宜普电源转换公司为业界提供增强型氮化镓(eGaN®)功率场效应晶体管和集成电路,最新推出100 V、典型值为1.7 mΩ 的EPC2071氮化镓场效应晶体管,为客户提供更多可选的低压氮化镓晶体管和可以立即发货。 EPC2071是面向要求高功率密度的应用的理想器件,包括用于新型服务器
2022-05-17 17:51:11
4007 
TriQuint半导体公司(纳斯达克代码:TQNT),推出四款具有卓越增益和效率,并且非常耐用的新氮化镓(GaN)HEMT射频功率晶体管产品。
2012-12-18 09:13:26
1621 TriQuint半导体公司(纳斯达克代码:TQNT),推出四款具有卓越增益和效率,并且非常耐用的新氮化镓 (GaN) HEMT 射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半,同
2012-12-19 10:19:09
1538 东芝开发出了用于超低功耗MCU的新型晶体管技术,可将MCU的耗电量降至1/10以下,而且能够利用与现行标准晶体管(MOSFET)相同的CMOS工艺制造。##下面来介绍实现这三种TFET的具体技术。
2014-09-12 08:59:46
8107 宜普电源转换公司是增强型硅基氮化镓(eGaN)功率场效应晶体管和集成电路的全球领先供应商,致力提高产品性能且降低可发货的氮化镓晶体管的成本,最新推出EPC2059 (6.8 mΩ、170 V)氮化镓场效应晶体管
2020-11-13 08:01:00
2013 ,以及基于硅的 “偏转晶体管 “屏幕产品的消亡。
因此,氮化镓是我们在电视、手机、平板电脑、笔记本电脑和显示器中,使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技术。在光子学方面,氮化镓还被用于蓝光激光技术(最明显
2023-06-15 15:50:54
本文讨论了商用氮化镓功率晶体管与Si SJMOS和SiC MOS晶体管相比在软开关LLC谐振转换器方面的优势。介绍随着更高功率、更小尺寸和更高效率的明显趋势,高频 LLC 谐振转换器是业内隔离式
2023-02-27 09:37:29
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
更小:GaNFast™ 功率芯片,可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量节约方面,它最高能节约 40% 的能量。
更快:氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
和功率密度,这超出了硅MOSFET技术的能力。开发工程师需要能够满足这些要求的新型开关设备。因此,开始了氮化镓晶体管(GaN)的概念。 HD-GIT的概述和优势 松下混合漏极栅极注入晶体管(HD-GIT
2023-02-27 15:53:50
器件的速度提高,这种外部电感会导致接地反弹增加[4]。 增强型氮化镓晶体管采用晶圆级芯片级封装 (WLCSP),端子采用焊盘栅格阵列 (LGA) 或球栅阵列 (BGA) 格式。其中一些器件不提供单独
2023-02-24 15:15:04
,并且顺丰包邮。 2022 年 5 月 15 日,联想官方在电商平台发起氮化镓快充价格战,YOGA 65W 双口 USB-C 氮化镓充电器到手价仅需 59.9元。这是一款正儿八经的大功率氮化镓充电器
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化镓(GaN)是氮和镓化合物,具体半导体特性,早期应用于发光二极管中,它与常用的硅属于同一元素周期族,硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料,具有宽带隙、高热导率等特点,应用在充电器方面,主要是集成氮化镓MOS管,可适配小型变压器和高功率器件,充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化镓功率晶体管的引入,氮化镓器件市场发生了巨变;塑料封装氮化镓器件可以成为陶瓷封装氮化镓器件经济高效的替代品,并成为实现新一代高功率超小型功率模块的关键所在。塑料封装、大功率氮化镓器件使设计人员能够
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化镓场效应晶体管并配合LM5113半桥驱动器可容易地实现的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
2000 年代初就已开始,但 GaN 晶体管仍处于起步阶段。 毫无疑问,它们将在未来十年内取代功率应用中的硅晶体管,但距离用于数据处理应用还很远。
Keep Tops氮化镓有什么好处?
氮化镓的出现
2023-08-21 17:06:18
` 本帖最后由 射频技术 于 2021-4-8 09:16 编辑
Wolfspeed的CG2H80015D是氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。GaN具有比硅或砷化镓更高的性能,包括
2021-04-07 14:31:00
`Cree的CGH40010是无与伦比的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。 CGH40010,正在运行从28伏电压轨供电,提供通用宽带解决方案应用于各种射频和微波应用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
Wolfspeed的CGHV40030是氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT),专为高效率,高增益和宽带宽功能而设计。 该器件可部署在L,S和C频段放大器应用中。 数据手册中的规格
2020-02-25 09:37:45
Wolfspeed的CGHV40030是无与伦比的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT),专为高效率,高增益和宽带宽功能而设计。 该器件可部署在L,S和C频段放大器应用中。 数据手册中的规格
2020-02-24 10:48:00
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比,这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27:13
是碳化硅(SiC)衬底上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。这种GaN内匹配(IM)场效应晶体管与其他技术相比,提供了优异的功率附加效率。GaN与硅或砷化镓相比具有更高的性能,包括更高
2018-08-13 10:58:03
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 该GaN内部匹配(IM)FET与其他技术相比,具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
产品采用符合RoHS的SMD封装提供。功能 内部匹配的GAN功率晶体管射频带宽(GHz)最小值-最大值 2.7-3.4功率(W) 65岁PAE(%) 55封装 QFN塑料包装CHKA011aSXA氮化
2021-04-02 16:25:08
Cree的CMPA801B025是氮化镓(GaN)高电子迁移率基于晶体管(HEMT)的单片微波集成电路(MMIC)。 氮化镓与硅或砷化镓相比具有更好的性能,包括更高的击穿电压,更高的饱和电子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
所需的功率模块和各种控制单元模块。与功率MOS场效应晶体管相比,驱动氮化镓功率晶体管存在诸多困难,这些困难包括阈值电压低、最大栅极电压和额定栅极电压之间的公差狭小、高转换速率带来的电流变化率和电压变化率
2018-11-05 09:51:35
MACOM六十多年的技术传承,运用bipolar、MOSFET和GaN技术,提供标准和定制化的解决方案以满足客户最严苛的需求。射频功率晶体管 - 硅基氮化镓 (GaN on Si)MACOM是全球唯一
2017-08-14 14:41:32
`作为一家具有60多年历史的公司,MACOM在射频微波领域经验丰富,该公司的首款产品就是用于微波雷达的磁控管,后来从真空管、晶体管发展到特殊工艺的射频及功率器件(例如砷化镓GaAs)。进入2000年
2017-09-04 15:02:41
产品名称:氮化镓晶体管QPD1004产品特性频率范围:30 - 1200 MHz输出功率(p3db):40 W在1 GHz线性增益:20.8分贝典型的1 GHz典型的pae3db:73.2%在1
2018-07-30 15:25:55
QPD1018氮化镓晶体管产品介绍QPD1018报价QPD1018代理QPD1018咨询热线QPD1018现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司QPD1018内部匹配离散GaN-on-SiC
2018-07-27 09:06:34
`QPD1018氮化镓晶体管产品介绍QPD1018报价QPD1018代理QPD1018咨询热线QPD1018现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司QPD1018内部匹配离散GaN-on-SiC
2019-07-17 13:58:50
SGFCF2002S-D氮化镓晶体管SGNH130M1H氮化镓晶体管SGNE010MK氮化镓晶体管SGCA100M1H氮化镓晶体管SGCA030M1H氮化镓晶体管深圳市立年电子科技有限公司QQ330538935***`
2021-03-30 11:14:59
SGFCF2002S-D氮化镓晶体管SGNH130M1H氮化镓晶体管SGNE010MK氮化镓晶体管SGCA100M1H氮化镓晶体管SGCA030M1H氮化镓晶体管深圳市立年电子科技有限公司QQ330538935***`
2021-03-30 11:24:16
)= + 25°CSGN19H181M1H砷化镓晶体管SGN19H240M1H砷化镓晶体管SGN21H180M1H砷化镓晶体管SGN21H121M1H砷化镓晶体管SGN21H181M1H砷化镓晶体管
2021-03-30 11:32:19
功率增益13 dB的增益和55%的功率附加效率在1 dB压缩。这种性能使tgf2040适合高效率的应用。带有氮化硅的保护层提供了环境鲁棒性和划痕保护级别。产品型号:TGF2040产品名称:砷化镓晶体管
2018-07-18 12:00:19
在功率增益10.4 dB和63%的功率附加效率在1 dB压缩。这种性能使tgf2160适合高效率的应用。产品型号:TGF2160产品名称:砷化镓晶体管TGF2160产品特性频率范围:直流- 20千兆
2018-07-19 10:35:47
、测试仪器。该设备可以支持脉冲和线性操作。产品型号: TGF2977-SM产品名称:氮化镓晶体管TGF2977-SM产品特性频率范围:直流- 12 GHz输出功率(p3db):6 W在9.4 GHz线性增益
2018-07-25 10:06:15
度为1.1 eV,而氮化镓的禁带宽度为3.4 eV。由于宽禁带材料具备高电场强度,耗尽区窄短,从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构。例如,一个典型的650V横向氮化镓晶体管,可以支持超过800V
2023-06-15 15:53:16
氮化镓(GaN)功率芯片,将多种电力电子器件整合到一个氮化镓芯片上,能有效提高产品充电速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中,氮化镓功率芯片,能令先进的电源转换拓扑结构,从学术概念和理论达到
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装,GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
镓具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势,氮化镓充电器的充电器件运行速度,比传统硅器件要快 100倍。
更重要的是,氮化镓相比传统的硅,可以在更小的器件空间内处理更大的电场,同时提供更快的开关速度。此外,氮化镓比硅基半导体器件,可以在更高的温度下工作。
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位。『三点半说』经多方专家指点查证,特推出“氮化镓系列”,告诉大家什么是氮化镓(GaN)?
2019-07-31 06:53:03
SiC、蓝宝石、AlN和原生块体氮化镓。不过,所有这些材料价格昂贵,而最常用的透明电路基板——玻璃,则非常便宜。 我们的解决方案是一个两步式制程,可在玻璃基板上形成氮化镓晶体管。第一步是在将氮化镓层
2020-11-27 16:30:52
明佳达电子优势供应氮化镓功率芯片NV6127+晶体管AON6268丝印6268,只做原装,价格优势,实单欢迎洽谈。产品信息型号1:NV6127丝印:NV6127属性:氮化镓功率芯片封装:QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
什么是微波功率晶体管?如何提高微波功率晶体管可靠性?
2021-04-06 09:46:57
导读:将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能,并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多,从而有可能实现更低的开关损耗。然而,当
2022-11-16 06:23:29
功率/高频射频晶体管和发光二极管。2010年,第一款增强型氮化镓晶体管普遍可用,旨在取代硅功率MOSFET。之后随即推出氮化镓功率集成电路- 将GaN FET、氮化镓基驱动电路和电路保护集成为单个器件
2023-06-25 14:17:47
集电极电流 (IC(max)) 在500mA以下,最大集电极功率 (PC(max)) 不超过1W的晶体管。相对功率晶体管而得名,一般以树脂封装居多,这是其特点之一。功率晶体管一般功率晶体管的功率超过1W。相比
2019-05-05 01:31:57
(MicrosemiCorporation)扩展其基于碳化硅衬底氮化镓(GaNonSiC)技术的射频(RF)晶体管系列,推出新型S波段500WRF器件2729GN-500,新器件瞄准大功率空中交通控制机场监视雷达(ASR
2012-12-06 17:09:16
针对可靠的高功率和高频率电子设备,制造商正在研究氮化镓(GaN)来制造具有高开关频率的场效应晶体管(FET)由于硅正在接近其理论极限,制造商现在正在研究使用宽带隙(WBG)材料来制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
受益于集成器件保护,直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压(600V)氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
虽然低电压氮化镓功率芯片的学术研究,始于 2009 年左右的香港科技大学,但强大的高压氮化镓功率芯片平台的量产,则是由成立于 2014 年的纳微半导体最早进行研发的。纳微半导体的三位联合创始人
2023-06-15 15:28:08
的晶体管”。 伊斯曼和米什拉是对的。氮化镓的宽带隙(使束缚电子自由断裂并有助于传导的能量)和其他性质让我们能够利用这种材料承受高电场的能力,制造性能空前的器件。 如今,氮化镓是固态射频功率应用领域
2023-02-27 15:46:36
晶体管耗散功率,晶体管耗散功率是什么意思
晶体管耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM,是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大
2010-03-05 17:34:10
8979 氮化镓是一种具有较大禁带宽度的半导体,属于所谓宽禁带半导体之列。它是微波功率晶体管的优良材料,也是蓝色光发光器件中的一种具有重要应用价值的半导体。 增强型氮化镓(e
2012-06-06 13:56:31
0 中国上海,2016年2月24日- 领先的高性能模拟、微波、毫米波和光波半导体产品供应商MACOM日前宣布推出其备受瞩目、应用于宏基站的MAGb系列氮化镓(GaN)功率晶体管。
2016-02-24 10:40:21
1503 当测定氮化镓(GaN)晶体管的皮秒量级上升时间时,即使有1GHz的观察仪器和1GHz的探针仍可能不够。准确测定GaN晶体管的上升和下降时间需要细心留意您的测量设置和设备。让我们初步了解一下使用TI最近推出的LMG5200集成式半桥GaN电源模块进行准确测量的最佳实践方法。
2017-04-18 12:34:04
3878 
宜普公司为功率系统设计师提供比等效MOSFET小型化8倍的40 V、5 mΩ氮化镓功率晶体管(EPC2049),应用于负载点(POL)转换器、激光雷达(LiDAR)及具低电感的马达驱动器。
2017-12-29 10:40:00
7190 氮化镓(GaN)场效应晶体管具备高速的开关速度优势,需要使用良好的测量技术及能够描述高速波形细节的良好技巧来进行评估。本文专注于如何基于用户的要求及测量技术,利用测量设备来准确地评估高性能的氮化镓晶体管。此外,本文评估高带宽差分探头与不接地参考波形一起使用时的情况。
2018-06-08 16:43:00
4123 
什么是氮化镓晶体管?它有什么作用?硅功率MOSFET还没有跟上电力电子行业的发展变化,在这个行业中,效率、功率密度和更小的形式等因素是社区的主要需求。电力电子工业已经达到硅MOSFET的理论极限
2020-05-24 11:30:05
9114 年1月18日——基于MasterGaN®平台的创新优势,意法半导体推出了MasterGaN2,作为新系列双非对称氮化镓(GaN)晶体管的首款产品,是一个适用于软开关有源钳位反激拓扑的GaN集成化
2021-01-20 11:20:44
3769 GaN(氮化镓)功率晶体管的全球领导者GaN Systems今天宣布,其低电流,大批量氮化镓晶体管的价格已跌至1美元以下。
2021-03-13 11:38:46
1081 器件成为研发的重点,相关的应用开发活动也十分活跃。 EPC新近推出的EPC2218增强模式氮化镓功率晶体管(eGaN FET)就是在这个大趋势下应运而生的一款性能优异的器件。 EPC2218是100V、60A和231A脉冲增强型GaN FET,该晶片的尺寸为3.5mm x 1.95
2021-08-17 18:03:15
3597 本文重点讨论氮化镓功率器件在阵列雷达收发系统中的应用。下面结合半导体的物理特性,对氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的特点加以说明。
2022-04-24 16:54:33
6939 
电源转换器的设计人员正在寻找提高效率同时增加系统功率密度的方法。 宽带隙 (WBG) 技术提供了答案。 由氮化镓 (GaN) 制成的晶体管作为一种解决方案正变得越来越流行,但与其硅对应物一样,单个
2022-08-04 09:35:48
2219 
氮化镓晶体管和碳化硅 MOSFET是近两三年来新兴的功率半导体,相比于传统的硅材料功率半导体,他们都具有许多非常优异的特性:耐压高,导通电阻小,寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性:氮化镓晶体管
2022-11-02 16:13:06
5427 (GaN)。在这些潜在材料中,氮化镓或氮化镓正得到广泛认可和青睐。这是因为GaN晶体管与材料晶体管相比具有几个优势。
2022-12-13 10:00:08
3917 氮化镓工艺优点是什么呢? AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)是开关功率晶体管的有希望的候选者,因为它们具有高的断态击穿强度以及导通状态下的优异沟道导电性。这些特征是GaN的特殊物理特性与其异质结构材料AlGaN的组合。最重要的
2023-02-05 11:43:47
2725 氮化镓是一种二元III/V族直接带隙半导体晶体,也是一般照明LED和蓝光播放器最常使用的材料。另外,氮化镓还被用于射频放大器和功率电子器件。氮化镓是非常坚硬的材料;其原子的化学键是高度离子化的氮化镓化学键,该化学键产生的能隙达到3.4 电子伏特。
2023-02-05 15:38:18
10906 
作为第三代半导体的天之骄子,氮化镓晶体管日益引起工业界的重视,且被更大规模应用
2023-02-07 17:13:06
970 氮化镓晶体管显然对高速、高性能MOSFET器件构成了非常严重的威胁。氮化镓上硅(GaN on Si)晶体管预计的低成本,甚至还有可能使IGBT器件取代它们在较低速度、650V,非常高电流电源应用中的统治地位。
2023-02-08 09:52:02
1307 
一个器件的成本效益,从生产基础设施开始计算。宜普公司的工艺技术,基于不昂贵的硅晶圆片。在硅基板上有一层薄薄的氮化铝 (Aluminum Nitride/Al),隔离了器件结构和基底。这个隔离层能隔离300V电压。在这隔离层上是一层厚厚的氮化镓,晶体管就建立于这个基础上。
2023-02-08 09:57:30
2835 
法国和瑞士科学家首次使用氮化镓在(100)-硅(晶体取向为100)基座上,成功制造出了性能优异的高电子迁徙率晶体管(HEMTs)。
2023-02-08 17:39:07
1360 氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET是近两三年来新兴的功率半导体,相比于传统的硅材料功率半导体,他们都具有许多非常优异的特性:耐压高,导通电阻小,寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性:氮化镓
2023-02-09 16:59:57
7653 
氮化镓(GaN)是一种宽带隙半导体,用于高效功率晶体管和集成电路。在GaN晶体的顶部生长氮化铝镓(AlGaN)薄层并在界面施加应力,从而产生二维电子气(2DEG)。2DEG用于在电场作用下,高效
2023-02-10 11:05:17
5998 
氮化镓晶体管显然对高速、高性能MOSFET器件构成了非常严重的威胁。氮化镓上硅(GaN on Si)晶体管预计的低成本,甚至还有可能使IGBT器件取代它们在较低速度、650V,非常高电流电源应用中的统治地位。
2023-02-12 17:09:49
1031 氮化镓晶体管型号参数主要包括电压限值、电流密度、功率密度、效率、温度系数、漏电流、漏电压、抗电磁干扰能力等。
2023-02-14 16:24:03
2808 氮化镓是一种半导体材料,具有良好的电子特性,可以用于改善电子器件的性能。氮化镓的主要用途是制造半导体器件,如晶体管、集成电路和光电器件。
2023-02-15 18:01:01
4179 氮化镓功率器件可以分为三类:MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)、IGBT(晶闸管)和JFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。
2023-02-19 14:32:39
3118 了氮化镓呢? 下图是充电器的主要电子元器件。 其实充电电子元器件里面,是晶体管里面添加了氮化镓,而其他元器件均是常规电子件。 这里的晶体管是指MOSFET半导体场效益晶体管。 而氮化镓晶体管与普
2023-02-21 15:04:24
6 摘要:栅极控制能力是决定氮化镓高电子迁移率晶体管性能的关键因素。然而在金属-氮化镓界面,金属和半导体的直接接触会导致界面缺陷和固定电荷,这会降低氮化镓高电子迁移率晶体管栅控能力。在本项研究中,二维
2023-05-25 16:11:29
2306 
引言:氮化镓作为第三代宽禁带半导体材料的代表之一,因其优越的性能,例如高电子迁移率、高电子饱和速率、耐高温及高热导率等优点吸引了越来越多的关注,也正是因为这些优点,垂直氮化镓功率晶体管在未来的电力
2023-02-13 10:42:54
2994 
解决方案带来了极高的附加值。采用GaN技术有助于实现上述目标,随着该项技术商用步伐的加快,在功率转换应用中也获得了广泛运用。 GaN晶体管与硅基晶体管相比的优点 与硅基晶体管相比,GaN功率晶体管有什么优点呢?GaN在品质因数(
2023-08-03 14:43:28
694 如今,越来越多的设计人员在各种应用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 电源。氮化镓很重要,因为它有助于提高功率晶体管的效率,从而减小电源的尺寸并降低工作温度。
2023-09-13 16:06:07
879 Nexperia(安世半导体)的高功率氮化镓场效应晶体管,共将分为(上)(下)两期,包含其工艺、性能优势、产品及封装等内容。本期将先介绍 Nexperia(安世半导体)氮化镓产品的成熟的工艺。
2023-09-25 08:19:00
1508 
晶体管)结构。GaN HEMT由以下主要部分组成: 衬底:氮化镓功率器件的衬底采用高热导率的材料,如氮化硅(Si3N4),以提高器件的热扩散率和散热能力。 二维电子气层:氮化镓衬底上生长一层氮化镓,形成二维电子气层。GaN材料的禁带宽度大,由于
2024-01-09 18:06:41
6131 氮化镓(GaN)MOS管,是一种基于氮化镓材料制造的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。由于氮化镓具有优异的电子迁移率、高电子饱和速度和较高的击穿电压能力,使得氮化镓MOS管在高功率
2024-01-10 09:32:15
4274 氮化镓是一种重要的半导体材料,属于六方晶系晶体。在过去的几十年里,氮化镓作为一种有着广泛应用前景的材料,受到了广泛关注和研究。本文将会详尽地介绍氮化镓的晶体结构、性质以及应用领域。 首先,我们来介绍
2024-01-10 10:03:21
6727 氮化镓场效应晶体管是当今电力电子领域的明星,它正在提高功率转换效率、电机控制和功率密度,有效满足当前的市场需求和趋势。
2024-07-05 09:20:01
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GaN(氮化镓)晶体管,特别是GaN HEMT(高电子迁移率晶体管),是近年来在电力电子和高频通信领域受到广泛关注的一种新型功率器件。其结构复杂而精细,融合了多种材料和工艺,以实现高效、高频率和高功率密度的性能。
2024-08-15 11:01:06
3437 GaN(氮化镓)晶体管和SiC(碳化硅)晶体管作为两种先进的功率半导体器件,在电力电子、高频通信及高温高压应用等领域展现出了显著的优势。然而,它们在材料特性、性能表现、应用场景以及制造工艺等方面存在诸多不同。以下是对这两种晶体管差异的详细分析。
2024-08-15 11:16:21
2935 GaN(氮化镓)晶体管,特别是GaN HEMT(高电子迁移率晶体管),近年来在多个领域展现出广泛的应用场景。其出色的高频性能、高功率密度、高温稳定性以及低导通电阻等特性,使得GaN晶体管成为电力电子和高频通信等领域的优选器件。以下将详细阐述GaN晶体管的主要应用场景,并结合具体实例进行说明。
2024-08-15 11:27:20
3066 1月8日消息,日本丰田合成株式会社(Toyoda Gosei Co., Ltd.)宣布,成功开发出了用于垂直晶体管的 200mm(8英寸)氮化镓 (GaN)单晶晶圆。 据介绍,与使用采用硅基GaN
2025-01-09 18:18:22
1358 电子发烧友网站提供《Nexperia共源共栅氮化镓(GaN)场效应晶体管的高级SPICE模型.pdf》资料免费下载
2025-02-13 15:23:25
7 氮化镓晶体管的并联设计总结 先上链接,感兴趣的朋友可以直接下载: *附件:氮化镓晶体管的并联设计.pdf 一、引言 应用场景 :并联开关管广泛应用于大功率场合,如牵引逆变器、可回收能源系统等
2025-02-27 18:26:31
1103 新品TOLL和DFN封装CoolGaN650VG5第五代氮化镓功率晶体管第五代CoolGaN650VG5氮化镓功率晶体管可在高频工况下显著提升能效,符合业界最高质量标准,助力打造兼具超高效率与卓越
2025-06-26 17:07:33
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新品第五代CoolGaN650-700V氮化镓功率晶体管G5第五代650-700VGaN氮化镓功率晶体管可实现高频工况下的效率提升,并满足最高质量标准,能够打造具有超高效率的高可靠性设计。该系
2025-11-03 18:18:05
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