探索 onsemi BC63916 NPN 晶体管：特性、参数与应用

作为电子工程师，我们在电路设计中经常会用到各类晶体管，今天就来详细聊聊 onsemi 的 BC63916 NPN 外延硅晶体管。

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产品概述

BC63916 适用于开关和放大器应用，并且是无铅器件，符合环保要求。在当今注重绿色环保的时代，这样的特性使得它在众多产品中脱颖而出。

绝对最大额定值

电压与电流参数

在 $T{A}=25^{circ} C$ 条件下，其集电极 - 发射极电压有不同的情况。在 $R{BE}=1 k Omega$ 时，$V{CER}$ 为 100V；$V{CES}$ 同样为 100V，$V{CEO}$ 为 80V，发射极 - 基极电压 $V{EBO}$ 为 5V，集电极电流 $I_{C}$ 最大可达 1A。这里大家思考一下，不同的集电极 - 发射极电压参数在实际电路设计中会有怎样不同的应用场景呢？

温度范围

其工作和存储结温范围为 -55 到 150°C，这表明该晶体管能够适应较为宽泛的温度环境。不过需要注意的是，若应力超过最大额定值表中所列数值，可能会损坏器件，影响其功能、可靠性。脉冲测试时，脉冲宽度 ≤300 μs，占空比 ≤2%。

热特性

功率与热阻

在 $T{A}=25^{circ} C$ 时，功率耗散 $P{D}$ 为 830mW，当温度高于 $25^{circ} C$ 时，每升高 1°C 功率耗散会降低 6.6mW。热阻 $R_{UA}$（结到环境）为 150°C/W。这里的 PCB 尺寸为 FR - 4，76 mm x 114 mm x 1.57 mm（3.0 英寸 x 4.5 英寸 x 0.062 英寸），且具有最小焊盘尺寸。大家不妨想想，热特性参数对于晶体管在不同散热条件下的性能会有怎样的影响？

标记与订购信息

标记含义

标记中，“A” 代表组装位置，“BC63916” 是特定器件代码，“Y” 表示年份，“WW” 表示工作周。

订购选项

有 BC63916 - D74Z 和 BC63916 - D2TZ 两种型号可供选择，均采用 TO - 92 - 3（无铅）封装，前者每盒 2000 个，后者采用卷带包装，每卷 2000 个。若想了解卷带规格，可参考 BRD8011/D 手册。

电气特性

击穿电压

集电极 - 基极击穿电压 $BVCBO$ 在 $I{C}=100 mu A$，$I{E}=0$ 时为 100V；集电极 - 发射极击穿电压 $BVCEO$ 在 $I{C}=10 mA$，$I{B}=0$ 时为 80V；发射极 - 基极击穿电压 $BVEBO$ 在 $I{E}=10mu A$，$I{C}=0$ 时为 5.0V。

截止电流

集电极截止电流 $I{CBO}$ 在 $V{CB}=30V$，$I{E}=0$ 时最大为 100nA，发射极截止电流 $I{BO}$ 在 $V{EB}=5V$，$I{C}=0$ 时最大为 10aA。

直流电流增益

不同集电极电流下有不同的直流电流增益。如在 $V{CE}=2 V$，$I{C}=5 mA$ 时，$h{FE1}$ 为 25；$I{C}=150 mA$ 时，$h{FE2}$ 为 100 - 250；$I{C}=500 mA$ 时，$h_{FE3}$ 为 25。

饱和与导通电压

集电极 - 发射极饱和电压 $V{CE(sat)}$ 在 $I{C}=500 mA$，$I{B}=50 mA$ 时最大为 0.5V，基极 - 发射极导通电压 $V{BE(on)}$ 在 $V{CE}=2 V$，$I{C}=500 mA$ 时最大为 1V。

电流增益带宽积

电流增益带宽积 $f{T}$ 在 $V{CE}=5 V$，$I_{C}=10 mA$，$f = 50 MHz$ 时为 100MHz。需要注意的是，产品的参数性能是在所列测试条件下给出的，不同条件下性能可能会有所不同。

典型性能特性与机械尺寸

典型性能

文档中给出了直流电流增益、基极 - 发射极导通电压、集电极 - 发射极饱和电压和基极 - 发射极饱和电压等典型性能特性图，这些图对于我们进一步了解晶体管的性能非常有帮助。

机械尺寸

采用 TO - 92 3 4.83x4.76 引脚成型封装，其尺寸图符合 JEDEC TO - 92 标准，所有尺寸单位为毫米，并且符合 ASME Y14.5M - 1994 标准。

总之，onsemi 的 BC63916 NPN 晶体管在开关和放大器应用中具有诸多优势，但在实际设计中，我们需要综合考虑其各项参数，根据具体的电路需求来合理选择和使用。大家在使用这款晶体管的过程中，有没有遇到过什么特别的问题或者有趣的应用案例呢？欢迎在评论区分享。