Onsemi通用NPN硅晶体管BC817系列产品解析

在电子设计领域，晶体管是不可或缺的基础元件。今天我们来深入了解一下Onsemi的通用NPN硅晶体管BC817系列，包括BC817 - 16L、SBC817 - 16L、BC817 - 25L、SBC817 - 25L、BC817 - 40L和SBC817 - 40L。

文件下载：BC817-16LT1-D.PDF

产品特性

该系列晶体管具有诸多特性，以满足不同应用场景的需求。其S和NSV前缀适用于汽车及其他有独特场地和控制变更要求的应用，并且通过了AEC - Q101认证，具备PPAP能力。同时，这些器件是无铅、无卤/无溴化阻燃剂的，符合RoHS标准，这在环保意识日益增强的今天显得尤为重要。

最大额定值

Rating	Symbol	Value	Unit
Collector − Emitter Voltage	VCEO	45	V
Collector − Base Voltage	VCBO	50	V
Emitter − Base Voltage	VEBO	5.0	V
Collector Current − Continuous	IC	500	mAdc

这些最大额定值是我们在使用该晶体管时必须要关注的，超过这些额定值可能会损坏器件，影响其可靠性。大家在设计电路时，一定要确保工作参数在这些额定值范围内，你是否在实际设计中遇到过因为超出额定值而导致器件损坏的情况呢？

热特性

热特性对于晶体管的性能和稳定性至关重要。以下是该系列晶体管的热特性参数：	Characteristic	Symbol	Max	Unit
Total Device Dissipation FR - 5 Board, (Note 1) (T_{A}=25^{circ} C) Derate above 25°C	PD	225 1.8	mW mW/°C
Thermal Resistance, Junction - to - Ambient	RUA	556	°C/W
Total Device Dissipation Alumina Substrate, (Note 2) (T_{A}=25^{circ} C) Derate above 25°C	PD	300 2.4	mW mW/°C
Thermal Resistance, Junction - to - Ambient	RUA	417	°C/W
Junction and Storage Temperature	TJ, Tstg	- 65 to +150	°C

从这些参数可以看出，不同的基板材料（FR - 5板和氧化铝基板）对器件的散热性能有影响。在实际设计中，我们需要根据具体的应用场景选择合适的基板，以确保晶体管能够在合适的温度范围内工作。你在设计散热方案时，通常会考虑哪些因素呢？

电气特性

截止特性

Characteristic	Symbol	Min	Typ	Max	Unit
Collector - Emitter Breakdown Voltage (IC = 10 mA)	V(BR)CEO	45			V
Collector - Emitter Breakdown Voltage ((V{EB}=0,I{C}=10mu A))	V(BR)CES	50			V
Emitter - Base Breakdown Voltage (IE = 1.0 μA)	V(BR)EBO	5.0			V
Collector Cutoff Current (VCB = 20 V) (left(V{C B}=20 ~V, ~T{A}=150^{circ} Cright))	ICBO			100 5.0	nA μA

这些截止特性参数决定了晶体管在截止状态下的性能，对于设计开关电路等应用非常重要。

导通特性

Characteristic	Symbol	Min	Typ	Max	Unit
DC Current Gain (left(I{C}=100 ~mA, ~V{CE}=1.0 ~Vright)) BC817 - 16, SBC817 - 16 BC817 - 25, SBC817 - 25	hFE	100 160		250 400 600
BC817 - 40, SBC817 - 40 ((I{C}=500mA,V{CE}=1.0V))		250 40
Collector - Emitter Saturation Voltage (left(I{C}=500 ~mA, I{B}=50 ~mAright))	VCE(sat)			0.7	V
Base - Emitter On Voltage (left(I{C}=500 ~mA, ~V{CE}=1.0 ~Vright))	VBE(on)			1.2	V

导通特性反映了晶体管在导通状态下的性能，不同型号的晶体管在直流电流增益等方面有所差异，我们可以根据具体的设计需求选择合适的型号。

小信号特性

Characteristic	Symbol	Min	Typ	Max	Unit
Current - Gain - Bandwidth Product (left(I{C}=10 ~mA, ~V{CE}=5.0 Vdc, f = 100 MHzright))	fT	100			MHz
Output Capacitance (VCB = 10 V,f = 1.0 MHz)	Cobo		10		pF

小信号特性对于处理小信号的电路设计非常关键，例如放大器电路等。

开关特性

Characteristic	Symbol	Min	Typ	Max	Unit
Delay Time (left(V{C C}=3.0 Vdc, V{BE}=0.5 ~V, I_{C}=10 ~mAright))	td		85		ns
Rise Time (left(V{C C}=3.0 V d c, V{B E}=0.5 ~V, I_{C}=10 ~mAright))	t		30		ns
Storage Time (left(V{C C}=3.0 Vdc, I{C}=10 ~mA, I{B 1}=1 ~mA, I{B 2}=1 ~mAright))	ts		1000		ns
Fall Time (left(V{C C}=3.0 Vdc, IC = 10 ~mA, IC{B 1}=1 ~mA, IC_{B 2}=1 ~mAright))	tf		300		ns

开关特性决定了晶体管在开关电路中的响应速度，对于高速开关应用非常重要。

订购信息

Device	Specific Marking	Package	Shipping †
BC817−16LT1G	6A	SOT−23 (Pb−Free)	3000 / Tape & Reel
NSVBC817−16LT1G
BC817−16LT3G			10,000 / Tape & Reel
SBC817−16LT3G
BC817−25LT1G	6B	SOT−23 (Pb−Free)
SBC817−25LT1G			3000 / Tape & Reel
BC817−25LT3G			10,000 / Tape & Reel
SBC817−25LT3G
BC817−40LT1G	6C	SOT−23 (Pb−Free)	3000 / Tape & Reel
SBC817−40LT1G
BC817−40LT3G			10,000 / Tape & Reel
SBC817−40LT3G

在订购时，我们需要根据实际需求选择合适的器件和包装形式。同时，要注意不同的包装对应的发货数量。

典型特性

文档中还给出了不同型号晶体管的典型特性曲线，包括直流电流增益与集电极电流的关系、集电极 - 发射极饱和电压与集电极电流的关系等。这些典型特性曲线可以帮助我们更好地了解晶体管在不同工作条件下的性能，从而优化电路设计。

Onsemi的BC817系列晶体管具有丰富的特性和良好的性能，适用于多种电子电路设计。在实际应用中，我们需要根据具体的需求，综合考虑其各项参数，选择合适的型号和设计方案。你在使用该系列晶体管时，有没有什么独特的经验或者遇到过什么问题呢？欢迎在评论区分享。