Everspin高性能串口mram芯片MR25H40CDCR

与传统串行EEPROM或闪存不同，串口mram芯片MR25H40CDCR在读写时序上完全兼容这些常见存储器，但有一个关键优势——没有写入延迟。普通串行存储器在两次写入之间需要等待，而Everspin串口mram芯片MR25H40CDCR支持随机访问，读取和写入可以任意穿插，无需额外等待周期，非常适用于工业控制和汽车电子等对芯片的可靠性要求极高的领域。

MR25H40CDCR提供AEC-Q100 1级认证选项，能在宽温度范围内稳定工作。其数据非易失性可保持20年，即便掉电也不会丢失。此外，芯片拥有无限读写寿命，不再担心因频繁擦写导致存储器失效。Everspin串口MRAM支持高达40MHz的读写速度，满足大多数实时数据记录需求。同时，串口mram符合RoHS环保标准，封装兼容现有串行闪存和EEPROM的引脚布局，可直接替换升级。

使用Everspinmram芯片MR25H40CDCR时需注意：读取状态寄存器（RDSR）命令不能紧跟在读命令之后，否则会输出错误数据。正确做法是：在读命令后插入另一个命令，或者连续发送两个RDSR命令，第二个命令即可返回正确的状态寄存器值。由于芯片本身没有写入延迟，状态寄存器中的“写入进行”位（位0）不会被使用。

Everspin高性能串口mram芯片型号：MR25H40CDCR
•提供AEC-Q100 1级合格选项
•40MHz读写速度，无限续航
•数据非易失性，可保留20年
•断电时保留数据。
•符合RoHS标准的封装。
•工作电压：3.3v
•封装：提供8引脚DFN或8引脚DFN
•无写入延迟
•块写保护
•快速，简单的SPI接口

这款Everspin串口MRAM适用于数据采集系统、工业PLC、行车记录仪、医疗设备等需要频繁、快速存取小量数据且对引脚数量敏感的场景。Everspin串口mram芯片既保留了传统串行存储器的简单接口，又消除了写入等待和寿命限制两大瓶颈。如需进一步了解该产品数据或样品申请，请搜索英尚微电子获取专业服务。

审核编辑 黄宇