浅谈WAT测试类型

虽然 WAT测试类型非常多，不过业界对于 WAT测试类型都有一个明确的要求，就是包括该工艺技术平台所有的有源器件和无源器件的典型尺寸。芯片代工厂会依据这些典型尺寸的特点，制定一套 WAT 参数，或者一份 PCM文件或者电性设计规则（Electrical DesignRule，EDR）给客户作为设计阶段的参考。

以CMOS 工艺技术平台的 WAT测试类型为例，图5-2所示，是WAT 测试类型的几种简单电路示意图。根据CMOS 工艺技术平台的特点，可以把WAT测试类型分为8大类：MOS晶体管、栅氧化层的完整性（Gate Oxide Integrity,GOI）、多晶硅栅场效应晶体管（Poly Field Device）和第1层金属栅场效应晶体管（Metall Field Device）、n 型结（n-diode 结构）和p型结（p-diode 结构）、方块电阻Rs（Sheet Resistance）、接触电阻 Rc（Contact Resist-ance）、隔离、金属电容（MIM Capacitor）和多晶硅电容（PIP Capacitor）。

1） MOS 晶体管包括低压 NMOS 和 PMOS，以及中压 NMOS 和 PMOS，它的参数见表5-1。

2）栅氧化层完整性，它的参数见表5-2。

3）多晶硅栅场效应晶体管和第1层金属栅场效应晶体管，它的参数见表5-3。

4） n 型结和p型结，它的参数见表5-4。

5）方块电阻 Rs，它的参数见表5-5。

6）接触电阻 Rc，它的参数见表5-6。

7）隔离，它的参数见表5-7。

8）金属电容和多晶硅电容，它的参数见表5-8。