至信微推出650V 140mΩ碳化硅JFET 开启高效电源新纪元

继2026年初发布1200V JFET产品后，至信微近日再次推出量产级650V 140mΩ SiC JFET器件。此次推出标志着至信微在碳化硅功率器件领域实现从高压到中压的全场景覆盖，为工业电源、新能源汽车充电模块、光伏逆变器等高效电源应用提供核心功率器件解决方案。

核心性能突破
该650V 140mΩ SiC JFET采用至信微第三代碳化硅工艺，核心优势包括：

• 超低导通损耗 ：导通电阻RDS(on)低至140mΩ，较传统硅基MOSFET降低50%，系统能效提升3%-5%；
• 高耐压与快开关 ：650V耐压能力适配工业电源标准，开关速度达50ns级，支持高频化设计，缩小磁性元件体积；
• 高温稳定性 ：通过AEC-Q101车规认证，支持-55℃至175℃宽温工作，满足严苛环境应用需求。

应用场景与成本优势
在工业电源领域，该器件可应用于500W-5kW级开关电源，提升电源转换效率至98%以上；在新能源汽车充电模块中，支持双向充放电功能，适配V2G（车辆到电网）场景；在光伏逆变器中，配合SiC二极管实现99%的转换效率，降低系统散热成本。相比国际品牌同类产品，至信微方案成本降低20%，同时提供本地化技术支持与快速响应服务，缩短客户产品上市周期。

产业影响与未来展望
此次推出标志着中国在碳化硅功率器件领域实现从“进口替代”向“技术引领”的跨越。据Yole预测，2028年全球碳化硅功率器件市场规模将突破30亿美元，其中中低压器件占比超40%。至信微通过“芯片-模块-系统”的全链路创新，已申请50余项碳化硅相关专利，形成技术壁垒。未来，该器件将支持AI电源管理、5G基站供电等新兴场景，推动高效电源技术向更广维度演进。

结语
至信微推出的650V 140mΩ SiC JFET，以超低导通损耗与高耐压能力为核心，重新定义高效电源功率器件标准。这一革新不仅推动了工业电源与新能源领域的能效升级，更以“中国芯+中国方案”的组合，为全球高效电源技术驱动创新注入核心动能，开启碳化硅功率器件的新纪元。