Veeco 公司今日宣布和ALLOS Semiconductors (ALLOS)达成了一项战略举措,展示了200mm硅基氮化镓晶圆用于蓝/绿光micro-LED的生产。维易科和ALLOS合作将其
2018-02-26 10:24:10
10634 IQE plc(AIM 股票代码:IQE,以下简称“IQE”或“集团”)全球领先的化合物半导体晶圆产品和先进材料解决方案供应商,近日宣布将推出全新 8英寸 (200mm) 红、绿、蓝三色( “RGB
2023-06-19 15:35:07
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,以及基于硅的 “偏转晶体管 “屏幕产品的消亡。
因此,氮化镓是我们在电视、手机、平板电脑、笔记本电脑和显示器中,使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技术。在光子学方面,氮化镓还被用于蓝光激光技术(最明显
2023-06-15 15:50:54
被誉为第三代半导体材料的氮化镓GaN。早期的氮化镓材料被运用到通信、军工领域,随着技术的进步以及人们的需求,氮化镓产品已经走进了我们生活中,尤其在充电器中的应用逐步布局开来,以下是采用了氮化镓的快
2020-03-18 22:34:23
技术迭代。2018 年,氮化镓技术走出实验室,正式运用到充电器领域,让大功率充电器迅速小型化,体积仅有传统硅(Si)功率器件充电器一半大小,氮化镓快充带来了充电器行业变革。但作为新技术,当时氮化镓
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化镓(GaN)是氮和镓化合物,具体半导体特性,早期应用于发光二极管中,它与常用的硅属于同一元素周期族,硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料,具有宽带隙、高热导率等特点,应用在充电器方面,主要是集成氮化镓MOS管,可适配小型变压器和高功率器件,充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化镓为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷(低电容)、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件,以及分立氮化镓的典型开关频率(65kHz)相比,集成式氮化镓器件提升到的 200kHz。
氮化镓电源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
时间。
更加环保:由于裸片尺寸小、制造工艺步骤少和功能集成,氮化镓功率芯片制造时的二氧化碳排放量,比硅器件的充电器解决方案低10倍。在较高的装配水平上,基于氮化镓的充电器,从制造和运输环节产生的碳足迹,只有硅器件充电器的一半。
2023-06-15 15:32:41
。氮化镓的性能优势曾经一度因高成本而被抵消。最近,氮化镓凭借在硅基氮化镓技术、供应链优化、器件封装技术以及制造效率方面的突出进步成功脱颖而出,成为大多数射频应用中可替代砷化镓和 LDMOS 的最具成本
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化镓场效应晶体管并配合LM5113半桥驱动器可容易地实现的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。 数十年来,横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今,这种平衡发生了转变,硅基氮化镓(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
氮化镓 (GaN) 可为便携式产品提供更小、更轻、更高效的桌面 AC-DC 电源。Keep Tops 氮化镓(GaN)是一种宽带隙半导体材料。 当用于电源时,GaN 比传统硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来,横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今,这种平衡发生了转变,硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
2019-09-02 07:16:34
内的波长标准偏差标准为1.3nm,波长范围为4nm微米。硅衬底氮化镓基LED外延片的翘曲度很小,2英寸硅衬底LED大多数在4-5微米左右,6英寸在10微米以下。 2英寸硅衬底大功率LED量产硅4545
2014-01-24 16:08:55
不同,MACOM氮化镓工艺的衬底采用硅基。硅基氮化镓器件具备了氮化镓工艺能量密度高、可靠性高等优点,Wafer可以做的很大,目前在8英寸,未来可以做到10英寸、12英寸,整个晶圆的长度可以拉长至2米
2017-08-29 11:21:41
功率氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势,并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容,在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机
2018-11-05 09:51:35
,可帮助系统设计人员简化和加快产品开发,使其能够轻松微调射频能量输出水平,从而最大限度地提高效率和增强性能。MACOM的射频能量工具包将其硅基氮化镓功率晶体管的优势与直观、灵活的软件和信号控制能力相结合
2017-08-03 10:11:14
电子、汽车和无线基站项目意法半导体获准使用MACOM的技术制造并提供硅上氮化镓射频率产品预计硅上氮化镓具有突破性的成本结构和功率密度将会实现4G/LTE和大规模MIMO 5G天线中国,2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
应用。MACOM的氮化镓可用于替代磁控管的产品,这颗功率为300瓦的硅基氮化镓器件被用来作为微波炉里磁控管的替代。用氮化镓器件来替代磁控管带来好处很多:半导体器件可靠性更高,氮化镓器件比磁控管驱动电压
2017-09-04 15:02:41
失真(DPD)来修正,但实践表明,碳化硅基氮化镓器件实现DPD优化相当困难。碳化硅中的电荷捕获效应被认为是由于其硅结构中的晶格 缺陷所致,最终导致功率放大器的线性化困难MACOM氮化镓的功率密度是裸片
2017-08-30 10:51:37
是硅基氮化镓技术。2017 电子设计创新大会展台现场演示在2017年的电子设计创新大会上,MACOM上海无线产品中心设计经理刘鑫表示,硅衬底有一些优势,材料便宜,散热系数好。且MACOM在高性能射频领域
2017-07-18 16:38:20
的设计和集成度,已经被证明可以成为充当下一代功率半导体,其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计,如果全球采用硅芯片器件的数据中心,都升级为使用氮化镓功率芯片器件,那全球的数据中心将减少30-40
2023-06-15 15:47:44
氮化镓(GaN)是一种“宽禁带”(WBG)材料。禁带,是指电子从原子核轨道上脱离出来所需要的能量,氮化镓的禁带宽度为 3.4ev,是硅的 3 倍多,所以说氮化镓拥有宽禁带特性(WBG)。
硅的禁带宽
2023-06-15 15:53:16
买不到,200mm设备由于零配件的来源少,导致维护困难。这有可能导致二手设备的价格急剧上升,将使200mm生产线失去该有的吸引力。 数据显示,2016年年底全球有8英寸硅片月产能520万片及12英寸
2017-08-23 10:14:39
eMode硅基氮化镓技术,创造了专有的AllGaN™工艺设计套件(PDK),以实现集成氮化镓 FET、氮化镓驱动器,逻辑和保护功能于单芯片中。该芯片被封装到行业标准的、低寄生电感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年,无论是吊打碳化硅,还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质,确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
镓具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势,氮化镓充电器的充电器件运行速度,比传统硅器件要快 100倍。
更重要的是,氮化镓相比传统的硅,可以在更小的器件空间内处理更大的电场,同时提供更快的开关速度。此外,氮化镓比硅基半导体器件,可以在更高的温度下工作。
2023-06-15 15:41:16
几十倍、甚至上百倍的数量增加,因此成本的控制非常关键,而硅基氮化镓在成本上具有巨大的优势,随着硅基氮化镓技术的成熟,它能以最大的性价比优势取得市场的突破。[color=rgb(51, 51, 51
2019-07-08 04:20:32
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生,以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
如何设计GaN氮化镓 PD充电器产品?
2021-06-15 06:30:55
大幅降低电流在保护板上的损耗,随着手机充电功率达到200W,电池端的电流达到20A。传统硅MOS温升明显,甚至需要辅助导热措施来为其散热。使用氮化镓代替硅MOS之后,可以无需导热材料,降低快充过程中
2023-02-21 16:13:41
功率/高频射频晶体管和发光二极管。2010年,第一款增强型氮化镓晶体管普遍可用,旨在取代硅功率MOSFET。之后随即推出氮化镓功率集成电路- 将GaN FET、氮化镓基驱动电路和电路保护集成为单个器件
2023-06-25 14:17:47
氮化镓GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56
各位大神,目前国内卖铟镓砷红外探测器的有不少,知道铟镓砷等III-V族化合物外延片都是哪些公司生产的吗,坐等答案
2013-06-04 17:22:07
爱思强股份有限公司推出最新产品AIX G5+,为其AIX G5行星式反应器平台提供5x200 mm硅基氮化镓生长专用设备。基于以客户为中心的发展计划,爱思强的研发实验室开发了此技术并设计并制
2012-07-25 11:16:21
1953 200mm的爆炸式需求,掀起了对于二手半导体制造设备的疯狂需求,这些设备能在较老的工艺节点使用。目前问题是没有足够的二手设备可用,并不是所有的新的或扩大的200mm fab厂都能承担得起翻新或新设备的开支。
2017-09-11 11:23:39
4 1.物联网时代200mm生产线是热点;
2.200mm生产线需关注维护成本;
3.建一条以国产设备为主的200mm生产线
2017-09-23 09:24:00
2218 法国阿斯克新城和德国德累斯顿 - 2018 年 2 月 1 日 - 来自电子、微电子及纳米技术研究院 (IEMN) 的最新结果显示,ALLOS 即将推出的适用于 1200 V 器件的硅基氮化镓外延片产品具有超过 1400 V 的纵向和横向击穿电压。
2018-02-26 10:17:42
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与传统的金属氧化物(LDMOS)半导体相比,硅基氮化镓的性能优势十分明显——提供的有效功率可超过70%,每个单位面积的功率提升了4~6倍数,从而降低整体功耗,并且很重要的是能够扩展至高频率应用。同时
2018-11-10 11:29:24
9762 Veeco Instruments Inc. 与 ALLOS Semiconductors GmbH 10日宣布取得又一阶段的合作成果,致力于为Micro LED生产应用提供业内领先的硅基氮化镓外延片产品技术。
2018-11-13 17:02:59
3997 Veeco Instruments Inc. (Nasdaq: VECO) 与 ALLOS Semiconductors GmbH 10日宣布取得又一阶段的合作成果,双方共同努力,致力于为Micro LED生产应用提供业内领先的硅基氮化镓外延片产品技术。
2018-11-15 14:53:49
4130 近日,北京耐威科技股份有限公司(以下简称“耐威科技”)发布公告称,其控股子公司聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司(以下简称“聚能晶源”)成功研制“8英寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延晶圆”,聚
2018-12-20 14:45:20
7537 耐威科技表示,本次“8 英寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延晶圆”的研制成功,使得聚能晶源成为截至目前公司已知全球范围内领先的可提供具备长时可靠性的 8 英寸 GaN 外延晶圆的生产企业,且在
2018-12-20 15:21:17
6874 的产品采购、资料下载、技术支持等服务内容均可由世强元件电商支持。 英诺赛科的主要产品包括30V-650V氮化镓功率器件与5G射频器件。特别值得一提的是,英诺赛科拥有全球首条8英寸硅基氮化镓外延与芯片量产生产线,这条产品线的的通线投产,不仅填补了我国第
2019-01-16 18:16:01
894 关键词:硅基氮化镓 , 功率放大器 MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”) 推出全新MAMG-100227-010宽带功率放大器 (PA) 模块,扩展其硅
2019-02-17 12:32:01
659 Soitec携手新傲科技,扩大中国区200mm SOI晶圆产量,保障未来增长 作为设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业,法国Soitec半导体公司今日与中国领先的硅基半导体材料企业上海新傲
2019-02-23 12:08:01
596 重庆大足区人民政府网消息显示,近日,聚力成半导体(重庆)有限公司工厂成功试产的第三代半导体产品氮化镓外延片在重庆发布。
2019-09-11 15:01:26
5609 近日,为了解决晶片尺寸不匹配的问题并应对 microLED 生产产量方面的挑战,ALLOS 应用其独特的应变工程技术,展示了 200 mm 硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 外延片的出色一致性和可重复性。此外,公司还报告了其 300 mm 外延片的成功发展蓝图。
2020-04-08 16:53:12
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据报道,德国硅基氮化镓专家ALLOS Semiconductors宣布与沙特阿卜都拉国王科技大学(KAUST)研究团队达成合作,双方将共同研发高效硅基InGaN红色Micro LED。
2020-07-22 14:51:48
895 近年来,对 GaN 功率和 RF 器件的各种应用越来越多广泛,GaN 基产品的需求不断增长,总部位于新加坡的 IGSS GaN Pte Ltd(IGaN)指出其公司积极开发硅 / 碳化硅基氮化镓外延
2020-10-30 01:16:44
915 近日,为了解决晶片尺寸不匹配的问题并应对 microLED 生产产量方面的挑战,ALLOS 应用其独特的应变工程技术,展示了 200 mm 硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 外延片的出色一致性和可重复性
2020-12-24 10:20:30
2566 5万片晶圆。报道显示,该笔拨款是2022财年综合拨款法案的一部分,来自于美国国防部可信访问计划办公室 (TAPO) ,自2019年以来,TAPO一直积极支持军民两用硅基氮化镓技术研发,新的款项将资助格
2022-10-21 15:33:23
1691 该外延片专为新能源汽车电驱系统开发,以适用目前更高效的800V电压架构。并且该外延片基于国产设备开发,完全自主可控。
2022-11-18 10:08:54
2005 氮化镓(GaN)是一种非常坚硬、机械稳定的宽带隙半导体。基于GaN的功率器件具有更高的击穿强度、更快的开关速度、更高的导热性和更低的导通电阻,其性能明显优于硅基器件。氮化镓晶体可以在各种衬底上生长
2022-12-09 09:54:06
2352 氮化镓(GaN)是一种非常坚硬且在机械方面非常稳定的宽带隙半导体材料。由于具有更高的击穿强度、更快的开关,更高的热导率和更低的导通电阻,氮化镓基功率器件明显比硅基器件更优越。
2023-02-02 17:23:01
4677 氮化镓前景怎么样 氮化镓产业概述 1、产业地位 随着半导体化合物持续发展,相较第一代硅基半导体和第二代砷化镓等半导体,第三代半导体具有高击穿电场、高热导率、高电子迁移率、高工作温度等优点。以SiC
2023-02-03 14:31:18
1408 氮化镓是目前全球最快功率开关器件之一,氮化镓本身是第三代的半导体材料,许多特性都比传统硅基半导体更强。
2023-02-05 12:48:15
27990 氮化镓外延片生长工艺较为复杂,多采用两步生长法,需经过高温烘烤、缓冲层生长、重结晶、退火处理等流程。两步生长法通过控制温度,以防止氮化镓外延片因晶格失配或应力而产生翘曲,为目前全球氮化镓外延片主流制备方法。
2023-02-05 14:50:00
7546 硅基氮化镓技术是一种将氮化镓器件直接生长在传统硅基衬底上的制造工艺。在这个过程中,由于氮化镓薄膜直接生长在硅衬底上,可以利用现有硅基半导体制造基础设施实现低成本、大批量的氮化镓器件产品的生产。
2023-02-06 15:47:33
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硅基氮化镓作为第三代化合物半导体材料,主要应用于功率器件,凭借更小体积、更高效率对传统硅材料进行替代。预计中短期内硅基氮 化镓将在手机快充充电器市场快速渗透,长期在基站、服务器、新能源汽车等诸多场景也将具有一定的增长潜力。
2023-02-06 16:44:27
4965 硅基氮化镓是一个正在走向成熟的颠覆性半导体技术,硅基氮化镓技术是一种将氮化镓器件直接生长在传统硅基衬底上的制造工艺。在这个过程中,由于氮化镓薄膜直接生长在硅衬底上,可以利用现有硅基半导体制造基础设施实现低成本、大批量的氮化镓器件产品的生产。
2023-02-06 16:44:26
4975 
氮化镓外延片指采用外延方法,使单晶衬底上生长一层或多层氮化镓薄膜而制成的产品。近年来,在国家政策支持下,我国氮化镓外延片行业规模不断扩大。
2023-02-06 17:14:35
5313 在过去几年中,氮化镓(GaN)在半导体技术中显示出巨大的潜力,适用于各种高功率应用。与硅基半导体器件相比,氮化镓是一种物理上坚硬且稳定的宽带隙(WBG)半导体,具有快速的开关速度,更高的击穿强度和高导热性。
2023-02-09 18:04:02
1141 硅基氮化镓技术是一种将氮化镓器件直接生长在传统硅基衬底上的制造工艺。在这个过程中,由于氮化镓薄膜直接生长在硅衬底上,可以利用现有硅基半导体制造基础设施实现低成本、大批量的氮化镓器件产品的生产。
2023-02-10 10:43:34
2743 
在这种情况下,氮化镓因其卓越的射频性能而成为5G mMIMO无线电的领先大功率射频功率放大器技术。然而,目前的实现方式成本过高。与硅基技术相比,氮化镓生长在昂贵的III/V族SiC晶圆上,采用昂贵
2023-02-10 10:48:50
1674 
氮化镓根据衬底不同可分为硅基氮化镓和碳化硅基氮化镓:碳化硅基氮化镓射频器件具有高导热性能和大功率射频输出优势,适用于5G基站、卫星、雷达等领域;硅基氮化镓功率器件主要应用于电力电子器件领域。虽然
2023-02-10 10:52:52
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硅基氮化镓外延生长是在硅片上经过各种气体反应在硅片上层积几层氮化镓外延层,为中间产物。氮化镓功率器件是把特定电路所需的各种电子组件及线路,缩小并制作在极小面积上的一种电子产品。氮化镓功率器件制造主要
2023-02-11 11:31:42
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硅基氮化镓是一种具有较大禁带宽度的半导体,属于所谓宽禁带半导体之列。
2023-02-12 13:52:27
1619 在半导体层面上,硅基氮化镓的主流商业化为提高射频性能敞开了大门,其中包括增加功率放大器的功率密度,以及缩小器件尺寸并最终节省系统空间。
2023-02-12 14:00:15
1261 通常是指的在蓝宝石衬底上用外延的方法(MOCVD)生长的GaN。外延片上面一般都已经做有u-GaN,n-GaN,量子阱,p-GaN。
2023-02-12 14:31:25
4281 硅基氮化镓是第三代半导体化合材料,有着能量密度高、可靠性高的优点,能够代替很多传统的硅材料,晶圆可以做得很大,晶圆的长度可以拉长至2米。 硅基氮化镓器件具有击穿电压高、导通电阻低、开关速度快、零
2023-02-12 14:30:28
3191 硅基氮化镓作为第三代化合物半导体材料,主要应用于功率器件,可有效缩小功率器件体积,提高功率器件效率,对传统硅材料功率器 件进行替代。
2023-02-12 17:05:08
997 硅上氮化镓具有广泛的未来应用,扩展了当前的HEMT功能,将功率水平提高到1kW以上。该技术可帮助设计人员提高工作电压,并将频率响应从Ka波段推入E波段、W波段和太赫兹空间。本文由香港科技大学电子及计算机科技系的一组研究人员提出。
2023-02-12 17:20:08
736 硅基氮化镓(GaN-on-silicon)LED始终备受世人的关注。在最近十年的初期,当 Bridgelux(普瑞光电)公司宣布该技术可减低 LED 照明的成本时,它一举成为了头条新闻。LED 芯片
2023-02-12 17:28:00
1624 由于同质外延结构带来的晶格匹配和热匹配,自支撑氮化镓衬底在提升氮化镓基器件性能方面有着巨大潜力,如发光二极管,激光二极管,功率器件和射频器件等。相比异质衬底外延, 基于自支撑氮化镓晶圆片的同质外延可能是大多氮化镓基器件的绝佳选择。
2023-02-14 09:18:10
1513 
氮化镓外延片是一种由氮化镓制成的薄片,它可以用于制造电子元件、电子器件和电子零件。氮化镓外延片具有良好的热稳定性和电磁屏蔽性,可以用于制造高精度的零件和组件,如电路板、电子控制器、电子模块、电子接口、电子连接器等。
2023-02-14 14:05:41
5426 硅基氮化镓技术是一种新型的氮化镓外延片技术,它可以提高外延片的热稳定性和抗拉强度,从而提高外延片的性能。
2023-02-14 14:19:01
2596 硅基氮化镓功率器件是一种新型的功率器件,它可以提高功率器件的热稳定性和抗拉强度,从而提高功率器件的性能。它主要用于电子、光学、电力、航空航天等领域。
2023-02-14 14:28:09
2243 硅基氮化镓衬底是一种新型的衬底,它可以提高衬底的热稳定性和抗拉强度,从而提高衬底的性能。它主要用于电子、光学、电力、航空航天等领域。
2023-02-14 14:36:08
2354 硅基氮化镓技术原理是指利用硅和氮化镓的特性,将其结合在一起,形成一种新的复合材料,以满足电子元件、电子器件和电子零件的制造要求。硅基氮化镓具有良好的热稳定性和电磁屏蔽性,可以用于制造电子元件、电子器件和电子零件,而氮化镓则可以提供良好的电子性能和绝缘性能。
2023-02-14 14:46:58
2277 硅基氮化镓是一种新型复合材料,它是由硅和氮化镓结合而成的,具有良好的热稳定性和电磁屏蔽性和抗拉强度,可以用于制造功率器件和衬底,如电子元件、电子器件和电子零件等。它具有低温制备、低成本、低污染等优点,可以满足不同应用领域的需求。
2023-02-14 15:14:17
1894 硅基氮化镓是一种由硅和氮化镓组成的复合材料,它具有良好的热稳定性和电磁屏蔽性,可以用于制造电子元件、电子器件和电子零件。此外,硅基氮化镓还可以用于制造高精度的零件和组件,如电路板、电子控制器、电子模块、电子接口、电子连接器等。
2023-02-14 15:26:10
3579 硅基氮化镓充电器是一种利用硅基氮化镓材料作为电池正极材料的充电器,具有高功率密度、高安全性和高可靠性等优点。
2023-02-14 15:41:07
4637 硅基氮化镓和蓝宝石基氮化镓都是氮化镓材料,但它们之间存在一些差异。硅基氮化镓具有良好的电子性能,可以用于制造电子元件,而蓝宝石基氮化镓具有良好的热稳定性,可以用于制造热敏元件。此外,硅基氮化镓的成本更低,而蓝宝石基氮化镓的成本更高。
2023-02-14 15:57:15
2751 氮化镓(GaN)是一种非常坚硬且在机械方面非常稳定的宽带隙半导体材料。由于具有更高的击穿强度、更快的开关速度,更高的热导率和更低的导通电
阻,氮化镓基功率器件明显比硅基器件更优越。
氮化镓晶体
2023-02-15 16:19:06
0 氮化镓外延片工艺是一种用于制备氮化镓外延片的工艺,主要包括表面清洗、氮化处理、清洗处理、干燥处理和检测处理等步骤。
2023-02-20 15:50:32
15328 Mojo Vision 表示,Micro LED技术为显示器提供了关键性能表现、效率和外形优势,这对于扩展现实 (XR)、可穿戴设备、汽车、消费电子和高速通信等应用至关重要。公司目前已克服了多个的供应链和晶圆资格问题,例如晶圆弯曲和污染等,使硅基氮化镓晶圆获准进入300mm工厂。
2023-05-25 09:40:24
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纳微半导体利用横向650V eMode硅基氮化镓技术,创造了专有的AllGaN工艺设计套件(PDK),以实现集成氮化镓 FET、氮化镓驱动器,逻辑和保护功能于单芯片中。该芯片被封装到行业标准的、低
2023-09-01 14:46:04
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氮化镓芯片是目前世界上速度最快的电源开关器件之一。氮化镓本身就是第三代材料,很多特性都强于传统的硅基半导体。
2023-09-11 17:17:53
4151 GaN 技术持续为国防和电信市场提供性能和效率。目前射频市场应用以碳化硅基氮化镓器件为主。虽然硅基氮化镓(GaN-on-Si)目前不会威胁到碳化硅基氮化镓的主导地位,但它的出现将影响供应链,并可能塑造未来的电信技术。
2023-09-14 10:22:36
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氮化镓功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延结构的不同,本文通过深入对比氮化镓HEMT与硅基MOS管的外延结构
2023-09-19 14:50:34
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2023年11月10日,温州芯生代科技有限公司在2023世界青年科学家峰会上隆重发布了面向高电压大电流HEMT功率器件应用的850V Cynthus®系列硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延产品。行业客户、知名投资机构争相了解合作。
2023-11-14 10:32:08
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氮化镓芯片是什么?氮化镓芯片优缺点 氮化镓芯片和硅芯片区别 氮化镓芯片是一种用氮化镓物质制造的芯片,它被广泛应用于高功率和高频率应用领域,如通信、雷达、卫星通信、微波射频等领域。与传统的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:30
11011 氮化镓芯片和硅芯片是两种不同材料制成的半导体芯片,它们在性能、应用领域和制备工艺等方面都有明显的差异。本文将从多个方面详细比较氮化镓芯片和硅芯片的特点和差异。 首先,从材料属性上来看,氮化镓芯片采用
2024-01-10 10:08:14
3855 硅基氮化镓(SiGaN)集成电路芯片是一种新型的半导体材料,具有广阔的应用前景。它将硅基材料与氮化镓材料结合在一起,利用其优势来加速集成电路发展的速度。本文将介绍硅基氮化镓集成电路芯片的背景、特点
2024-01-10 10:14:58
2335 4月23日,在比利时新鲁汶的爱因斯坦高科技园区,晶湛半导体和 Incize 达成了一份战略合作备忘录,双方将在硅基氮化镓外延技术的建模、仿真和测试方面进行深入的战略合作。
2024-05-06 10:35:41
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前言硅片按照产品工艺进行分类,主要可分为硅抛光片、外延片和SOI硅片。上期我们已经介绍SOI硅片,本期关注硅抛光片和外延片。硅抛光片硅抛光片又称硅单晶抛光片,单晶硅锭经过切割、研磨和抛光处理后得到
2024-06-12 08:09:07
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1月8日消息,日本丰田合成株式会社(Toyoda Gosei Co., Ltd.)宣布,成功开发出了用于垂直晶体管的 200mm(8英寸)氮化镓 (GaN)单晶晶圆。 据介绍,与使用采用硅基GaN
2025-01-09 18:18:22
1363 中的性能差异源于材料物理特性,具体优劣势如下: 1. GaN(氮化镓)功放芯片 优势: 功率密度高:GaN 的击穿电场强度(3.3 MV/cm)是硅的 10 倍以上,相同面积下可承受更高电压(600V+)和电流,功率密度可达硅基的 3-5 倍(如 100W 功率下,GaN 芯片体积仅为硅基的 1/3)。 高
2025-11-14 11:23:57
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