Transphorm 900V氮化镓功率器件规格参数

除了LED照明，几乎所有单相应用都可以使用额定650伏的器件，但是，当所需功率超出了单相电源能力时，则需要使用三相电源。而三相应用需要使用900伏或1200伏电压的功率器件。   加贺富仪艾电子旗下代理品牌Transphorm是一家致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓（GaN）半导体功率器件的公司。该公司是具有最大的功率 GaN IP 产品组合之一，并拥有 1,000 多项许可的专利，可生产业界首个符合 JEDEC 和 AEC-Q101 标准的高压 GaN 半导体器件。   

    Transphorm公司目前已经向市场推出了两款900伏 GaN FET，产品代码分别为TP90H180PS和TP90H050WS。关键规格参数见下表：  

  两款900V FET均属于常闭型器件，通过更低的栅极电荷、更快的切换速度和更小的反向恢复电荷，提供更高的效率，明显超越传统硅 (Si) 器件，具有显著优势。   TP90H050WS采用行业标准的3引线TO-247封装，TP90H180PS采用TO-220封装，GSD 引脚布局具有设计的便捷性。   Transphorm的900V GaN FET与现成标准的栅极驱动器兼容，易于设计，适用于LED照明、光伏逆变器、和以及各类650伏器件无法胜任的、需要更高直流母线电压的三相工业电源应用。   这两款器件均获有JEDEC认证。  

Transphorm 900V GaN FET的评估套件使用3.5千瓦DC-AC逆变器，产品代码为TDINV3500P100。该逆变器工作频率为100kHz，输入直流电压区间为350伏到720伏，输出电压为240伏交流电。  

      Transphorm 900伏GaN FET评估板TDINV3500P100及设置参数

    这两款900V GaN FET的典型性能曲线如下：

TP90H050WS的典型性能曲线(效率% ,vs. 输出功率W)    

TP90H180PS的典型性能曲线(效率% ,vs. 输出功率W)

编辑：黄飞