IMD3工艺是什么意思

IMD3工艺包括 IMD3a工艺和IMD3b工艺。IMD3a 工艺是形成 VIA2 的介质隔离材料，同时 IMD3a 会隔离第二层金属和第三层金属，IMD3b 工艺是形成第三层金属的介质隔离材料。IMD3的材料也是 ULK SiCOH材料。

1）淀积SiCN 刻蚀停止层。利用 PECVD淀积一层厚度约为600A的 SiCN,SiCN 作刻蚀停止层和 M2的覆盖层，SiCN可以防止Cu 扩散。这样 Ta/TaN 和 SiCN 就形成一个容器包裹着Cu，防止Cu向外扩散。图4-266 所示为淀积 SiCN 的剖面图。

2）淀积 IMD2a SiCOH 层。利用 PECVD淀积一层厚度4500A 的SiCOH。利用 DEMS（Di-甲基乙氧基硅烷）和 CHO（氧化环乙烯或C6H10O），可以淀积具有CxHy的OSG 有机复合膜。利用超紫外（UV）和可见光处理排除有机气体，最终形成多孔的 SiCOH 介质薄膜。SiCOH 作为内部金属氧化物隔离层，可以有效减小金属层之间的寄生电容。

3）淀积SiCN 刻蚀停止层。利用PECVD 淀积一层厚度约为600A的 SiCN,SiCN 作刻蚀停止层。图4-267所示为淀积 SiCN的剖面图。

4）淀积 IMD2b SiCOH 层。利用 PECVD淀积一层厚度6000A的SiCOH。利用DEMS（Di-甲基乙氧基硅烷）和CHO（氧化环乙烯或C6H10O），可以淀积具有CxHy的OSG有机复合膜。利用超紫外（UV）和可见光处理排除有机气体，最终形成多孔的Si-COH 介质薄膜。SiCOH 作为内部金属氧化物隔离层，可以有效减小金属层之间的寄生电容。

5）淀积 USG。通过PECVD淀积一层厚度约为500A的USG。淀积的方式是利用 TEOS在400°C发生分解反应形成二氧化硅淀积层。USG 和TiN 硬掩膜可以防止去光刻胶工艺中的氧自由基破坏 ULK 介电薄膜。

6）淀积 TiN 硬掩膜版层。利用PVD淀积一层厚度约为300A的TiN。通入气体 Ar 和N2轰击Ti靶材，淀积 TiN 薄膜。TiN为硬掩膜版层和抗反射层。图4-268所示为淀积TiN的剖面图。