRF器件2729GN-500,新器件瞄准大功率空中交通控制机场监视雷达(ASR
2012-12-06 17:09:16

用于大功率和频率应用的舍入 GaN 基晶体管

针对可靠的高功率和高频率电子设备,制造商正在研究氮化(GaN)来制造具有高开关频率的场效应晶体管(FET)由于硅正在接近其理论极限,制造商现在正在研究使用宽带隙(WBG)材料来制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25

直接驱动GaN晶体管的优点

受益于集成器件保护,直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压(600V)氮化(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42

硅基氮化在大功率LED的研发及产业化

内的波长标准偏差标准为1.3nm,波长范围为4nm微米。硅衬底氮化基LED外延片的翘曲度很小,2英寸硅衬底LED大多数在4-5微米左右,6英寸在10微米以下。 2英寸硅衬底大功率LED量产硅4545
2014-01-24 16:08:55

英飞凌700瓦L波段射频功率晶体管

,典型能效为55%,P1dB输出功率为700瓦,增益为16dB,并具备低热阻特性。  新晶体管的推出使得英飞凌如今可为1200 MHz~1400 MHz系统应用提供一系列射频功率晶体管,额定输出功率分别为
2018-11-29 11:38:26

请问氮化GaN是什么?

氮化GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56

谁发明了氮化功率芯片?

虽然低电压氮化功率芯片的学术研究,始于 2009 年左右的香港科技大学,但强大的高压氮化功率芯片平台的量产,则是由成立于 2014 年的纳微半导体最早进行研发的。纳微半导体的三位联合创始人
2023-06-15 15:28:08

迄今为止最坚固耐用的晶体管氮化器件

晶体管”。  伊斯曼和米什拉是对的。氮化的宽带隙(使束缚电子自由断裂并有助于传导的能量)和其他性质让我们能够利用这种材料承受高电场的能力,制造性能空前的器件。  如今,氮化是固态射频功率应用领域
2023-02-27 15:46:36

GaN Systems即将要推出1美元以下的GaN晶体管

GaN(氮化镓)功率晶体管的全球领导者GaN Systems今天宣布,其低电流,大批量氮化晶体管价格已跌至1美元以下
2021-03-13 11:38:46682

已全部加载完成