探索onsemi PNP硅通用晶体管：BC856B、BC857B、BC858A

在电子工程师的日常工作中，通用晶体管是电路设计里的关键元件，其性能直接影响整个电路的稳定性和效率。今天，我们就来深入探讨onsemi公司的BC856B、BC857B、BC858A这三款PNP硅通用晶体管。

产品概述

这三款晶体管专为通用放大器应用而设计，采用SC - 70/SOT - 323封装，这种封装适用于低功率表面贴装应用。它们具有“S”和“NSV”前缀，可用于汽车和其他有独特场地及控制变更要求的应用，并且通过了AEC - Q101认证，具备PPAP能力。不仅如此，这些器件还是无铅、无卤素/无溴化阻燃剂的，符合RoHS标准。

重要参数分析

最大额定值

在不同的工作条件下，晶体管有其对应的最大额定值。比如，BC856、BC857、BC858的集电极 - 发射极电压（VCEO）分别为 - 65V、 - 45V、 - 30V；集电极 - 基极电压（VCBO）分别为 - 80V、 - 50V、 - 30V；发射极 - 基极电压（VEBO）为 - 5.0V；连续集电极电流（IC）为 - 100mAdc，峰值集电极电流（ICM，1ms脉冲）为 - 130mA。工程师在设计电路时，必须确保这些参数不超过最大额定值，否则可能会损坏器件，影响其可靠性。你在实际设计中，有没有遇到过因为参数超出额定值而导致器件损坏的情况呢？

热特性

热特性也是衡量晶体管性能的重要指标。总器件耗散功率在FR - 5板（(T_{A}=25^{circ} C)）时为150mW；结到环境的热阻（RUA）为883°C/W；结和储存温度范围为 - 55°C到 + 150°C。热阻反映了器件散热的难易程度，在设计散热方案时，热阻是一个关键参数。那么，你在设计散热方案时，会优先考虑哪些因素呢？

电气特性

击穿电压

在不同型号的晶体管中，集电极 - 发射极击穿电压有所不同。例如，BC856的V(BR)CEO为 - 65V，BC857为 - 50V，BC858为 - 30V。发射极 - 基极击穿电压为 - 5.0V。这些击穿电压决定了晶体管在不同电压下的工作稳定性，工程师需要根据实际电路的电压要求来选择合适的晶体管。

导通特性

导通特性方面，以(I{C}=-2.0 mA)，(V{CE}=-5.0 V)为例，BC857C的hFE（共发射极电流放大系数）在125 - 420之间，典型值为290。集电极 - 发射极饱和电压（VCE(sat)）在(I{C}=-100 mA)，(I{B}=-5.0 mA)时为 - 0.3V；基极 - 发射极导通电压（VBE(on)）在(I{C}=-2.0 mA)，(V{CE}=-5.0 V)时在 - 0.6V到 - 0.82V之间。这些参数对于设计放大器电路非常重要，你在设计放大器时，会重点关注哪些导通特性参数呢？

小信号特性

小信号特性中，电流 - 增益 - 带宽积（fT）在(I{C}=-10 mA)，(V{CE}=-5.0 Vdc)，(f = 100 MHz)时为100MHz；输出电容在(V{CB}=-10 V)，(f = 1.0 MHz)时也有相应的值；噪声系数（NF）在(I{C}=-0.2 mA)，(V{CE}=-5.0 Vdc)，(R{S}=2.0 kΩ)，(f = 1.0 kHz)，(BW = 200 Hz)时为10。这些参数对于处理小信号的电路设计至关重要，比如在射频电路中，带宽积和噪声系数会直接影响信号的质量。

安全工作区

安全工作区曲线展示了晶体管在可靠运行时(I{C}-V{CE})的限制。特定电路的集电极负载线必须低于适用曲线所指示的限制。图14的数据基于(T{J(pk)}=150^{circ} C)，Tc或(T{A})会根据条件变化。脉冲曲线在占空比为10%且(T{J(pk)} ≤150^{circ} C)时有效，(T{J(pk)})可以从图13的数据中计算得出。在高温情况下，热限制会使可处理的功率低于二次击穿所施加的限制。那么，在设计电路时，你是如何确保晶体管工作在安全工作区内的呢？