深入解析 onsemi FDB33N25 N 沟道 MOSFET

在电子设计领域，MOSFET 作为关键的功率开关器件，对电路性能起着至关重要的作用。今天我们就来详细探讨 onsemi 推出的 FDB33N25 N 沟道 MOSFET，看看它有哪些独特之处。

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一、产品概述

FDB33N25 属于 onsemi 的 UniFET MOSFET 系列，该系列基于平面条纹和 DMOS 技术。这种 MOSFET 旨在降低导通电阻，同时提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。它适用于多种开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示（FPD）电视电源、ATX 电源以及电子灯镇流器等。

二、产品特性

低导通电阻

在 (V{GS}=10V)，(I{D}=16.5A) 的条件下，最大导通电阻 (R_{DS(on)}) 为 94 mΩ，这意味着在导通状态下，器件的功率损耗较低，能够提高电路的效率。

低栅极电荷

典型栅极电荷为 36.8 nC，低栅极电荷可以减少开关过程中的能量损耗，提高开关速度，从而降低开关损耗。

低 (C_{rss})

典型 (C{rss}) 为 39 pF，低 (C{rss}) 有助于减少米勒效应的影响，提高开关性能。

100% 雪崩测试

经过 100% 雪崩测试，保证了器件在雪崩状态下的可靠性，能够承受一定的过电压和过电流冲击。

环保特性

这些器件无铅且符合 RoHS 标准，符合环保要求。

三、应用领域

等离子电视（PDP TV）

在 PDP TV 的电源电路中，FDB33N25 可以用于开关电源的设计，提供稳定的功率输出。

照明

在照明领域，如电子灯镇流器中，它能够实现高效的功率转换，提高照明系统的效率。

不间断电源（UPS）

在 UPS 中，FDB33N25 可以作为功率开关，确保在市电中断时能够快速切换到备用电源，保障设备的正常运行。

AC - DC 电源

在 AC - DC 电源转换中，它可以实现高效的电压转换，为各种电子设备提供稳定的直流电源。

四、参数解析

最大额定值

参数	符号	值	单位
漏源电压	(V_{DSS})	250	V
连续漏极电流（(T_{C}=25^{circ}C)）	(I_{D})	33	A
连续漏极电流（(T_{C}=100^{circ}C)）	(I_{D})	20.4	A
脉冲漏极电流	(I_{DM})	132	A
栅源电压	(V_{GSS})	(pm30)	V
单脉冲雪崩能量	(E_{AS})	918	mJ
雪崩电流	(I_{AR})	33	A
重复雪崩能量	(E_{AR})	23.5	mJ
二极管恢复峰值 (dv/dt)	(dv/dt)	4.5	V/ns
功率耗散（(T_{C}=25^{circ}C)）	(P_{D})	235	W
25°C 以上降额系数	-	1.89	W/°C
工作和存储温度范围	(T{J},T{STG})	(-55) 至 (+150)	°C
焊接时最大引脚温度	(T_{L})	300	°C

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压 (B{VDS})：在 (V{GS}=0V)，(I_{D}=250A) 时，为 250V。
• 击穿电压温度系数：在 (I_{D}=250A)，参考 25°C 时，为 0.25 V/°C。
• 零栅压漏极电流 (I{DSS})：在 (V{DS}=250V)，(V{GS}=0V) 时，为 1 A；在 (V{DS}=200V)，(T_{C}=125^{circ}C) 时，为 10 A。
• 栅体正向泄漏电流 (I{GSSF})：在 (V{GS}=30V)，(V_{DS}=0V) 时，为 100 nA。
• 栅体反向泄漏电流 (I{GSSR})：在 (V{GS}=-30V)，(V_{DS}=0V) 时，为 -100 nA。

导通特性

• 开启电压 (V{GS(th)})：在 (V{GS}=V{DS})，(I{D}=250mu A) 时，为 5.0 V。
• 导通电阻 (R{DS(on)})：在 (V{GS}=10V)，(I_{D}=16.5A) 时，为 0.077 Ω。

动态特性

• 输入电容 (C{iss})：在 (V{DS}=25V)，(V_{GS}=0V)，(f = 1MHz) 时，典型值为 1640 pF，最大值为 2135 pF。
• 输出电容 (C_{oss})：典型值为 330 pF，最大值为 430 pF。
• 反向传输电容 (C_{rss})：典型值为 39 pF，最大值为 59 pF。

开关特性

• 导通延迟时间 (t_{d(on)})：典型值为 35 ns，最大值为 80 ns。
• 导通上升时间 (t{r})：在 (R{G}=25Omega) 时，典型值为 230 ns。
• 关断下降时间 (t_{f})：典型值为 75 ns，最大值为 160 ns。
• 栅源电荷 (Q{gs})：在 (V{DS}=200V)，(I{D}=33A)，(V{GS}=10V) 时，为 36.8 nC。

漏源二极管特性

• 最大连续漏源二极管正向电流 (I_{S})：为 33 A。
• 最大脉冲漏源二极管正向电流 (I_{SM})：为 132 A。
• 漏源二极管正向电压 (V{SD})：在 (V{GS}=0V)，(I_{S}=33A) 时，为 1.4 V。
• 反向恢复电荷 (Q_{rr})：为 1.71 μC。

五、典型性能特性

文档中给出了一系列典型性能特性曲线，包括导通区域特性、传输特性、导通电阻随漏极电流和栅极电压的变化、体二极管正向电压随源极电流和温度的变化、电容特性、栅极电荷特性、击穿电压随温度的变化、导通电阻随温度的变化、最大安全工作区、最大漏极电流随壳温的变化以及瞬态热响应曲线等。这些曲线可以帮助工程师更好地理解器件在不同工作条件下的性能表现，从而进行合理的电路设计。

六、封装和订购信息

FDB33N25 采用 D2PAK - 3（TO - 263，3 - 引脚）封装，标记信息包含装配厂代码、日期代码、批次追溯代码等。订购信息可参考数据手册第 7 页的详细内容，该器件以 800 个/卷带和卷盘的形式发货。

总结

FDB33N25 N 沟道 MOSFET 凭借其低导通电阻、低栅极电荷、低 (C_{rss}) 以及高雪崩能量强度等特性，在开关电源转换器应用中具有很大的优势。工程师在设计电路时，可以根据其参数和性能特性，合理选择和使用该器件，以实现高效、可靠的电路设计。大家在实际应用中是否遇到过类似 MOSFET 的使用问题呢？欢迎在评论区分享交流。