过去几十年里,半导体技术快速发展,芯片特性显著提升。大功率半导体器件是由多颗半导体裸芯片通过封装集成而形成,面临着封装特性提升较慢,无法匹配芯片特性等挑战。
近日,第九届国际第三代半导体论坛(IFWS)&第二十届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA)于厦门召开。期间,“碳化功率器件及其封装技术”分会上,西安交通大学绍兴市通越宽禁带半导体研究院院长王来利教授做了“碳化硅功率半导体多芯片封装技术”的主题报告,分享了最新研究进展。
研究提出了磁耦合精确调控多芯片并联电热均衡方法,提出了控制磁场耦合度的多芯片电热应力调控方法,解决了多芯片不均衡性电热应力调控难题,为提高宽禁带器件容量与可靠性建立了基础。
首次获得了碳化硅半导体在550℃高温的动静态特性,掌握了碳化硅极宽温度范围内关键特征参数变化规律,并基于高温器件实现了环境温度265℃的高温变换器。
审核编辑:刘清
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原文标题:王来利教授:碳化硅功率半导体多芯片封装技术
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