0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

LMG2652:650V 140mΩ GaN 半桥芯片的卓越性能与应用解析

lhl545545 2026-03-01 15:15 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

LMG2652:650V 140mΩ GaN 半桥芯片的卓越性能与应用解析

在当今的电子设计领域,高效、紧凑且性能卓越的功率器件是实现先进电源解决方案的关键。德州仪器TI)推出的 LMG2652 650V 140mΩ GaN 半桥芯片,以其集成化的设计和出色的性能,为电源设计带来了新的可能性。今天,我们就来深入探讨一下这款芯片的特点、应用及设计要点。

文件下载:lmg2652.pdf

一、产品特性亮点

1. 高集成度设计

LMG2652 将半桥功率 FET、栅极驱动器、自举二极管和高端栅极驱动电平转换器集成在一个 6mm x 8mm 的 QFN 封装中。这种集成化设计大大简化了电路设计,减少了元件数量,同时也节省了电路板空间,让设计更加紧凑高效。

2. 出色的电气性能

  • 低导通电阻:低侧和高侧 GaN FET 的导通电阻仅为 140mΩ,有效降低了功率损耗,提高了电源转换效率。
  • 快速开关特性:集成的栅极驱动器具有小于 100ns 的低传播延迟,能够实现快速的开关动作,减少开关损耗。
  • 高精度电流感测:电流感测仿真功能具有高带宽和高精度的特点,通过低侧电流感测仿真,相比传统的电流感测电阻,进一步降低了功率损耗,并且允许低侧散热焊盘连接到冷却 PCB 电源地,提升了系统的散热性能。

    3. 全面的保护功能

  • 过流保护:支持低侧和高侧逐周期过流保护,能够及时检测并响应过流情况,保护芯片和电路安全。
  • 过温保护:具备过温保护功能,当芯片温度超过设定阈值时,自动采取保护措施,确保芯片在安全的温度范围内工作。
  • 欠压锁定:AUX 和 BST 输入电源具备欠压锁定功能,防止芯片在电源电压不稳定时出现异常工作。

    4. 低静态电流

    AUX 空闲静态电流仅为 250μA,AUX 待机静态电流为 50μA,BST 空闲静态电流为 70μA。低静态电流特性使得芯片在轻载和待机模式下能够有效降低功耗,满足电源系统对节能的要求。

二、应用领域广泛

LMG2652 凭借其优异的性能,在多个电源应用领域都有着出色的表现:

  • AC/DC 适配器和充电器:适用于各种规格的 AC/DC 适配器和充电器,能够实现高效的功率转换,满足快速充电的需求。
  • USB 墙式电源插座:为 USB 墙式电源插座提供稳定、高效的电源供应,支持多设备同时充电。
  • 辅助电源:可作为 AC/DC 辅助电源,为其他电路模块提供可靠的电源支持。

三、详细技术解析

1. 引脚配置与功能

LMG2652 采用 19 引脚 VQFN 封装,每个引脚都有其特定的功能。例如,INL 和 INH 引脚分别用于控制低侧和高侧 GaN FET 的开关动作;CS 引脚用于输出低侧漏极电流的缩放副本,通过连接一个电阻到 AGND,可创建电流感测输入信号到外部电源控制器;BST 引脚是自举电压轨,为高端电路提供电源。详细的引脚功能可参考数据手册中的表格,在设计时需要根据具体需求正确连接和使用各个引脚。

2. 规格参数

  • 绝对最大额定值:规定了芯片在各种条件下能够承受的最大电压、电流和温度等参数。例如,低侧和高侧漏源电压的最大值为 650V,在浪涌条件下可承受 720V 的电压,瞬态振铃峰值电压可达 800V。在实际应用中,必须确保芯片工作在绝对最大额定值范围内,以避免芯片损坏。
  • 推荐工作条件:给出了芯片正常工作时的最佳电压、电流和温度等参数范围。例如,AUX 电源电压推荐范围为 10V - 26V,BST 电源电压推荐范围为 7.5V - 26V。遵循推荐工作条件可以保证芯片的性能和可靠性。
  • 电气特性和开关特性:详细描述了芯片在不同工作条件下的电气性能和开关性能。例如,低侧和高侧 GaN FET 的导通电阻、开关延迟时间、上升时间和下降时间等参数。这些参数对于评估芯片的性能和进行电路设计非常重要。

    3. 工作原理与功能模块

  • 电流感测仿真:通过将低侧漏极电流的缩放副本输出到 CS 引脚,实现了电流感测功能。这种方式相比传统的电流感测电阻,不仅节省了功率和空间,还提高了系统的热性能。在设计时,需要根据实际需求选择合适的 CS 引脚电阻,以满足电流感测的要求。
  • 高端栅极驱动电平转换:内部的高端栅极驱动电平转换器能够可靠地将 INH 引脚信号传输到高端栅极驱动器,确保高端 GaN FET 的正常控制。该电平转换器对芯片的静态电流影响极小,且不影响芯片的启动时间。
  • 自举二极管功能:采用智能开关 GaN 自举 FET 实现自举二极管功能。这种设计避免了传统自举二极管的正向电压降和过充电问题,同时具有更低的电容和无反向恢复电荷,提高了自举功能的开关效率。

四、应用设计要点

1. 电源供应

LMG2652 由连接到 AUX 引脚的单个输入电源供电,BST 引脚由 AUX 引脚内部供电。推荐 AUX 外部电容为陶瓷电容,且至少是 BST - SW 外部电容的三倍。BST - SW 外部电容推荐为至少 10nF 的陶瓷电容。在设计电源时,需要确保电源的稳定性和可靠性,以满足芯片的工作要求。

2. 布局设计

  • 焊点应力缓解:大型 QFN 封装可能会面临较高的焊点应力。为了缓解焊点应力,需要遵循 NC 锚定引脚的连接说明,所有电路板焊盘应采用非阻焊定义(NSMD)方式,并且连接到 NSMD 焊盘的电路板走线在未被阻焊层覆盖时,宽度应小于焊盘宽度的 2/3。
  • 信号地连接:设计电源时应采用独立的信号地和电源地,仅在一处连接。将 LMG2652 的 AGND 引脚连接到信号地,SL 引脚和低侧散热焊盘连接到电源地,利用芯片内部的连接作为信号地和电源地的唯一连接点。
  • CS 引脚信号:由于电流感测信号的阻抗比传统电流感测信号高三个数量级,因此在布线时应尽量避免将电流感测信号靠近任何噪声较大的走线。将电流感测电阻和滤波电容放置在靠近控制器电流感测输入引脚的位置,以减少信号噪声的影响。

五、典型应用案例

1. 200W LLC 转换器应用

在 200W LLC 转换器应用中,LMG2652 与 UCC256602 等控制器配合使用,能够实现高效的功率转换。设计时需要根据具体的输入输出要求,合理选择电路参数和元件值。例如,输入 DC 电压范围为 365V - 410V,输出 DC 电压为 19.5V,输出额定电流为 10.3A 等。通过优化电路设计和布局,可以提高转换器的效率和性能。

2. 140W AHB 转换器应用

在 140W AHB 转换器应用中,LMG2652 与 AHB 控制器等配合,为电源系统提供稳定的功率输出。同样,需要根据具体的设计要求进行电路设计和元件选择,确保转换器的性能和可靠性。

六、总结

LMG2652 作为一款高性能的 GaN 半桥芯片,以其高集成度、出色的电气性能、全面的保护功能和低静态电流等优点,在电源设计领域具有广泛的应用前景。在实际设计过程中,我们需要深入理解芯片的特性和工作原理,遵循推荐的设计要点和布局规则,以充分发挥芯片的性能优势,实现高效、可靠的电源解决方案。希望通过本文的介绍,能够帮助广大电子工程师更好地了解和应用 LMG2652 芯片。大家在使用过程中有任何问题或经验,欢迎在评论区交流分享。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 电源设计
    +关注

    关注

    31

    文章

    2327

    浏览量

    69833
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    LMG2652 650V140mΩ GaN,集成驱动器、保护和电流感应概述

    LMG2652 是一个 650V 140mΩ GaN 功率 FET 。该
    的头像 发表于 02-21 10:46 975次阅读
    <b class='flag-5'>LMG2652</b> <b class='flag-5'>650V</b>、<b class='flag-5'>140m</b>Ω <b class='flag-5'>GaN</b><b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>桥</b>,集成驱动器、保护和电流感应概述

    LMG2650:650V 95mΩ GaN集成驱动器的卓越之选

    LMG2650:650V 95mΩ GaN集成驱动器的
    的头像 发表于 03-01 15:05 696次阅读

    探索LMG365xR025:650V 25mΩ GaN FET的卓越性能与应用

    探索LMG365xR025:650V 25mΩ GaN FET的卓越性能与应用 在当今的电子领域,功率转换技术不断发展,对高效、高功率密度的
    的头像 发表于 03-01 15:05 592次阅读

    探索LMG365xR070:650V 70mΩ GaN FET的卓越性能与应用潜力

    探索LMG365xR070:650V 70mΩ GaN FET的卓越性能与应用潜力 在电力电子领域,不断追求更高的功率密度和效率是永恒的目标
    的头像 发表于 03-01 15:05 694次阅读

    深入剖析LMG2656:650V 230mΩ GaN卓越性能与应用

    深入剖析LMG2656:650V 230mΩ GaN
    的头像 发表于 03-01 15:05 708次阅读

    深度解析LMG342xR050:600V 50mΩ GaN FET的卓越性能与应用

    深度解析LMG342xR050:600V 50mΩ GaN FET的卓越性能与应用 在当今的电源
    的头像 发表于 03-01 15:05 691次阅读

    LMG352xR030:650V GaN FET的卓越性能与应用

    LMG352xR030:650V GaN FET的卓越性能与应用 在当今的电子世界中,电源转换技术不断发展,对高性能、高效率的功率器件的需求
    的头像 发表于 03-01 15:10 672次阅读

    探索LMG3614:650V 170mΩ GaN FET集成驱动的卓越性能

    探索LMG3614:650V 170mΩ GaN FET集成驱动的卓越性能 在开关模式电源应用的领域中,
    的头像 发表于 03-01 15:15 612次阅读

    探索LMG2100R026:100V、53A GaN功率级的卓越性能与应用

    探索LMG2100R026:100V、53A GaN功率级的卓越性能与应用 在当今电子设备不
    的头像 发表于 03-01 15:30 804次阅读

    探索LMG2640:650V GaN卓越性能与应用潜力

    探索LMG2640:650V GaN卓越性能与应用潜力 在当今的电子世界中,高效、紧凑的电
    的头像 发表于 03-01 15:35 630次阅读

    探索LMG2100R044:100V、35A GaN功率级的卓越性能与应用设计

    探索LMG2100R044:100V、35A GaN功率级的卓越性能与应用设计 在电力电子领
    的头像 发表于 03-01 15:35 659次阅读

    深度解析LMG352xR050:650V 50mΩ GaN FET的卓越性能与应用

    深度解析LMG352xR050:650V 50mΩ GaN FET的卓越性能与应用 在当今的电子
    的头像 发表于 03-01 15:35 725次阅读

    探索LMG3616:650-V 270-mΩ GaN FET集成驱动器的卓越性能

    探索LMG3616:650-V 270-mΩ GaN FET集成驱动器的卓越性能 在电源转换领域,不断追求更高效率、更小尺寸和更优
    的头像 发表于 03-01 15:45 984次阅读

    德州仪器LMG2610:650V GaN卓越性能与应用解析

    德州仪器LMG2610:650V GaN卓越性能与应用
    的头像 发表于 03-01 15:50 1097次阅读

    深入剖析LMG5200:80-V、10-A GaN功率级的卓越性能与应用

    深入剖析LMG5200:80-V、10-A GaN功率级的卓越性能与应用 在电子工程师的日常
    的头像 发表于 03-01 17:20 1112次阅读