安森美FDS2672 N沟道MOSFET：高效性能与广泛应用

在电子设计领域，MOSFET作为关键的半导体器件，其性能直接影响着电路的效率和稳定性。今天，我们来深入了解安森美（onsemi）推出的FDS2672 N沟道MOSFET，探索它的特点、应用及电气特性。

文件下载：FDS2672-D.pdf

一、产品概述

FDS2672是一款采用安森美先进UltraFET沟槽工艺生产的单N沟道MOSFET。该工艺经过特别优化，在降低导通电阻的同时，还能保持出色的开关性能。这使得FDS2672在众多应用场景中都能发挥出色的作用。

二、产品特点

低导通电阻

• 在(V{GS}=10V)，(I{D}=3.9A)的条件下，最大(r{DS(on)} = 70mΩ)；在(V{GS}=6V)，(I{D}=3.5A)时，最大(r{DS(on)} = 80mΩ)。低导通电阻意味着在导通状态下，MOSFET的功率损耗更小，能有效提高电路效率。

  快速开关速度

  具备快速的开关速度，能够满足高速电路的需求，减少开关过程中的能量损耗。

  高性能沟槽技术

  采用高性能沟槽技术，实现极低的(R_{DS(on)})，进一步提升了器件的性能。

  环保特性

  该器件无铅、无卤，符合RoHS标准，满足环保要求。

三、应用领域

FDS2672适用于DC - DC转换等应用场景。在DC - DC转换电路中，其低导通电阻和快速开关速度能够有效提高转换效率，减少能量损耗。

四、绝对最大额定值

在(T_{A}=25^{circ}C)的条件下，FDS2672的绝对最大额定值如下：	符号	参数	值	单位
(V_{DS})	漏源电压	200	V
(V_{GS})	栅源电压
(I_{D})	- 连续（注1a） - 脉冲	50	A
(E_{AS})		37.5
	（注1b）	2.5
(T{J}, T{STG})	工作和存储结温		°C

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

五、热特性

符号	参数	值	单位
(R_{theta JC})	结到壳热阻（注1）	25	°C/W
(R_{theta JA})	结到环境热阻（注1a）（注1b）	50、125	°C/W

其中，(R{theta JA})是结到壳和壳到环境热阻之和，(R{theta JC})由设计保证，而(R_{theta CA})则由用户的电路板设计决定。

六、电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压(B{V DSS})：在(I{D}=250μA)，(V_{GS}=0V)的条件下，最小值为200V。
• 击穿电压温度系数：在(I_{D}=250μA)，参考25°C时，为206mV/°C。
• 零栅压漏电流(I{DSS})：在(V{DS}=200V)，(V{GS}=0V)时，最大值为10μA，在(V{DS}=200V)，(V{GS}=0V)，(T{J}=55°C)时，最大值为100nA。
• 栅源泄漏电流(I{GSSF})：在(V{GS}=±20V)时，最大值为±100nA。

导通特性

• 栅源阈值电压(V{GS(th)})：在(V{GS}=V{DS})，(I{D}=250μA)时，典型值为4V。
• 导通电阻(r{DS(on)})：在不同条件下具有不同的值，如在(V{DS}=10V)，(I_{D}=3.9A)时，最小值为58mΩ，最大值为148mΩ。

动态特性

在(V{DS}=100V)，(V{GS}=0V)，(f = 1MHz)的条件下，有相应的电容值等动态参数。

开关特性

• 开通延迟时间、上升时间、下降时间等参数在特定测试条件下有明确的值，这些参数反映了MOSFET的开关速度。
• 总栅电荷(Q{g(TOT)})：在(V{DS}=100V)，(I_{D}=3.9A)时，典型值为46nC。

漏源二极管特性

• 源漏二极管电压：在(V{GS}=0V)，(I{S}=3.9A)时，有相应的值。
• 反向恢复时间：在(I{F}=3.9A)，(d{if}/d_{t}=100A/μs)时，典型值为67ns，最大值为101ns。

七、典型特性

文档中给出了多个典型特性曲线，包括导通区域特性、归一化导通电阻与漏极电流和栅极电压的关系、归一化导通电阻与结温的关系、导通电阻与栅源电压的关系、传输特性、源漏二极管正向电压与源电流的关系、栅电荷特性、电容与漏源电压的关系、非钳位电感开关能力、环境连续漏极电流与壳温的关系、正向偏置安全工作区、单脉冲最大功率耗散等。这些曲线能够帮助工程师更好地了解FDS2672在不同条件下的性能表现。

八、总结

安森美FDS2672 N沟道MOSFET凭借其低导通电阻、快速开关速度、高性能沟槽技术和环保特性，在DC - DC转换等应用中具有显著优势。工程师在设计电路时，可以根据其电气特性和典型特性曲线，合理选择和使用该器件，以实现电路的高效稳定运行。在实际应用中，你是否遇到过MOSFET选择和使用的难题呢？又有哪些经验可以分享呢？欢迎留言交流。