探索CIPOS™ IFCM20U65GD:集成电力系统的卓越之选
在电子工程领域,高效且可靠的电力系统控制模块一直是工程师们追求的目标。今天,我们将深入探讨英飞凌的Control Integrated POwer System(CIPOS™)IFCM20U65GD,这是一款专为三相交错式功率因数校正(PFC)应用设计的双列直插式智能功率模块。
文件下载:IFCM20U65GDXKMA1.pdf
一、CIPOS™ IFCM20U65GD概述
特点
CIPOS™ IFCM20U65GD具有众多令人瞩目的特点。它采用了TRENCHSTOP™ 5技术和快速开关发射极控制二极管,具备鲁棒的SOI栅极驱动技术,能有效抵御瞬态干扰。模块还拥有过流关断、欠压锁定等保护功能,在保护期间所有开关都会关闭,同时具备温度监测功能。此外,它的发射极引脚可用于所有相电流监测,采用无铅端子电镀,符合RoHS标准,并且由于采用了DCB(直接覆铜陶瓷基板),具有极低的热阻。
目标应用
主要应用于三相交错式PFC,能够提高系统的功率因数,增强系统效率。
系统配置
该模块由三相交错式PFC(采用TRENCHSTOP™ 5和快速开关发射极控制二极管)、SOI栅极驱动器、热敏电阻组成,引脚到散热器的间隙距离典型值为1.6mm。
二、引脚配置与功能
引脚配置
| 模块共有24个引脚,部分引脚为NC(无连接),其余引脚承担着不同的功能。具体引脚分配如下: | Pin Number | Pin Name | Pin Description |
|---|---|---|---|
| 1 - 6, 10, 16, 24 | NC | No Connection | |
| 7 | LIN(X) | X phase IGBT gate driver input | |
| 8 | LIN(Y) | Y phase IGBT gate driver input | |
| 9 | LIN(Z) | Z phase IGBT gate driver input | |
| 11 | VDD | Control supply | |
| 12 | VFO | Fault output | |
| 13 | ITRIP | Over current shutdown input | |
| 14 | VSS | Control negative supply | |
| 15 | NTC | Thermistor | |
| 17 | NZ | Z phase IGBT emitter | |
| 18 | Z | Z phase IGBT collector | |
| 19 | NY | Y phase IGBT emitter | |
| 20 | Y | Y phase IGBT collector | |
| 21 | NX | X phase IGBT emitter | |
| 22 | X | X phase IGBT collector | |
| 23 | P | Positive output voltage |
引脚功能
- LIN(X, Y, Z)(Pin 7, 8, 9):这些引脚为正逻辑,负责控制集成IGBT。它们具有施密特触发输入阈值,能保证与低至3.3V的控制器输出兼容。内部提供约5kΩ的下拉电阻,用于在电源启动时对输入进行预偏置,并设有齐纳钳位用于引脚保护。输入施密特触发器和噪声滤波器可有效抑制短输入脉冲的噪声,建议输入脉冲宽度不低于1μs。
- VFO(Pin 12):当VDD引脚出现欠压或ITRIP引脚触发过流检测时,该引脚指示模块故障。
- NTC(Pin 15):可直接访问热敏电阻,热敏电阻参考VSS。外部连接到+5V的上拉电阻可确保所得电压能直接连接到微控制器。
- ITRIP(Pin 13):通过将ITRIP输入与IGBT集电极电流反馈相连,实现过流检测功能。ITRIP比较器阈值(典型值0.47V)参考VSS地,输入噪声滤波器(典型值:(t_{ITRIPMIN } = 530ns))可防止驱动器检测到误过流事件。过流检测会在典型1000ns的关断传播延迟后使栅极驱动器的所有输出关闭。
- VDD, VSS(Pin 11, 14):VDD是控制电源,为输入逻辑和输出功率级提供电源,输入逻辑参考VSS地。欠压电路使设备在电源电压至少达到典型值(VDD{uv}=12.1V)时才能启动,当VDD电源电压低于(VDD{UV}=10.4V)时,IC会关闭所有栅极驱动器的功率输出,防止外部功率开关在导通状态下出现极低的栅极电压,从而避免过度功耗。
- NX, NY, NZ(Pin 17, 19, 21):这些引脚是IGBT发射极,可用于各相电流测量。建议将与VSS引脚的连接保持尽可能短,以避免不必要的电感电压降。
- X, Y, Z(Pin 18, 20, 22):这些引脚是IGBT集电极,必须在IGBT集电极和发射极之间连接反并联二极管。
- P(Pin 23):二极管阴极连接到输出电压,需注意电压不超过450V。
三、电气参数
绝对最大额定值
- 模块部分:存储温度范围为 -40°C至125°C,隔离测试电压(RMS,f = 60Hz,t = 1min)为2000V,工作外壳温度范围为 -40°C至125°C。
- 功率部分:P - N的直流母线输出电压最大为450V,浪涌电压最大为500V,最大阻断电压为650V,重复峰值反向电压为650V,各相输入RMS电流在不同条件下有所不同((T_J ≤ 150°C),(T_C = 25°C)时为20A,(T_C = 80°C)时为15A),各相最大峰值输入电流为60A((T_J ≤ 150°C),(T_C = 25°C),小于1ms,非重复),每个IGBT的功率耗散最大为52.3W,工作结温范围为 -40°C至150°C,单个IGBT的结 - 壳热阻为2.39K/W,单个二极管的结 - 壳热阻为2.77K/W。
- 控制部分:模块电源电压范围为 -1V至20V,输入电压(LIN, ITRIP)范围为 -1V至10V,开关频率最大为60kHz。
推荐工作条件
直流母线输出电压P - N范围为0至450V,控制电源电压范围为13.5V至16.5V,控制电源变化率为 -1V/µs至1V/µs,逻辑输入电压(LIN, ITRIP)范围为0至5V,VSS - N之间(包括浪涌)电压范围为 -5V至5V。
静态参数
在(V_{DD}=15V)和(T_j = 25°C)条件下,给出了集电极 - 发射极饱和电压、二极管正向电压、集电极 - 发射极泄漏电流、逻辑输入电压、ITRIP阈值、VDD欠压阈值等参数的典型值和范围。
动态参数
同样在(V_{DD}=15V)和(T_j = 25°C)条件下,包含了开通传播延迟时间、开通上升时间、开通开关时间、反向恢复时间、关断传播延迟时间、关断下降时间、关断开关时间、输入滤波时间、故障清除时间、IGBT开通和关断能量、二极管恢复能量等参数。
四、热敏电阻特性
热敏电阻在(T_{NTC}=25°C)时的电阻典型值为85kΩ,B常数(25/100)典型值为4092K,并给出了不同温度下电阻的最小值、典型值和最大值。
五、机械特性
- 安装扭矩:使用M3螺丝和垫圈时,安装扭矩范围为0.49Nm至0.78Nm。
- 平整度:参考特定图形,平整度范围为 -50µm至100µm。
- 重量:模块重量约为6.58g。
六、典型应用电路设计要点
由于CIPOS™ Mini PFC具有高速开关特性,容易在P和N端子之间产生较大的浪涌电压,并在信号路径上产生开关噪声。因此,在设计应用电路时需要注意以下几点:
- 输入电路:安装(R{IN})和(C{IN})滤波电路(100Ω,1nF)以减少高速开关带来的输入信号噪声,(C_{IN})应尽可能靠近Vss引脚。
- Itrip电路:将(C{ITRIP})尽可能靠近Itrip和(V{ss})引脚,以防止保护功能出错。
- VFO电路:VFO输出为开漏输出,信号线路应通过合适的电阻(Rpu)上拉到5V/3.3V逻辑电源的正极,建议在靠近控制器处放置RC滤波器。
- 缓冲电容器:CIPOS™ Mini PFC与缓冲电容器(包括分流电阻)之间的布线应尽可能短。
- 分流电阻:使用SMD类型的分流电阻以降低杂散电感。
- 接地模式:接地模式应在分流电阻的一点处尽可能短地分开。
- 反并联二极管:必须将反并联二极管(2A,电压额定值高于650V)连接到PFC IGBT。
- 输入浪涌电压保护电路:为保护PFC IGBT免受过大的浪涌电压影响,该保护电路是必要的。
CIPOS™ IFCM20U65GD为电子工程师提供了一个功能强大、性能可靠的电力系统控制解决方案。在实际应用中,工程师们需要根据具体需求,合理利用其各项特性和参数,同时注意应用电路的设计要点,以确保系统的稳定运行。你在使用类似模块时遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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