深入解析 onsemi FDMA7630 N 沟道 MOSFET

引言

在电子工程师的日常设计中，MOSFET 是不可或缺的关键元件。今天要为大家详细介绍 onsemi 公司的一款 N 沟道 MOSFET——FDMA7630，它专为同步降压转换器设计，在效率和热性能方面表现出色。

文件下载：FDMA7630-D.pdf

产品概述

FDMA7630 是一款单 N 沟道 MOSFET，具备低导通电阻（(R_{DS (on)})）和低栅极电荷的特点，这使得它在同步降压转换器中能够提供卓越的开关性能，实现高效的功率转换。

产品特性

低导通电阻

在不同的栅源电压和漏极电流条件下，FDMA7630 具有较低的导通电阻：

• 当 (V{GS}=10 V)，(I{D}=11 A) 时，最大 (R_{DS(on)}=13 mΩ)。
• 当 (V{GS}=4.5 V)，(I{D}=9 A) 时，最大 (R_{DS(on)}=20 mΩ)。

低外形封装

采用新型 MicroFET™ 2x2 mm 封装，最大高度仅为 0.8 mm，适合对空间要求较高的应用。

环保特性

该器件不含卤化物和氧化锑，符合 Pb - Free、Halide Free 标准，并且满足 RoHS 合规要求，符合环保设计理念。

典型应用

FDMA7630 主要应用于 DC - DC 降压转换器，为电源转换提供高效、稳定的解决方案。

绝对最大额定值

在 (T_{A}=25^{circ} C)（除非另有说明）的条件下，FDMA7630 的绝对最大额定值如下：	Symbol	Parameter	Value	Unit
(V_{DSS})	Drain to Source Voltage	30	V
(V_{GSS})	Gate to Source Voltage	+20	V
(I_{D})	Drain Current Continuous (T_{A} = 25°C) (Note 1a) - Pulsed -	11 24	A
(P_{D})	Power Dissipation (T_{A} = 25°C) (Note 1)	24	W
(T{J},T{stg})	Operating and Storage Junction Temperature Range	-55 to +150	°C

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

热特性

FDMA7630 的热特性与安装方式有关：

• 当安装在 (1 in^2) 的 2 oz 铜焊盘上时，热阻 (R_{theta JA}=52 °C/W)。
• 当安装在最小的 2 oz 铜焊盘上时，热阻 (R_{theta JA}=145 °C/W)。

电气特性

关断特性

包括零栅极电压漏极电流等参数。

导通特性

• 栅源阈值电压及其温度系数。
• 静态漏源导通电阻 (R_{DS(on)}) 在不同条件下的数值：
  • (V{GS}=10 V)，(I{D}=11 A) 时，(R_{DS(on)} = 10 - 20 mΩ)。
  • (V{GS}=10 V)，(I{D}=11 A)，(T{J}=125^{circ} C) 时，(R{DS(on)} = 14 - 20 mΩ)。

动态特性

• 输入电容 (C_{iss}=1020 pF)。
• 反向传输电容 (C_{rss}=315 pF)。
• 栅极电阻 (R_{g}=1.7 - 2 Ω)。

开关特性

特性	条件	最小值	典型值	最大值	单位
(t_{d(on)})	(V{DD} = 15 V)，(I{D} = 11 A)	-	8	15	ns
(t_{r})	(V{GS} = 10 V)，(R{GEN} = 6 Ω)	-	3	10	ns
(t_{d(off)})	-	-	19	34	ns
(t_{f})	-	-	3	10	ns
(Q_{g})	(V{GS} = 0 V) to (10 V)，(V{DD} = 15 V)，(I_{D} = 11 A)	-	16	22	nC
(Q_{g})	(V{GS} = 0 V) to (4.5 V)，(V{DD} = 15 V)，(I_{D} = 11 A)	-	8	10	nC
(Q_{gs})	(V{DD} = 15 V)，(I{D} = 11 A)	-	3.0	-	nC
(Q_{gd})	-	-	2.2	-	nC

漏源二极管特性和最大额定值

包括最大连续漏源二极管正向电流等参数。

典型特性曲线

文档中提供了一系列典型特性曲线，如导通区域特性、归一化导通电阻与漏极电流和栅极电压的关系、归一化导通电阻与结温的关系等，这些曲线有助于工程师更好地了解器件在不同条件下的性能。

机械封装和尺寸

FDMA7630 采用 WDFN6 2x2, 0.65P 封装，文档中给出了详细的封装尺寸图和推荐的焊盘布局，方便工程师进行 PCB 设计。

总结

FDMA7630 作为一款高性能的 N 沟道 MOSFET，在同步降压转换器应用中具有显著的优势。其低导通电阻、低外形封装和环保特性使其成为电子工程师在电源设计中的理想选择。在实际应用中，工程师需要根据具体的设计要求，结合器件的电气特性和热特性，合理选择和使用该器件。同时，要注意不要超过器件的绝对最大额定值，以确保器件的可靠性和稳定性。大家在使用过程中有没有遇到过类似器件的一些特殊问题呢？欢迎在评论区分享交流。