晶湛半导体与Incize合作，推动下一代硅基氮化镓的发展

4月23日，在比利时新鲁汶的爱因斯坦高科技园区，晶湛半导体和 Incize 达成了一份战略合作备忘录，双方将在硅基氮化镓外延技术的建模、仿真和测试方面进行深入的战略合作。

据了解，自2019年以来，晶湛半导体和 Incize 双方在硅基氮化镓外延的质量标准上一直保持着密切合作，合力提升硅基氮化镓外延品质以满足无线通信应用的苛刻需求。两家公司基于对合作成果的认可，决定正式建立合作伙伴关系，以进一步扩大和加强战略合作，将更多创新产品推向充满前景和活力的市场。

随着外延技术的发展，硅基氮化镓通信器件取得了重大进展。然而，射频损耗是硅基氮化镓成为无线通信应用主流技术的重要瓶颈。晶湛通过独有的缓冲层生长技术，大幅降低硅基氮化镓的射频损耗，使其Low Loss GaN 产品达到与Trap-rich SOI相当的水准，为硅基氮化镓成为主流技术铺平道路。

二次谐波失真基准图（负值越大越好）：Enkris硅基氮化镓Low Loss GaN（实心三角形）与其他供应商（空心三角形）以及Trap-rich SOI技术（实心圆圈）的对比。

Incize 创始人兼CEO Mostafa Emam 博士表示：“INCIZE是以创新器件测试和建模著称的比利时公司，也是倡导振兴欧洲半导体生态圈的一员。得益于行业领先的建模、设计和测试团队以及最先进的技术设备，Incize客户类型覆盖了代工厂、晶圆制造商和 IC 设计公司。Incize 坚信，企业要设计更好的无线通信芯片，对衬底和底层技术进行创新和升级至关重要，Incize积极参与并乐于帮助晶圆制造商的创新。晶湛半导体已经成为外延领域的主要供应商之一，在III-V 族材料的制备上深耕多年，并且有着深厚的研发底蕴，这与我们 Incize 的经验和服务完美契合。”

晶湛半导体创始人兼CEO程凯博士表示：“晶湛目前针对不同应用的GaN-on-Si外延材料，无论是在销售客户端、生产供应链还是技术开发端都取得了长足进步，其中无线通信应用是一个要求很高但前景广阔的市场，我们很高兴加强晶湛和 Incize 之间现有的合作，也将进一步开展长期合作，推动下一代硅基氮化镓的发展。Incize拥有先进的测试设备、专业流程和建模团队资源，此次合作将为晶湛提供在外延材料方面进行深度创新试验的机会。”

晶湛半导体成立于 2012 年，是一家 GaN外延代工厂，为电力电子、无线应用和 micro-LED 应用的客户提供高质量的 GaN 外延材料解决方案。其产品包括GaN-on-Si、GaN-on-GaN和GaN-on-Sapphire，晶圆尺寸最大可达300mm。公司还可以为客户提供晶湛知识产权的定制结构，以满足客户特定的要求。

Incize 成立于 2014 年，十年来的客户信任和自主创新使得公司从材料、设备、电路到系统层面，为高度动态的无线通信应用市场提供服务。高素质团队在无线通信材料和器件的模拟、测试和建模方面积累了丰富的经验，并长期提供令客户满意的高质量服务。Incize 的客户是世界各地的晶圆制造商、代工厂、无晶圆厂和IDM。Incize 自豪地为无线通信半导体市场的所有主要参与者提供广泛的服务。

审核编辑：刘清